本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素單元電路、驅(qū)動(dòng)方法、像素電路和顯示裝置。

背景技術(shù)：

硅基oled(organiclight-emittingdiode，有機(jī)發(fā)光二極管)的發(fā)光亮度通常通過驅(qū)動(dòng)mos管(金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管)的亞閾值區(qū)的電流來控制，由于mos管的電流與它的寬長比成正比，為了實(shí)現(xiàn)微顯示像素的小電流，必須把驅(qū)動(dòng)mos管的w/l(寬長比)的比值設(shè)計(jì)很小，即得把驅(qū)動(dòng)mos管的l(長度)設(shè)計(jì)很大，這樣以來很難將硅基oled應(yīng)用到高分辨率的顯示產(chǎn)品，存儲電容無法做大，數(shù)據(jù)電壓無法穩(wěn)定保持，導(dǎo)致oled的亮度不穩(wěn)定；且mos管的亞閾值電流對柵源電壓和閾值電壓很敏感，外圍電路也很復(fù)雜。傳統(tǒng)的硅基像素電路(采用工作在亞閾值的驅(qū)動(dòng)mos管)很難減少驅(qū)動(dòng)mos管的面積至很難應(yīng)用到超高分辨率的產(chǎn)品上，并且oled的驅(qū)動(dòng)電流對驅(qū)動(dòng)mos管的柵源電壓和閾值電壓敏感，外圍電路相對復(fù)雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種像素單元電路、驅(qū)動(dòng)方法、像素電路和顯示裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中硅基oled的發(fā)光亮度通過驅(qū)動(dòng)mos管的亞閾值區(qū)的電流控制，從而需將驅(qū)動(dòng)mos管的長度設(shè)計(jì)的很大從而導(dǎo)致硅基oled無法應(yīng)用于高分辨率的顯示產(chǎn)品中，并且oled的驅(qū)動(dòng)電流對驅(qū)動(dòng)mos管的柵源電壓和閾值電壓敏感，外圍電路相對復(fù)雜的問題。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種像素單元電路，包括：

第一節(jié)點(diǎn)控制模塊，分別與一行選通線、一列選通線和第一節(jié)點(diǎn)連接，用于在所述行選通線的控制下控制所述第一節(jié)點(diǎn)是否與所述列選通線連接；

存儲電容模塊，第一端與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第二端與高電平輸入端連接；

第二節(jié)點(diǎn)控制模塊，分別與所述第一節(jié)點(diǎn)、第二節(jié)點(diǎn)、所述高電平輸入端和低電平輸入端連接，用于在所述第一節(jié)點(diǎn)的控制下，控制所述第二節(jié)點(diǎn)與所述高電平輸入端或所述低電平輸入端連接；以及，

發(fā)光元件，第一端與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，第二端與所述低電平輸入端連接。

實(shí)施時(shí)，所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊包括：

第一pmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述高電平輸入端連接，第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接；以及，

第一nmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述低電平輸入端連接，第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接。

實(shí)施時(shí)，所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊包括：

第一nmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，第二極與所述高電平輸入端連接；以及，

第一pmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，第二極與所述低電平輸入端連接。

實(shí)施時(shí)，所述第一節(jié)點(diǎn)控制模塊包括：第二nmos管，柵極與所述行選通線連接，第一極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第二極與所述列選通線連接。

實(shí)施時(shí)，所述第一節(jié)點(diǎn)控制模塊包括：第二pmos管，柵極與所述行選通線連接，第一極與所述列選通線連接，第二極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接。

實(shí)施時(shí)，所述存儲電容模塊包括：存儲電容，第一端與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第二端與高電平輸入端連接；

所述發(fā)光元件包括有機(jī)發(fā)光二極管；所述發(fā)光元件的第一端為所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極，所述發(fā)光元件的第二端為所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極。

本發(fā)明還提供了一種像素單元電路的驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)上述的像素單元電路，所述驅(qū)動(dòng)方法包括：

