專利名稱：一種實(shí)現(xiàn)mocvd噴淋均勻性的裝置及應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種MOCVD技術(shù)，尤其是一種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置及應(yīng)用。
背景技術(shù)：
“均勻性”是金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition簡稱MOCVD)系統(tǒng)核心技術(shù)指標(biāo)之一，均勻性控制直接關(guān)系到材料外延生長質(zhì)量的優(yōu)劣，它包括流速均勻、組份均勻、溫度均勻三個(gè)方面“流速均勻性”要求在端蓋噴射面上噴射氣體的流速具有較好的一致性，這就要求氣體在到達(dá)噴射面前，在噴淋頭內(nèi)部就已經(jīng)形成單向、均勻、穩(wěn)定的流場。“組份均勻性”要求向反應(yīng)室內(nèi)噴射的各種組份混合均勻，但通常反應(yīng)室內(nèi)部流場環(huán)境會(huì)導(dǎo)致組份的波動(dòng)，因此控制噴淋頭輸運(yùn)氣體的溫度與組份非常關(guān)鍵，要求反應(yīng)氣體在到達(dá)基片前盡量不發(fā)生反應(yīng)，而到達(dá)基片后能夠混合均勻，并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。“溫度均勻性”要求反應(yīng)氣體在到達(dá)基片前，在反應(yīng)室內(nèi)部同一高度水平面保持溫度均勻，這樣才能保證不同基片的外延生長環(huán)境幾乎相同，同時(shí)，基于抑制寄生反應(yīng)的考慮，要控制腔室內(nèi)溫場的梯度分布，盡可能形成薄的熱邊界層。以上三種均勻性指標(biāo)相互牽連，相互制約，若流速不一致，進(jìn)入反應(yīng)室后等體積的組份不可能很均勻；而溫度不均勻則可能導(dǎo)致局部區(qū)域寄生反應(yīng)弱，而其他區(qū)域寄生反應(yīng)強(qiáng)，在到達(dá)襯底同一高度的平面內(nèi)，氣體組份不但不均勻，而且還衍生出其他物質(zhì)。綜上分析不難看出，MOCVD噴淋頭裝置的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)必須緊扣“三個(gè)均勻性”指標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。因此，主流MOCVD設(shè)備的開發(fā)商無不在噴淋頭裝置的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上持續(xù)改進(jìn)，不斷升級(jí)。而每一代新產(chǎn)品的出現(xiàn)很大程度上都圍繞提高“三個(gè)均勻性”指標(biāo)提出的。中國專利文獻(xiàn)CN201099698Y公開的“三重氣流金屬有機(jī)物氣相沉積設(shè)備反應(yīng)腔體”提出的“穿管分層焊接、均勻分布”的方法(見圖1所示)，從根本上解決了 A族與B族氣體的相互隔離，且較好的實(shí)現(xiàn)了流速與組份的均勻性；獨(dú)立連續(xù)的水冷層為兩種氣體的均勻冷卻提供了最優(yōu)的解決方案。但由于這種穿管熔焊技術(shù)只有少數(shù)加工商能夠完成，價(jià)格極其昂貴，嚴(yán)重阻礙了國內(nèi)該技術(shù)對(duì)MOCVD開發(fā)應(yīng)用的推廣。此外，中國專利文獻(xiàn)CN101122012A公開的《用于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積設(shè)備的大面積梳狀噴淋頭》(見圖2)，介紹了一種大面積梳狀形式的噴淋頭，可實(shí)現(xiàn)A族與B族氣體分別從噴淋頭整體結(jié)構(gòu)兩側(cè)獨(dú)立送氣，并在反應(yīng)腔襯底方均勻噴射，其實(shí)現(xiàn)的方法采用總管進(jìn)氣，支管送氣，兩類氣源支管交錯(cuò)排列，并在同側(cè)加工均勻布置的噴淋孔。