本發(fā)明涉及對襯底支撐件的流體提取系統(tǒng)的鑒定或合格評定（qualification）。實(shí)施例包括用于確定襯底支撐件的流體提取系統(tǒng)的性能的獨(dú)立工具。實(shí)施例還包括當(dāng)襯底支撐件在光刻設(shè)備內(nèi)操作時(shí)確定襯底支撐件的流體提取系統(tǒng)的性能。

背景技術(shù)：

1、光刻設(shè)備是一種被構(gòu)造成將所需圖案應(yīng)用于襯底上的機(jī)器。例如，光刻設(shè)備可用于制造集成電路（ic）。例如，光刻設(shè)備可將圖案形成裝置（例如掩模）的圖案（通常也稱為“設(shè)計(jì)布局”或“設(shè)計(jì)”）投影到設(shè)置在襯底（例如晶片）上的輻射敏感材料（抗蝕劑）層上。已知的光刻設(shè)備包括：所謂的步進(jìn)器，其中通過一次性將整個(gè)圖案曝光至目標(biāo)部分上來照射每個(gè)目標(biāo)部分；和所謂的掃描器，其中通過在給定方向（“掃描”方向）上經(jīng)由輻射束來掃描圖案而同時(shí)平行于或反向平行于此方向同步地掃描襯底來照射每個(gè)目標(biāo)部分。

2、隨著半導(dǎo)體制造過程的持續(xù)進(jìn)步，電路元件的尺寸已持續(xù)不斷地減小，而每個(gè)器件的功能元件（諸如晶體管）的數(shù)量幾十年來一直在穩(wěn)步地增加，所遵循的趨勢通常被稱為“摩爾定律”。為了跟上摩爾定律，半導(dǎo)體行業(yè)一直在追求能夠創(chuàng)建越來越小特征的技術(shù)。為了在襯底上投影圖案，光刻設(shè)備可以使用電磁輻射。這種輻射的波長確定了在所述襯底上圖案化的特征的最小尺寸。目前使用的典型波長為365納米（i線）、248納米、193納米和13.5納米。

3、可以通過在曝光期間在襯底上提供具有相對高折射率的浸沒流體（諸如水）來實(shí)現(xiàn)較小特征的分辨率的進(jìn)一步提高。浸沒流體的效應(yīng)是使得能夠?qū)^小特征進(jìn)行成像，這是因?yàn)槠毓廨椛湓诹黧w中相比于在氣體中將具有更短的波長。浸沒流體的效應(yīng)也可以被視為增加所述系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑（na）并且也增加焦深。

4、浸沒流體可以由流體處理結(jié)構(gòu)限制至介于所述光刻設(shè)備的所述投影系統(tǒng)與所述襯底之間的局部區(qū)域。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在浸沒半導(dǎo)體制造過程中，可以將浸沒流體連續(xù)供應(yīng)到襯底的照射區(qū)域。襯底由襯底支撐件支撐。襯底支撐件包括用于提取所供應(yīng)的浸沒流體的流體提取系統(tǒng)。

2、制造過程的可靠性取決于流體提取系統(tǒng)的性能。流體提取系統(tǒng)的不正確操作可能導(dǎo)致在浸沒流體中形成氣泡。氣泡的存在增加了制造缺陷發(fā)生的風(fēng)險(xiǎn)。通常需要改進(jìn)用于對流體提取系統(tǒng)進(jìn)行合格評定的已知技術(shù)，以便確定流體提取系統(tǒng)是否在其性能規(guī)格內(nèi)操作。

3、根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于確定襯底支撐件的流體提取系統(tǒng)的至少一個(gè)操作特性的獨(dú)立合格評定系統(tǒng)，所述合格評定系統(tǒng)包括：提取支持系統(tǒng)，所述提取支持系統(tǒng)被配置為支持由所述流體提取系統(tǒng)進(jìn)行的兩相流體提??；以及測量系統(tǒng)，所述測量系統(tǒng)被配置為根據(jù)所述兩相流體提取來確定所述流體提取系統(tǒng)的至少一個(gè)操作特性。