在行選通線的控制下，第一節(jié)點(diǎn)控制模塊控制第一節(jié)點(diǎn)是否與列選通線連接；

在所述第一節(jié)點(diǎn)的控制下，第二節(jié)點(diǎn)控制模塊控制第二節(jié)點(diǎn)與高電平輸入端或低電平輸入端連接；

當(dāng)所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊控制所述第二節(jié)點(diǎn)與高電平輸入端連接時(shí)，發(fā)光元件發(fā)光；

當(dāng)所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊控制所述第二節(jié)點(diǎn)與高電平輸入端連接時(shí)，發(fā)光元件不發(fā)光。

實(shí)施時(shí)，當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)控制模塊包括第二nmos管，柵極與所述行選通線連接，第一極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第二極與所述列選通線連接時(shí)，所述在行選通線的控制下，第一節(jié)點(diǎn)控制模塊控制第一節(jié)點(diǎn)是否與列選通線連接步驟包括：

當(dāng)所述行選通線輸出高電平信號時(shí)，所述第二nmos管導(dǎo)通，從而控制所述第一節(jié)點(diǎn)和所述列選通線連接；

當(dāng)所述行選通線輸出低電平信號時(shí)，所述第二nmos管斷開，從而控制所述第一節(jié)點(diǎn)和所述列選通線不連接。

實(shí)施時(shí)，當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)控制模塊包括第二pmos管，柵極與所述行選通線連接，第一極與所述列選通線連接，第二極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接時(shí)，所述在行選通線的控制下，第一節(jié)點(diǎn)控制模塊控制第一節(jié)點(diǎn)是否與列選通線連接步驟包括：

當(dāng)所述行選通線輸出低電平信號時(shí)，所述第二pmos管導(dǎo)通，從而控制所述第一節(jié)點(diǎn)和所述列選通線連接；

當(dāng)所述行選通線輸出高電平信號時(shí)，所述第二pmos管斷開，從而控制所述第一節(jié)點(diǎn)和所述列選通線不連接。

實(shí)施時(shí)，當(dāng)所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊包括：第一pmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述高電平輸入端連接，第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接；以及，第一nmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述低電平輸入端連接，第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接時(shí)，所述在所述第一節(jié)點(diǎn)的控制下，第二節(jié)點(diǎn)控制模塊控制第二節(jié)點(diǎn)與高電平輸入端或低電平輸入端連接步驟包括：

當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)的電位為高電平時(shí)，第一pmos管斷開，第一nmos管導(dǎo)通，以控制所述第二節(jié)點(diǎn)與所述低電平輸入端連接，以使得所述第二節(jié)點(diǎn)的電位為低電平，使得所述發(fā)光元件不發(fā)光；

當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)的電位為低電平時(shí)，第一pmos管導(dǎo)通，第一nmos管斷開，以控制所述第二節(jié)點(diǎn)與所述高電平輸入端連接，以使得所述第二節(jié)點(diǎn)的電位為高電平，使得所述發(fā)光元件發(fā)光。

實(shí)施時(shí)，當(dāng)所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊包括：第一nmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，第二極與所述高電平輸入端連接；以及，第一pmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，第二極與所述低電平輸入端連接時(shí)，所述在所述第一節(jié)點(diǎn)的控制下，第二節(jié)點(diǎn)控制模塊控制第二節(jié)點(diǎn)與高電平輸入端或低電平輸入端連接步驟包括：

當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)的電位為低電平時(shí)，第一pmos管導(dǎo)通，第一nmos管斷開，以控制所述第二節(jié)點(diǎn)與所述低電平輸入端連接，以使得所述第二節(jié)點(diǎn)的電位為低電平，使得所述發(fā)光元件不發(fā)光；

當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)的電位為高電平時(shí)，第一pmos管斷開，第一nmos管導(dǎo)通，以控制所述第二節(jié)點(diǎn)與所述高電平輸入端連接，以使得所述第二節(jié)點(diǎn)的電位為高電平，使得所述發(fā)光元件發(fā)光。