該結(jié)構(gòu)盡管實(shí)現(xiàn)獨(dú)立送氣，但氣體從總管接口到達(dá)每個(gè)支管末端一定存在壓力不均，使得從各支管小孔噴出氣體的流速不均，影響流場的均勻性，另外，該結(jié)構(gòu)很難增加獨(dú)立的水冷層，因此未知其如何解決溫度均勻這一問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的旨在實(shí)現(xiàn)“三個(gè)均勻性”目標(biāo)，提出一種既能理想地實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置和裝置，同時(shí)也克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的結(jié)構(gòu)復(fù)雜、加工難度大、使用效果難以保持穩(wěn)定的缺陷。這種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于其特征在于通過微孔設(shè)計(jì)布局在噴淋頭中構(gòu)建分別用于同時(shí)輸送A族氣體、B族氣體和冷卻水三種流體的兩層或三層獨(dú)立空間孔道，使每一層獨(dú)立空間孔道延伸至噴淋頭體表面構(gòu)成與外部供氣源和冷卻水分別連接的接口 ；同時(shí)，通過分別設(shè)計(jì)在A族氣體輸送孔道和B族氣體輸送孔道內(nèi)底部設(shè)置的通達(dá)噴淋頭底面的微孔通道，構(gòu)成能充分實(shí)現(xiàn)“流速均勻”、“組分均勻”、“溫度均勻”的MOCVD 噴淋出口的噴射面。所述的A族氣體輸送孔道、B族氣體輸送孔道呈平行、間隔狀態(tài)設(shè)于噴淋頭的上部塊體內(nèi)，所述的冷卻水輸送孔道設(shè)于噴淋頭下部塊體內(nèi)，構(gòu)成水平+水平上層進(jìn)氣、下層過水的兩層結(jié)構(gòu)模式；同時(shí)，將所述的冷卻水輸送孔道穿插設(shè)置在所述A族氣體輸送孔道、B 族氣體輸送孔道向下延伸的每相鄰兩組微孔通道之間，實(shí)現(xiàn)對(duì)相鄰微孔通道內(nèi)的過流氣體的溫度調(diào)控。所述的B族氣體輸送孔道呈平行狀態(tài)設(shè)于噴淋頭的上部塊體內(nèi)，所述的冷卻水輸送孔道設(shè)于噴淋頭下部塊體內(nèi)，并且所述的A族氣體輸送孔道直接貫穿噴淋頭塊體上下， 構(gòu)成一種“垂直+水平”進(jìn)氣和水平進(jìn)水結(jié)構(gòu)模式。在噴淋頭上部增設(shè)一帶有頂部進(jìn)氣口或水平進(jìn)氣口的上端蓋，形成上部空腔，所述的B族氣體輸送孔道呈平行狀態(tài)設(shè)于噴淋頭的上部塊體內(nèi)，所述的冷卻水輸送孔道設(shè)于噴淋頭M體的下部塊體內(nèi)，所述的A族氣體輸送孔道為直接貫穿噴淋頭上下的微孔通道，它與B族氣體微孔通道相間隔設(shè)置，并與上端蓋內(nèi)腔相通，由此構(gòu)成垂直+水平進(jìn)氣、下層過水的三層結(jié)構(gòu)模式；同時(shí)，將所述的冷卻水輸送孔道穿插設(shè)置在所述A族氣體輸送孔道、B 族氣體輸送孔道向下延伸的每相鄰兩組微孔通道之間，實(shí)現(xiàn)對(duì)相鄰微孔通道內(nèi)的過流氣體的溫度調(diào)控。所述的上端蓋與噴淋頭形成的空腔內(nèi)設(shè)有一均化隔板，并在均化隔板以上的上端蓋的頂部或側(cè)邊設(shè)有進(jìn)氣口。