1.一種基于懸空納米膠片的電子束斑強(qiáng)度分布表征方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在硅晶圓上制造懸空納米膠片結(jié)構(gòu)的步驟包括：
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，懸空薄膜的厚度不大于500nm；納米膠片長(zhǎng)度不小于20μm，寬度為50-1000nm，厚度不大于200nm；電子束光刻膠選用正性電子束光刻膠，該正性電子束光刻膠在顯影、定影后保持對(duì)電子束敏感的性質(zhì)不變。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，步驟(1)中使用drie刻蝕硅，使用氧等離子體干法去膠或prs3000濕法去膠；步驟(2)中使用lpcvd在硅晶圓正面和背面淀積氮化硅薄膜；步驟(3)中使用rie刻蝕氮化硅薄膜；步驟(4)中深刻蝕工藝選用koh各向異性濕法腐蝕、深硅反應(yīng)離子刻蝕或hna各向同性濕法腐蝕。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，計(jì)算束斑直徑的幾何關(guān)系為其中x為待計(jì)算束斑在選定劑量下的點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)閾值寬度，d1,d2為單電子束通過(guò)納米膠片兩邊緣的線段長(zhǎng)度，θ為預(yù)設(shè)角度。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，使用不同預(yù)設(shè)劑量的單電子束以一預(yù)設(shè)角度掃描通過(guò)納米膠片，根據(jù)幾何關(guān)系計(jì)算各個(gè)束斑直徑，根據(jù)擬合后的函數(shù)關(guān)系得到均一化的電子束斑強(qiáng)度分布；使用亞像素分辨算法增強(qiáng)對(duì)平行四邊形邊界的界定；使用掃描電子顯微鏡測(cè)量單電子束通過(guò)納米膠片兩邊緣的線段長(zhǎng)度。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)單電子束的劑量、駐留時(shí)間、點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)建立束斑強(qiáng)度分布函數(shù)的過(guò)程表示為：
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，對(duì)束斑強(qiáng)度分布函數(shù)進(jìn)行擬合時(shí)，若雙高斯分布函數(shù)擬合時(shí)相關(guān)系數(shù)不低于0.8，則使用雙高斯分布函數(shù)進(jìn)行擬合，否則使用origin軟件的樣條曲線功能進(jìn)行擬合；使用雙高斯分布函數(shù)擬合束斑強(qiáng)度分布函數(shù)后的關(guān)系式為：
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，將納米膠片旋轉(zhuǎn)90°，測(cè)量電子束斑在束斑直徑x方向的強(qiáng)度分布，在通過(guò)綜合歸一化，還原束斑的三維強(qiáng)度分布，表達(dá)式如下：
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在硅晶圓上制造懸空納米膠片結(jié)構(gòu)時(shí)，通過(guò)兩次曝光制造重復(fù)單元，重復(fù)單元的四個(gè)角設(shè)有曝光標(biāo)記，每個(gè)重復(fù)單元包括多個(gè)懸空薄膜，每個(gè)懸空薄膜上設(shè)有多個(gè)測(cè)試單元，每個(gè)測(cè)試單元包括多個(gè)納米膠片。