本發(fā)明還提供了一種像素電路，設(shè)置于硅基板上，包括多條行選通線、多條列選通線，以及多個(gè)陣列排布的上述的像素單元電路；

位于同一行的所述像素單元電路與同一條行選通線連接；

位于同一列的所述像素單元電路與同一條列選通線連接。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括硅基板和設(shè)置于所述硅基板上的多條行選通線、多條列選通線，以及多個(gè)陣列排布的上述的像素單元電路；

位于同一行的所述像素單元電路與同一條行選通線連接；

位于同一列的所述像素單元電路與同一條列選通線連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的像素單元電路、驅(qū)動(dòng)方法、像素電路和顯示裝置能夠應(yīng)用于高分辨率顯示產(chǎn)品中；并且，第二節(jié)點(diǎn)控制模塊包括的nmos管(negativechannelmetaloxidesemiconductor，n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和pmos管(positivechannelmetaloxidesemiconductor，p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)只起到開關(guān)的作用，通過該nmos管和pmos管開啟和關(guān)閉時(shí)間的比例來控制發(fā)光的亮度，一幀顯示時(shí)間發(fā)光元件工作的時(shí)間只是發(fā)光的時(shí)間，減少了發(fā)光元件的工作時(shí)間和平均電流。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例所述的像素單元電路的結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本發(fā)明另一實(shí)施例所述的像素單元電路的結(jié)構(gòu)圖；

圖3是本發(fā)明又一實(shí)施例所述的像素單元電路的結(jié)構(gòu)圖；

圖4是本發(fā)明所述的像素單元電路的一具體實(shí)施例的電路圖；

圖5是本發(fā)明如圖4所示的像素單元電路的具體實(shí)施例的一工作時(shí)序圖；

圖6是本發(fā)明如圖4所示的像素單元電路的具體實(shí)施例的另一工作時(shí)序圖；

圖7是本發(fā)明如圖4所示的像素單元電路的具體實(shí)施例的又一工作時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例所述的像素單元電路包括：

第一節(jié)點(diǎn)控制模塊11，分別與一行選通線sw、一列選通線sel和第一節(jié)點(diǎn)node1連接，用于在所述行選通線sw的控制下控制所述第一節(jié)點(diǎn)node1是否與所述列選通線sel連接；

存儲電容模塊12，第一端與所述第一節(jié)點(diǎn)node1連接，第二端與輸入高電平vdd的高電平輸入端連接；

第二節(jié)點(diǎn)控制模塊13，分別與所述第一節(jié)點(diǎn)node1、第二節(jié)點(diǎn)node2、所述輸入高電平vdd的高電平輸入端和輸入低電平vss的低電平輸入端連接，用于在所述第一節(jié)點(diǎn)node1的控制下，控制所述第二節(jié)點(diǎn)node2與所述輸入高電平vdd的高電平輸入端或所述輸入低電平vss的低電平輸入端連接；以及，

發(fā)光元件d1，第一端與所述第二節(jié)點(diǎn)node2連接，第二端與所述輸入低電平vss的低電平輸入端連接。

在實(shí)際操作時(shí)，所述發(fā)光元件d1可以包括有機(jī)發(fā)光二極管；所述發(fā)光元件d1的第一端為所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極，所述發(fā)光元件d1的第二端為所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極。