上述這種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，與同類技術(shù)的噴淋頭相比，具有如下創(chuàng)新點(diǎn)(1)由于采用三種空間(A族氣體、B族氣體、冷卻水)獨(dú)立分布的微孔設(shè)計(jì)，既保證A、B族氣流絕對(duì)隔離，而且用微孔替代穿管結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)氣體內(nèi)部輸運(yùn)，避免了穿管焊接加工存在的難度；(2)通過采用上層孔道為氣流層，下層孔道為水流層，形狀可為平行直孔道、S形孔道或其他，使得微孔在噴射面上呈現(xiàn)均勻分布；(3)由于A、B族兩個(gè)氣流層可選擇“垂直+水平”或“水平+水平”兩種進(jìn)氣模式， 前者A族氣體垂直進(jìn)氣，B族氣體水平進(jìn)氣，并且兩種氣體均從底部出氣微孔噴出，實(shí)現(xiàn)均勻噴射；后者A、B兩族氣體均從水平方向進(jìn)氣，且兩種氣體交替間隔，然后沿微孔數(shù)值向下噴射，兩種方案都能保證獲得較好的均勻性。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)(一)的結(jié)構(gòu)示意圖2為現(xiàn)有技術(shù)(二 )的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明二層結(jié)構(gòu)噴淋頭設(shè)計(jì)原理示意圖；圖4為本發(fā)明三層結(jié)構(gòu)噴淋頭設(shè)計(jì)原理示意圖；圖5為本發(fā)明一種二層結(jié)構(gòu)噴淋頭設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明另一種二層垂直+水平結(jié)構(gòu)噴淋頭設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明噴淋頭底面的共同噴射面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明介紹的普通頂進(jìn)氣三層結(jié)構(gòu)噴淋頭設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為帶均化層的頂進(jìn)氣三層結(jié)構(gòu)噴淋頭設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明介紹的普通側(cè)進(jìn)氣三層結(jié)構(gòu)噴淋頭設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明介紹的帶均化層的側(cè)進(jìn)氣三層結(jié)構(gòu)噴淋頭設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)示意圖。圖中I-A族氣體輸送孔道2-B族氣體輸送孔道3-冷卻水輸送孔道4_微孔通道4’-微孔通道5-噴淋頭底面6-B族氣體進(jìn)口 7-A族氣體進(jìn)口 7’-A族氣體進(jìn)口 8-端蓋9-均化層10-壓力氣體進(jìn)口 11-冷卻腔12-噴淋口 13-載片盤14-襯底 15-反應(yīng)腔16-加熱器17-排氣口 18-腔體外殼19-緩沖腔20-擋板21-A族氣體進(jìn)氣口 22-A族氣體總輸氣管23-A族氣體輸氣支管M-B族氣體總輸氣管25-B族氣體輸氣支管沈-B族氣體氣口 N-進(jìn)氣口。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合說明書附圖進(jìn)一步闡述本發(fā)明，并給出實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例。這種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，通過微孔設(shè)計(jì)布局在噴淋頭中構(gòu)建分別用于同時(shí)輸送A族氣體、B族氣體和冷卻水三種流體的兩層或三層獨(dú)立空間孔道，使每一層獨(dú)立空間孔道延伸至噴淋頭體表面構(gòu)成與外部供氣源和冷卻水分別連接的接口 ；同時(shí)，通過分別設(shè)計(jì)在A族氣體輸送孔道1和B族氣體輸送孔道2內(nèi)底部設(shè)置的通達(dá)噴淋頭底面5的微孔通道4、4’，構(gòu)成能充分實(shí)現(xiàn)“流速均勻”、“組分均勻”、“溫度均勻”的MOCVD噴淋出口的噴射面。