本發(fā)明涉及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置。
背景技術(shù):
隨著液晶顯示器的迅速發(fā)展,人們對(duì)液晶顯示器的性能要求越來越高。其中,響應(yīng)時(shí)間為衡量液晶顯示器性能的一個(gè)重要指標(biāo)。
響應(yīng)時(shí)間是指液晶顯示器各像素點(diǎn)對(duì)輸入信號(hào)反應(yīng)的速度,此值越小,液晶顯示器的性能越優(yōu)。如果響應(yīng)時(shí)間過長(zhǎng),液晶顯示器在顯示動(dòng)態(tài)圖像時(shí),就會(huì)有尾影拖曳的現(xiàn)象,從而造成畫面質(zhì)量較差。
故,有必要提供一種像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置,以解決現(xiàn)有的液晶顯示面器由于響應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng),從而影響液晶顯示面器的顯示質(zhì)量的技術(shù)問題。
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu),其包括:
多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及所述掃描線與數(shù)據(jù)線限定的多個(gè)像素單元,每個(gè)所述像素單元包括主區(qū)以及子區(qū);
所述主區(qū)包括第一薄膜晶體管、第一存儲(chǔ)電容以及第一液晶電容,所述第一薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的所述掃描線連接,所述第一薄膜晶體管的源極與相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接,所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第一存儲(chǔ)電容以及所述第一液晶電容連接;
所述子區(qū)包括第二薄膜晶體管、第二存儲(chǔ)電容以及第二液晶電容,所述第二薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的所述掃描線連接,所述第二薄膜晶體管的源極與相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接,所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二存儲(chǔ)電容以及所述第二液晶電容連接;其中,
所述第一存儲(chǔ)電容與所述第一液晶電容的比值以及所述第二存儲(chǔ)電容與所述第一液晶電容的比值均介于1.0-1.5之間。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中,所述像素結(jié)構(gòu)還包括公共線,所述子區(qū)還包括第三薄膜晶體管,所述第三薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的所述掃描線連接,所述第三薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的漏極連接,所述第三薄膜晶體管的漏極與所述公共線連接,其中,所述第三薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比值介于3.0-4.0之間。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中,所述像素結(jié)構(gòu)還包括公共電極,所述主區(qū)包括主區(qū)像素電極,所述主區(qū)像素電極與所述公共電極相互正對(duì)以形成所述第一液晶電容,所述主區(qū)像素電極與所述公共線相互正對(duì)以形成所述第一存儲(chǔ)電容。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中,所述子區(qū)包括子區(qū)像素電極,所述子區(qū)像素電極與所述公共電極相互正對(duì)以形成所述第二液晶電容,所述子區(qū)像素電極與所述公共線相互正對(duì)以形成所述第二存儲(chǔ)電容。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中,所述像素單元為紅色像素單元、綠色像素單元或藍(lán)色像素單元。
本發(fā)明還提供一種液晶顯示裝置,包括像素結(jié)構(gòu),所述像素結(jié)構(gòu)包括:
多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及所述掃描線與數(shù)據(jù)線限定的多個(gè)像素單元,每個(gè)所述像素單元包括主區(qū)以及子區(qū);
所述主區(qū)包括第一薄膜晶體管、第一存儲(chǔ)電容以及第一液晶電容,所述第一薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的所述掃描線連接,所述第一薄膜晶體管的源極與相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接,所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第一存儲(chǔ)電容以及所述第一液晶電容連接;
所述子區(qū)包括第二薄膜晶體管、第二存儲(chǔ)電容以及第二液晶電容,所述第二薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的所述掃描線連接,所述第二薄膜晶體管的源極與相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接,所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二存儲(chǔ)電容以及所述第二液晶電容連接;其中,