本發(fā)明實(shí)施例所述的像素單元電路通過第二節(jié)點(diǎn)控制模塊13包括的pmos管(positivechannelmetaloxidesemiconductor，p溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的開啟時(shí)間和該第二節(jié)點(diǎn)控制模塊13包括的nmos管(negativechannelmetaloxidesemiconductor，n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的開啟時(shí)間的配合來控制發(fā)光元件d1的顯示亮度；本發(fā)明實(shí)施例所述的像素單元電路通過第一節(jié)點(diǎn)控制模塊11來控制第一節(jié)點(diǎn)node1的電位，并在第一節(jié)點(diǎn)node1的控制下控制該第二節(jié)點(diǎn)控制模塊13包括的pmos管導(dǎo)通或者該第二節(jié)點(diǎn)控制模塊13包括的nmos管導(dǎo)通，從而控制第二節(jié)點(diǎn)node2接入高電平vdd或接入低電平vss，從而使得發(fā)光元件d1不發(fā)光或發(fā)光。在本發(fā)明實(shí)施例所述的像素單元電路的技術(shù)方案中，第二節(jié)點(diǎn)控制模塊13包括的nmos管和pmos管不是工作于飽和區(qū)就是關(guān)斷，因此不需要將尺寸l(長度)設(shè)計(jì)的很大，從而使得本發(fā)明實(shí)施例所述的像素單元電路可以應(yīng)用于高分辨率顯示產(chǎn)品中；并且，第二節(jié)點(diǎn)控制模塊13包括的nmos管和pmos管只起到開關(guān)的作用，通過該nmos管和pmos管開啟和關(guān)閉時(shí)間的比例來控制發(fā)光的亮度，一幀顯示時(shí)間發(fā)光元件d1(所述發(fā)光元件d1可以包括有機(jī)發(fā)光二極管oled)工作的時(shí)間只是發(fā)光的時(shí)間，減少了發(fā)光元件d1(所述發(fā)光元件d1可以包括有機(jī)發(fā)光二極管oled)的工作時(shí)間和平均電流。

根據(jù)一種具體實(shí)施方式，所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊可以包括：

第一pmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述高電平輸入端連接，第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接；以及，

第一nmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述低電平輸入端連接，第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接。

如圖2所示，在圖1所示的像素單元電路的實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述發(fā)光元件包括有機(jī)發(fā)光二極管oled，所述有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極與所述第二節(jié)點(diǎn)node2連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管oled的陰極與輸入低電平vss的低電平輸入端連接；

所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊13包括：

第一pmos管tp1，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)node1連接，源極與所述輸入高電平vdd的高電平輸入端連接，漏極與所述第二節(jié)點(diǎn)node2連接；以及，

第一nmos管tn1，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)node1連接，源極與所述輸入低電平vss的低電平輸入端連接，第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)node2連接。

在實(shí)際操作時(shí)，當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)node1的電位為低電平時(shí)，tp1打開，tn1關(guān)閉，所述第二節(jié)點(diǎn)node2的電位為高電平vdd；當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)node1的電位為高電平時(shí)，tp1關(guān)閉，tn2打開，所述第二節(jié)點(diǎn)node2的電位為低電平vss。

根據(jù)另一種具體實(shí)施方式，所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊可以包括：

第一nmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，第二極與所述高電平輸入端連接；以及，

第一pmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，第二極與所述低電平輸入端連接。

如圖3所示，在圖1所示的像素單元電路的實(shí)施例的基礎(chǔ)上，所述發(fā)光元件包括有機(jī)發(fā)光二極管oled，所述有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極與所述第二節(jié)點(diǎn)node2連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管oled的陰極與輸入低電平vss的低電平輸入端連接；

所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊13包括：

第一nmos管tn1，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)node1連接，漏極與所述輸入高電平vdd的高電平輸入端連接，源極與所述第二節(jié)點(diǎn)node2連接；以及，

第一pmos管tp1，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)node1連接，漏極與所述輸入低電平vss的低電平輸入端連接，源極與所述第二節(jié)點(diǎn)node2連接。

在實(shí)際操作時(shí)，當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)node1的電位為低電平時(shí)，tp1打開，tn1關(guān)閉，所述第二節(jié)點(diǎn)node2的電位為低電平vss；當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)node1的電位為高電平時(shí)，tp1關(guān)閉，tn2打開，所述第二節(jié)點(diǎn)node2的電位為高電平vdd。

具體的，所述第一節(jié)點(diǎn)控制模塊可以包括：第二nmos管，柵極與所述行選通線連接，第一極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第二極與所述列選通線連接。當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)控制模塊包括第二nmos管時(shí)，當(dāng)所述行選通線輸出高電平時(shí)，該第二nmos管打開，所述列選通線與所述第一節(jié)點(diǎn)連接；當(dāng)所述行選通線輸出低電平時(shí)，該第二nmos管關(guān)閉，所述列選通線與所述第一節(jié)點(diǎn)不連接。