噴淋頭結(jié)構(gòu)為實(shí)現(xiàn)圍繞均勻性從內(nèi)到外分層布置，內(nèi)部噴淋頭首先構(gòu)建兩層或三層獨(dú)立空間，每一層延伸至外部接口。若采用“水平+水平”進(jìn)氣模式，則為兩層空間，上層空間設(shè)計(jì)有若干平行孔道，相鄰孔道以A族、B族交替排列，兩端進(jìn)氣，沿垂直微孔通道向下均勻噴射。圖3給出的是這種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置的基本設(shè)計(jì)原理示意圖。所述的A族氣體輸送孔道1、B族氣體輸送孔道2呈平行、間隔狀態(tài)設(shè)于噴淋頭M 的上部塊體內(nèi)，所述的冷卻水輸送孔道3設(shè)于噴淋頭M體的下部塊體內(nèi)，構(gòu)成水平+水平上層進(jìn)氣、下層過水的兩層結(jié)構(gòu)模式；同時(shí)，將所述的冷卻水輸送孔道3穿插設(shè)置在所述A族氣體輸送孔道1、B族氣體輸送孔道2向下延伸的每相鄰兩組微孔通道4、4’之間，實(shí)現(xiàn)對(duì)相鄰微孔通道4、4’內(nèi)的過流氣體的溫度調(diào)控。在實(shí)際應(yīng)用中，按照上述原理設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，可以采取圖5 和圖6兩種結(jié)構(gòu)形式。圖5給出的實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，所述的A族氣體輸送孔道1、B族氣體輸送孔道2呈平行、間隔狀態(tài)設(shè)于噴淋頭M的上部塊體內(nèi)，所述的冷卻水輸送孔道3設(shè)于噴淋頭M體的下部塊體內(nèi)，構(gòu)成水平+水平上層進(jìn)氣、下層過水的兩層結(jié)構(gòu)模式；同時(shí)，將所述的冷卻水輸送孔道3穿插設(shè)置在所述A族氣體輸送孔道1、B族氣體輸送孔道2向下延伸的每相鄰兩組微孔通道4、微孔通道4’之間，實(shí)現(xiàn)對(duì)相鄰微孔通道4、微孔通道4’內(nèi)的過流氣體的溫度調(diào)控。圖6給出的實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，所述該裝置噴淋頭M塊體上的B族氣體輸送孔道2呈平行狀設(shè)于噴淋頭M的上部塊體內(nèi)，所述的A族氣體輸送孔道1為直接貫穿噴淋頭體上下的微孔通道，所述的冷卻水輸送孔道3設(shè)于噴淋頭M體的下部塊體內(nèi)，并穿插設(shè)置在所述A族氣體輸送孔道1、B族氣體輸送孔道2向下延伸的每相鄰兩組微孔通道4、 微孔通道4’之間，實(shí)現(xiàn)對(duì)相鄰微孔通道4、微孔通道4’內(nèi)的過流氣體的溫度調(diào)控。在此技術(shù)方案中A族氣體輸送孔道1直接穿噴淋頭塊體M上、下，構(gòu)成一種水平+垂直進(jìn)氣結(jié)構(gòu)。附圖4給出的是一種三層結(jié)構(gòu)的MOCVD噴淋均勻性的裝置設(shè)計(jì)原理，頂層為A族進(jìn)氣，中間層為B族進(jìn)氣，底層為水冷層，這種模式下，由于頂層A族空間對(duì)進(jìn)氣接口基本無約束，故可將進(jìn)氣口 7或者7’選擇開設(shè)在頂部或側(cè)面，但進(jìn)入A族空間后，氣流都沿垂直微孔通道4向下均勻噴射；而B族空間則選擇在側(cè)面進(jìn)氣，在將B族氣體由噴淋頭M側(cè)面進(jìn)入 B族氣體輸送孔道2后通過與該氣體輸送孔道相垂直設(shè)置的微孔通道4’向下均勻噴射。實(shí)施“垂直+水平”進(jìn)氣模式時(shí)，所述的噴淋頭可以在噴淋頭的上部塊體增設(shè)一上端蓋8，構(gòu)成三層結(jié)構(gòu)形式。