所述第一存儲(chǔ)電容與所述第一液晶電容的比值以及所述第二存儲(chǔ)電容與所述第一液晶電容的比值均介于1.0-1.5之間。
在本發(fā)明的液晶顯示裝置中,所述像素結(jié)構(gòu)還包括公共線,所述子區(qū)還包括第三薄膜晶體管,所述第三薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的所述掃描線連接,所述第三薄膜晶體管的源極與所述第二薄膜晶體管的漏極連接,所述第三薄膜晶體管的漏極與所述公共線連接,其中,所述第三薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比值介于3.0-4.0之間。
在本發(fā)明的液晶顯示裝置中,所述像素結(jié)構(gòu)還包括公共電極,所述主區(qū)包括主區(qū)像素電極,所述主區(qū)像素電極與所述公共電極相互正對(duì)以形成所述第一液晶電容,所述主區(qū)像素電極與所述公共線相互正對(duì)以形成所述第一存儲(chǔ)電容。
在本發(fā)明的液晶顯示裝置中,所述子區(qū)包括子區(qū)像素電極,所述子區(qū)像素電極與所述公共電極相互正對(duì)以形成所述第二液晶電容,所述子區(qū)像素電極與所述公共線相互正對(duì)以形成所述第二存儲(chǔ)電容。
在本發(fā)明的液晶顯示裝置中,所述像素單元為紅色像素單元、綠色像素單元或藍(lán)色像素單元。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置將位于主區(qū)的第一存儲(chǔ)電容與第一液晶電容的比值以及位于子區(qū)的第二存儲(chǔ)電容與第二液晶電容的比值設(shè)定在1.0-1.5之間,從而減小液晶顯示裝置的響應(yīng)時(shí)間,進(jìn)而提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明圖1所示實(shí)施例中的像素結(jié)構(gòu)的像素單元的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
參閱圖1、圖2,圖1為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為本發(fā)明圖1所示實(shí)施例中的像素結(jié)構(gòu)的像素單元的電路結(jié)構(gòu)圖。
在本實(shí)施例中,該像素結(jié)構(gòu)包括多條掃描線G1、G2、G3、G4、……G(n-1)、G(n)、多條數(shù)據(jù)線D1、D2、D3、D4、……D(n-1)、D(n)以及掃描線G1、G2、G3、G4、……G(n-1)、G(n)與數(shù)據(jù)線D1、D2、D3、D4、……D(n-1)、D(n)限定的多個(gè)像素單元101。該像素單元101可以是紅色像素單元、綠色像素單元或藍(lán)色像素單元,在該像素結(jié)構(gòu)中,一個(gè)紅色像素單元、一個(gè)綠色像素單元以及一個(gè)藍(lán)色像素單元為一個(gè)像素。
每一個(gè)像素單元101包括主區(qū)1011以及子區(qū)1012,其中,主區(qū)1011包括第一薄膜晶體管T1、第一存儲(chǔ)電容C12以及第一液晶電容C11,該第一薄膜晶體管T1的柵極與相應(yīng)的掃描線G(n)連接,該第一薄膜晶體管T1的源極與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線D(n)連接,該第一薄膜晶體管T1的漏極與第一存儲(chǔ)電容C12以及第一液晶電容連接C11;子區(qū)1012包括第二薄膜晶體管T2、第二存儲(chǔ)電容C22以及第二液晶電容C21,該第二薄膜晶體管T2的柵極與相應(yīng)的掃描線G(n)連接,該二薄膜晶體管T2的源極與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線D(n)連接,該第二薄膜晶體管T2的漏極與第二存儲(chǔ)電容C22以及第二液晶電容C21連接。
該像素結(jié)構(gòu)還包括位于陣列基板上的公共線AR_COM以及位于彩膜基板上的公共電極CF_COM。該主區(qū)包括主區(qū)像素電極201,該子區(qū)包括子區(qū)像素電極202。
其中,該第一液晶電容C11的一端與該主區(qū)像素電極201連接,該第一液晶電容C11的另一端與公共電極CF_COM連接,該第一液晶電容C11為主區(qū)像素電極201與公共電極CF_COM相互正對(duì)形成;該第一存儲(chǔ)電容C12的一端與該主區(qū)像素電極201連接,該第一存儲(chǔ)電容C12的另一端與公共線AR_COM連接,該第一存儲(chǔ)電容C12為主區(qū)像素電極201與公共線AR_COM相互正對(duì)形成。
該第二液晶電容C21的一端與該子區(qū)像素電極202連接,該第二液晶電容C21的另一端與公共電極CF_COM連接,該第二液晶電容C21為子區(qū)像素電極202與公共電極CF_COM相互正對(duì)形成;該第二存儲(chǔ)電容C22的一端與該子區(qū)像素電極202連接,該第二存儲(chǔ)電容C22的另一端與公共線AR_COM連接,該第二存儲(chǔ)電容C22為子區(qū)像素電極202與公共線AR_COM相互正對(duì)形成。
在本優(yōu)選實(shí)施例中,通過改變第一存儲(chǔ)電容C12與第一液晶電容C11的比值以及第二存儲(chǔ)電容C22與第二液晶電容C21的比值,從而達(dá)到降低液晶顯示裝置響應(yīng)時(shí)間的效果,提高了液晶的反應(yīng)速度,從而提升液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。