4、根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種用于確定襯底支撐件的流體提取系統(tǒng)的至少一個(gè)操作特性的襯底，所述襯底包括：一個(gè)或多個(gè)通道，所述一個(gè)或多個(gè)通道位于所述襯底的主表面上，所述一個(gè)或多個(gè)通道用于容納所述襯底的所述主表面上的沉積液體；其中每個(gè)通道的端部位于所述襯底的邊緣處。

5、根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種裝置，包括：根據(jù)第一方面的合格評定系統(tǒng)；以及根據(jù)第二方面的襯底。

6、根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種裝置，包括：浸沒式光刻設(shè)備；以及根據(jù)第二方面的襯底。

7、根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供了一種用于確定襯底支撐件的流體提取系統(tǒng)的至少一個(gè)操作特性的方法，所述方法包括：將液體沉積到襯底上；以兩相流體流從所述襯底提取所述液體；以及根據(jù)兩相流體提取確定所述流體提取系統(tǒng)的至少一個(gè)操作特性。

8、下面參考附圖詳細(xì)描述了本發(fā)明的其他實(shí)施例、特征和優(yōu)點(diǎn)，以及本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例、特征和優(yōu)點(diǎn)的結(jié)構(gòu)和操作。

技術(shù)特征：

1.一種用于確定襯底支撐件的流體提取系統(tǒng)的至少一個(gè)操作特性的獨(dú)立的合格評定系統(tǒng)，所述合格評定系統(tǒng)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的合格評定系統(tǒng)，其中所述兩相流體提取包括液體流和氣體流，和/或其中所述襯底支撐件用于浸沒式光刻設(shè)備中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的合格評定系統(tǒng)，還包括處理器，所述處理器被配置為根據(jù)至少一個(gè)所確定的操作特性來確定所述流體提取系統(tǒng)的至少一個(gè)性能特性。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的合格評定系統(tǒng)，其中所述處理器被配置為根據(jù)所述至少一個(gè)性能特性來確定所述流體提取系統(tǒng)是否滿足性能規(guī)范，和/或

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的合格評定系統(tǒng)，其中所述測量系統(tǒng)包括液體-氣體分離器，所述液體-氣體分離器被配置為將兩相流分離成氣體流和液體流；以及

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的合格評定系統(tǒng)，其中所述合格評定系統(tǒng)被配置為確定流體提取速率/時(shí)間；以及

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的合格評定系統(tǒng)，還包括一個(gè)或多個(gè)加熱器，所述一個(gè)或多個(gè)加熱器被布置成加熱所述襯底支撐件；以及

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的合格評定系統(tǒng)，其中所述提取支持系統(tǒng)包括用于提取所述流體的真空系統(tǒng)。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的合格評定系統(tǒng)，其中所述操作特性中的至少一個(gè)是針對所述流體提取系統(tǒng)的部分而局部地確定的。

10.一種用于確定襯底支撐件的流體提取系統(tǒng)的至少一個(gè)操作特性的襯底，所述襯底包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的襯底，其中每個(gè)通道由所述襯底的所述主表面的潤濕性性質(zhì)的差異限定，和/或其中每個(gè)通道由所述襯底的所述主表面的表面輪廓的差異限定。

12.一種裝置，包括：

13.一種裝置，包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述光刻設(shè)備包括被布置成記錄流體提取的相機(jī)。

15.一種用于確定襯底支撐件的流體提取系統(tǒng)的至少一個(gè)操作特性的方法，所述方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本文公開了一種用于確定襯底支撐件的流體提取系統(tǒng)的至少一個(gè)操作特性的獨(dú)立質(zhì)量評定系統(tǒng)，該合格評定系統(tǒng)包括：提取支持系統(tǒng)，該提取支持系統(tǒng)被配置為支持由流體提取系統(tǒng)進(jìn)行的兩相流體提??；以及測量系統(tǒng)，該測量系統(tǒng)被配置為根據(jù)兩相流體提取來確定流體提取系統(tǒng)的至少一個(gè)操作特性。

技術(shù)研發(fā)人員：C·W·J·貝倫德森,M·M·范烏訥,C·M·魯普斯,J·A·M·阿默拉安,G·L·加托比焦
受保護(hù)的技術(shù)使用者：ASML荷蘭有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15