在這種設(shè)計(jì)原理下，這種“垂直+水平”進(jìn)氣模式可以形成四種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置。圖8和圖10給出的這兩種“垂直+水平”進(jìn)氣模式實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置， 所述該裝置的噴淋頭M塊體上部通過增設(shè)的帶有進(jìn)氣口 N的上端蓋8構(gòu)成“垂直+水平”進(jìn)氣、水平進(jìn)水模式。其中輸送A族氣體的微孔通道4直接貫穿噴淋頭體上下，通過設(shè)置在上端蓋8頂部或者側(cè)邊的A族氣體進(jìn)口 N與A族氣體氣源連通；B族氣體輸送孔道2則呈平行設(shè)于噴淋頭M的上部塊體內(nèi)，所述的冷卻水輸送孔道3設(shè)于噴淋頭M體的下部塊體內(nèi)，并穿插設(shè)置在所述A族氣體輸送孔道1、B族氣體輸送孔道2向下延伸的每相鄰兩組微孔通道4、微孔通道4’之間，實(shí)現(xiàn)對(duì)相鄰微孔通道4、微孔通道4’內(nèi)的過流氣體的溫度調(diào)控。在上述這兩種裝置中，A族氣體輸送孔道、B族氣體輸送孔道2的設(shè)計(jì)位置可以互換。圖9和圖11給出的另外兩種“垂直+水平”實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，所述該裝置噴淋頭M塊體上部通過增設(shè)的帶有進(jìn)氣口 N的上端蓋8構(gòu)成“垂直+水平”進(jìn)氣、水平進(jìn)水模式，并在上端蓋8構(gòu)成的腔體內(nèi)增設(shè)一塊均化隔板9，并在均化隔板，9以上的上端蓋8的頂部或側(cè)邊設(shè)有進(jìn)氣口 N。其中輸送A族氣體的微孔通道4直接貫穿噴淋頭體上下，通過設(shè)置在上端蓋8頂部或者側(cè)邊的A族氣體進(jìn)口 N與A族氣體氣源連通；B族氣體輸送孔道2則呈平行設(shè)于噴淋頭M的上部塊體內(nèi)，所述的冷卻水輸送孔道3設(shè)于噴淋頭M體的下部塊體內(nèi)，且穿插設(shè)置在輸送A族氣體的微孔通道4、B族氣體輸送孔道2向下延伸的每相鄰兩組微孔通道4、微孔通道4’之間，實(shí)現(xiàn)對(duì)相鄰微孔通道4、微孔通道4’內(nèi)的過流氣體的溫度調(diào)控。在這兩種裝置中，A族氣體輸送孔道與合并成微孔通道4，同時(shí)B族氣體輸送孔道 2與A族氣體輸送孔道可以互換。
這種帶均化隔板9的實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，通過均化隔板9的作用使自進(jìn)氣口 N進(jìn)入均化隔板9上部的A族氣體或B族氣體能夠比較均勻地進(jìn)入貫通噴淋頭M的微孔通道4或微孔通道4’，進(jìn)一步提高進(jìn)入氣體的均勻度。在實(shí)際應(yīng)用中，按照上述原理設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，不僅可用于兩種不同介質(zhì)流體的噴淋，也可以通過相同的結(jié)構(gòu)原理，設(shè)計(jì)出應(yīng)用于兩種以上的多種流體介質(zhì)的噴淋需要。以上各實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而非限制本發(fā)明所闡述的技術(shù)方案，并不局限于以上的形式，還可以對(duì)本發(fā)明在主體設(shè)計(jì)原理進(jìn)行修改或等同的替換；一切不脫離本發(fā)明創(chuàng)意主體的技術(shù)方案及其改進(jìn)，都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于通過微孔設(shè)計(jì)布局在噴淋頭中構(gòu)建分別用于同時(shí)輸送A族氣體、B族氣體和冷卻水三種流體的兩層或三層獨(dú)立空間孔道，使每一層獨(dú)立空間孔道延伸至噴淋頭體表面構(gòu)成與外部供氣源和冷卻水分別連接的接口 ；同時(shí)，通過分別設(shè)計(jì)在A族氣體輸送孔道(1)和B族氣體輸送孔道O)內(nèi)底部設(shè)置的通達(dá)噴淋頭底面(5)的微孔通道(4、4’)，構(gòu)成能充分實(shí)現(xiàn)“流速均勻”、“組分均勻”、“溫度均勻” 的MOCVD噴淋出口的噴射面。