具體的，所述第一節(jié)點(diǎn)控制模塊可以包括：第二pmos管，柵極與所述行選通線連接，第一極與所述列選通線連接，第二極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接。當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)控制模塊包括第二pmos管時(shí)，當(dāng)所述行選通線輸出低電平時(shí)，該第二pmos管打開，所述列選通線與所述第一節(jié)點(diǎn)連接；當(dāng)所述行選通線輸出高電平時(shí)，該第二pmos管關(guān)閉，所述列選通線與所述第一節(jié)點(diǎn)不連接。

具體的，所述存儲電容模塊可以包括：存儲電容，第一端與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第二端與高電平輸入端連接。

下面通過一具體實(shí)施例來說明本發(fā)明所述的像素單元電路。

如圖4所示，本發(fā)明所述的像素單元電路的一具體實(shí)施例包括第一節(jié)點(diǎn)控制模塊11、存儲電容模塊12、第二節(jié)點(diǎn)控制模塊13以及有機(jī)發(fā)光二極管oled；

所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊13包括：

第一pmos管tp1，柵極與第一節(jié)點(diǎn)node1連接，源極與輸入高電平vdd的高電平輸入端連接，漏極與第二節(jié)點(diǎn)node2連接；以及，

第一nmos管tn1，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)node1連接，源極與輸入低電平vss的低電平輸入端連接，漏極與所述第二節(jié)點(diǎn)node2連接；

所述第一節(jié)點(diǎn)控制模塊11包括：第二nmos管tn2，柵極與行選通線sw連接，源極與所述第一節(jié)點(diǎn)node1連接，漏極與列選通線sel連接；

所述存儲電容模塊12包括：存儲電容cst，第一端與所述第一節(jié)點(diǎn)node1連接，第二端與所述輸入高電平vdd的高電平輸入端連接；

所述有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極與所述第二節(jié)點(diǎn)node2連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管oled的陰極與所述輸入低電平vss的低電平輸入端連接。

如圖5所示，本發(fā)明如圖4所示的像素單元電路的具體實(shí)施例在工作時(shí)，

在第一時(shí)間段t1，sw和sel都輸出高電平，tn2打開，node1讀入sel輸出的高電平，tp1關(guān)閉，tn1打開，node2的電位為低電平vss，oled的陽極的電位和oled的陰極的電位相等，oled不發(fā)光，也即oled保持“暗”態(tài)；

在第二時(shí)間段t2，sw和sel都輸出低電平，tn2關(guān)閉，node1的電位由cst的電荷保持下維持為高電平，tp1關(guān)閉，tn1打開，node2的電位為低電平vss，oled的陽極的電位和oled的陰極的電位相等，oled不發(fā)光，也即oled保持“暗”態(tài)；

在第三時(shí)間段t3，sw輸出高電平，sel輸出低電平，tn2打開，node1讀入sel輸出的低電平，tp1打開，tn1關(guān)閉，node2的電位為高電平，oled的陽極和oled的陰極之間的壓差為vdd-vss，oled發(fā)光，也即oled保持“亮”態(tài)；

在第四時(shí)間段t4，sw和sel都輸出低電平，tn2關(guān)閉，node1的電位由cst維持為低電平，tp1打開，tn1關(guān)閉，node2的電位為高電平，oled的陽極和oled的陰極之間的壓差為vdd-vss，oled發(fā)光，也即oled保持“亮”態(tài)。