當(dāng)該第一存儲(chǔ)電容C12與第一液晶電容C11的比值介于1.0-1.5之間以及該第二存儲(chǔ)電容C22與第二液晶電容C21的比值介于1.0-1.5之間時(shí),液晶顯示裝置的響應(yīng)時(shí)間較小。
進(jìn)一步的,該子區(qū)1012還包括第三薄膜晶體管T3,該第三薄膜晶體管T3的柵極與相應(yīng)的掃描線G(n)連接,該第三薄膜晶體管T3的源極與該第二薄膜晶體管T2的漏極連接,該第三薄膜晶體管T3的漏極與公共線AR_COM連接。本優(yōu)選實(shí)施例通過將施加到子區(qū)1012上的電壓經(jīng)第三薄膜晶體管T3輸出至公共線AR_COM,從而使得主區(qū)1011與子區(qū)1012上的電壓不同,起到改善視角的作用。
在本優(yōu)選實(shí)施例中,通過改變?cè)摰谌∧ぞw管T3的長(zhǎng)寬比值,從而可以進(jìn)一步達(dá)到降低液晶顯示裝置響應(yīng)時(shí)間的效果,提高了液晶的反應(yīng)速度,從而提升液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。
優(yōu)選地,該第三薄膜晶體管T3的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比值介于3.0-4.0之間。
本優(yōu)選實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)將位于主區(qū)的第一存儲(chǔ)電容與第一液晶電容的比值以及位于子區(qū)的第二存儲(chǔ)電容與第二液晶電容的比值設(shè)定在1.0-1.5之間,從而減小液晶顯示裝置的響應(yīng)時(shí)間,進(jìn)而提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。
本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置,包括像素結(jié)構(gòu),該像素結(jié)構(gòu)包括:多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及掃描線與數(shù)據(jù)線限定的多個(gè)像素單元,每個(gè)像素單元包括主區(qū)以及子區(qū);
主區(qū)包括第一薄膜晶體管、第一存儲(chǔ)電容以及第一液晶電容,第一薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的掃描線連接,第一薄膜晶體管的源極與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接,第一薄膜晶體管的漏極與第一存儲(chǔ)電容以及第一液晶電容連接;
子區(qū)包括第二薄膜晶體管、第二存儲(chǔ)電容以及第二液晶電容,第二薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的掃描線連接,第二薄膜晶體管的源極與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接,第二薄膜晶體管的漏極與第二存儲(chǔ)電容以及第二液晶電容連接;其中,
第一存儲(chǔ)電容與第一液晶電容的比值以及第二存儲(chǔ)電容與第一液晶電容的比值均介于1.0-1.5之間。
該像素結(jié)構(gòu)還包括公共線,子區(qū)還包括第三薄膜晶體管,第三薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的掃描線連接,第三薄膜晶體管的源極與第二薄膜晶體管的漏極連接,第三薄膜晶體管的漏極與公共線連接,其中,第三薄膜晶體管的導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)寬比值介于3.0-4.0之間。
該像素結(jié)構(gòu)還包括公共電極,主區(qū)包括主區(qū)像素電極,主區(qū)像素電極與公共電極相互正對(duì)以形成第一液晶電容,主區(qū)像素電極與公共線相互正對(duì)以形成第一存儲(chǔ)電容。
子區(qū)包括子區(qū)像素電極,子區(qū)像素電極與公共電極相互正對(duì)以形成第二液晶電容,子區(qū)像素電極與公共線相互正對(duì)以形成第二存儲(chǔ)電容。
該像素單元為紅色像素單元、綠色像素單元或藍(lán)色像素單元。
本優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示裝置的原理及其他相關(guān)結(jié)構(gòu)均與上述像素結(jié)構(gòu)類似,具體可參照上述像素結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)施例的相關(guān)描述,在此不做贅述。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)及液晶顯示裝置將位于主區(qū)的第一存儲(chǔ)電容與第一液晶電容的比值以及位于子區(qū)的第二存儲(chǔ)電容與第二液晶電容的比值設(shè)定在1.0-1.5之間,從而減小液晶顯示裝置的響應(yīng)時(shí)間,進(jìn)而提高液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。
綜上,雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上,但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。