由上可知，本發(fā)明如圖4所示的像素單元電路的具體實(shí)施例在工作時(shí)，通過行選通線sw輸出的行選通信號的時(shí)序和列選通線sel輸出的列選通信號的時(shí)序配合來控制第一節(jié)點(diǎn)node1的電位，根據(jù)所述第一節(jié)點(diǎn)node1的電位決定開啟tp1或tn2，以確定第二節(jié)點(diǎn)node2的電位為vdd或vss；當(dāng)tp1開啟時(shí)，oled處于“亮”態(tài)；當(dāng)tn1開啟時(shí)，oled處于“暗”態(tài)。tp1和tn1在工作時(shí)，均處于飽和區(qū)或關(guān)閉，僅起到開關(guān)的作用；且通過tp1和tn1開啟和關(guān)閉的時(shí)間比例來控制發(fā)光的亮度，一幀顯示時(shí)間內(nèi)oled實(shí)際工作的時(shí)間只是發(fā)光的時(shí)間，減少了oled的工作時(shí)間和平均電流。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例所述的像素單元電路不需通過驅(qū)動(dòng)mos管在亞閾值區(qū)的電流來控制硅基oled(有機(jī)發(fā)光二極管)的發(fā)光亮度，本發(fā)明實(shí)施例所述的像素單元電路中的各mos管僅起到開關(guān)的作用，故mos管的尺寸可以做小，有利于實(shí)現(xiàn)高分辨率，且流過oled的平均電流和oled的亮度可以根據(jù)行選通線sw輸出的行選通信號的時(shí)序和列選通線sel的列選通信號的時(shí)序相互配合而任意調(diào)整。

也即，如圖6所示，可以固定sw輸出的行選通信號的波形，而變化sel輸出的列選通信號的周期，即可使得oled發(fā)出不同的亮度。在圖6中，標(biāo)號為t1的為第一時(shí)間段、標(biāo)號為t2的為第二時(shí)間段，標(biāo)號為t3的為第三時(shí)間段，標(biāo)號為t4的為第四時(shí)間段，標(biāo)號為t5的為第五時(shí)間段、標(biāo)號為t6的為第六時(shí)間段，標(biāo)號為t7的為第七時(shí)間段，標(biāo)號為t8的為第八時(shí)間段。當(dāng)sw輸出的行選通信號的時(shí)序以及sel輸出的列選通信號的時(shí)序如圖6所示時(shí)，在t1-t6，oled處于“亮”態(tài)，在t7-t8，oled處于“暗”態(tài)。

如圖7所示，可以固定sel輸出的行選通信號的波形，而變化sw輸出的列選通信號的周期，即可使得oled發(fā)出不同的亮度。在圖7中，標(biāo)號為t1的為第一時(shí)間段、標(biāo)號為t2的為第二時(shí)間段，標(biāo)號為t3的為第三時(shí)間段，標(biāo)號為t4的為第四時(shí)間段，標(biāo)號為t5的為第五時(shí)間段、標(biāo)號為t6的為第六時(shí)間段，標(biāo)號為t7的為第七時(shí)間段，標(biāo)號為t8的為第八時(shí)間段，標(biāo)號為t9的為第九時(shí)間段，標(biāo)號為t10的為第十時(shí)間段。當(dāng)sw輸出的行選通信號的時(shí)序以及sel輸出的列選通信號的時(shí)序如圖7所示時(shí)，在t1-t5，oled處于“亮”態(tài)，在t6-t10，oled處于“暗”態(tài)。

在實(shí)際操作時(shí)，行選通線輸出的行選通信號的時(shí)序和列選通線輸出的列選通信號的時(shí)序可以根據(jù)實(shí)際情況變化。

本發(fā)明實(shí)施例所述的像素單元電路的驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)上述的像素單元電路，所述驅(qū)動(dòng)方法包括：

在行選通線的控制下，第一節(jié)點(diǎn)控制模塊控制第一節(jié)點(diǎn)是否與列選通線連接；

在所述第一節(jié)點(diǎn)的控制下，第二節(jié)點(diǎn)控制模塊控制第二節(jié)點(diǎn)與高電平輸入端或低電平輸入端連接；

當(dāng)所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊控制所述第二節(jié)點(diǎn)與高電平輸入端連接時(shí)，發(fā)光元件發(fā)光；

當(dāng)所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊控制所述第二節(jié)點(diǎn)與高電平輸入端連接時(shí)，所述發(fā)光元件不發(fā)光。

具體的，當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)控制模塊包括所述第二nmos管時(shí)，所述在行選通線的控制下，第一節(jié)點(diǎn)控制模塊控制第一節(jié)點(diǎn)是否與列選通線連接步驟包括：

當(dāng)所述行選通線輸出高電平信號時(shí)，所述第二nmos管導(dǎo)通，從而控制所述第一節(jié)點(diǎn)和所述列選通線連接；

當(dāng)所述行選通線輸出低電平信號時(shí)，所述第二nmos管斷開，從而控制所述第一節(jié)點(diǎn)和所述列選通線不連接。

具體的，當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)控制模塊包括所述第二pmos管時(shí)，所述在行選通線的控制下，第一節(jié)點(diǎn)控制模塊控制第一節(jié)點(diǎn)是否與列選通線連接步驟包括：

當(dāng)所述行選通線輸出低電平信號時(shí)，所述第二pmos管導(dǎo)通，從而控制所述第一節(jié)點(diǎn)和所述列選通線連接；

當(dāng)所述行選通線輸出高電平信號時(shí)，所述第二pmos管斷開，從而控制所述第一節(jié)點(diǎn)和所述列選通線不連接。

具體的，當(dāng)所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊包括：第一pmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述高電平輸入端連接，第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接；以及，第一nmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述低電平輸入端連接，第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接時(shí)，所述在所述第一節(jié)點(diǎn)的控制下，第二節(jié)點(diǎn)控制模塊控制第二節(jié)點(diǎn)與高電平輸入端或低電平輸入端連接步驟包括：

當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)的電位為高電平時(shí)，第一pmos管斷開，第一nmos管導(dǎo)通，以控制所述第二節(jié)點(diǎn)與所述低電平輸入端連接，以使得所述第二節(jié)點(diǎn)的電位為低電平，使得所述發(fā)光元件不發(fā)光；

當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)的電位為低電平時(shí)，第一pmos管導(dǎo)通，第一nmos管斷開，以控制所述第二節(jié)點(diǎn)與所述高電平輸入端連接，以使得所述第二節(jié)點(diǎn)的電位為高電平，使得所述發(fā)光元件發(fā)光。

具體的，當(dāng)所述第二節(jié)點(diǎn)控制模塊包括：第一nmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，第二極與所述高電平輸入端連接；以及，第一pmos管，柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，第二極與所述低電平輸入端連接時(shí)，所述在所述第一節(jié)點(diǎn)的控制下，第二節(jié)點(diǎn)控制模塊控制第二節(jié)點(diǎn)與高電平輸入端或低電平輸入端連接步驟包括：

當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)的電位為低電平時(shí)，第一pmos管導(dǎo)通，第一nmos管斷開，以控制所述第二節(jié)點(diǎn)與所述低電平輸入端連接，以使得所述第二節(jié)點(diǎn)的電位為低電平，使得所述發(fā)光元件不發(fā)光；

當(dāng)所述第一節(jié)點(diǎn)的電位為高電平時(shí)，第一pmos管斷開，第一nmos管導(dǎo)通，以控制所述第二節(jié)點(diǎn)與所述高電平輸入端連接，以使得所述第二節(jié)點(diǎn)的電位為高電平，使得所述發(fā)光元件發(fā)光。

本發(fā)明實(shí)施例所述的像素電路，設(shè)置于硅基板上，包括多條行選通線、多條列選通線，以及多個(gè)陣列排布的上述的像素單元電路；

位于同一行的所述像素單元電路與同一條行選通線連接；

位于同一列的所述像素單元電路與同一條列選通線連接。

本發(fā)明實(shí)施例所述的顯示裝置包括硅基板和設(shè)置于所述硅基板上的多條行選通線、多條列選通線，以及多個(gè)陣列排布的上述的像素單元電路；

位于同一行的所述像素單元電路與同一條行選通線連接；

位于同一列的所述像素單元電路與同一條列選通線連接。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。