2.如權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于所述的A族氣體輸送孔道(1)、B族氣體輸送孔道( 呈平行、間隔狀態(tài)設(shè)于噴淋頭(M)的上部塊體內(nèi)， 所述的冷卻水輸送孔道C3)設(shè)于噴淋頭(M)下部塊體內(nèi)，構(gòu)成水平+水平上層進(jìn)氣、下層過水的兩層結(jié)構(gòu)模式；同時(shí)，將所述的冷卻水輸送孔道C3)穿插設(shè)置在所述A族氣體輸送孔道 (1)、B族氣體輸送孔道(2)向下延伸的每相鄰兩組微孔通道G、4’)之間，實(shí)現(xiàn)對(duì)相鄰微孔通道(4、4’ )內(nèi)的過流氣體的溫度調(diào)控。
3.如權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于所述的B族氣體輸送孔道( 呈平行狀態(tài)設(shè)于噴淋頭(M)的上部塊體，所述的冷卻水輸送孔道(3)設(shè)于噴淋頭(M)下部塊體內(nèi)，所述的A族氣體輸送孔道(1)直接貫穿噴淋頭塊體上下，構(gòu)成一種“垂直+水平”進(jìn)氣和水平進(jìn)水結(jié)構(gòu)模式。
4.如權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于在噴淋頭(M) 上部增設(shè)一帶有頂部進(jìn)氣口(7)或水平進(jìn)氣口(7’)的上端蓋(8)，形成上部空腔，所述的B 族氣體輸送孔道( 呈平行狀態(tài)設(shè)于噴淋頭(M)的上部塊體內(nèi)，所述的冷卻水輸送孔道(3) 設(shè)于噴淋頭(M)體的下部塊體內(nèi)，所述的A族氣體輸送孔道為直接貫穿噴淋頭上下的微孔通道G)，它與B族氣體微孔通道相間隔設(shè)置，并與上端蓋內(nèi)腔相通，由此構(gòu)成垂直+水平進(jìn)氣、下層過水的三層結(jié)構(gòu)模式；同時(shí)，將所述的冷卻水輸送孔道C3)穿插設(shè)置在所述A族氣體輸送孔道(1)、B族氣體輸送孔道(2)向下延伸的每相鄰兩組微孔通道(4、4’ )之間，實(shí)現(xiàn)對(duì)相鄰微孔通道(4、4’ )內(nèi)的過流氣體的溫度調(diào)控。
5.如權(quán)利要求1或3所述的一種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于所述的上端蓋(8)與噴淋頭(M)形成的空腔內(nèi)設(shè)有一均化隔板(9)，并在均化隔板(9)以上的上端蓋(8)的頂部或側(cè)邊設(shè)有進(jìn)氣口(N)。
6.如權(quán)利要求1所述的一種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于用于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)或其它類似技術(shù)領(lǐng)域。
全文摘要
一種實(shí)現(xiàn)MOCVD噴淋均勻性的裝置，其特征在于通過微孔設(shè)計(jì)布局在噴淋頭中構(gòu)建分別用于同時(shí)輸送A族氣體、B族氣體和冷卻水三種流體的兩層或三層獨(dú)立空間孔道，使每一層獨(dú)立空間孔道延伸至噴淋頭體表面構(gòu)成與外部供氣源和冷卻水分別連接的接口；同時(shí)，通過分別設(shè)計(jì)在A族氣體輸送孔道(1)和B族氣體輸送孔道(2)內(nèi)底部設(shè)置的通達(dá)噴淋頭底面(5)的微孔通道(4、4’)，構(gòu)成能充分實(shí)現(xiàn)“流速均勻”、“組分均勻”、“溫度均勻”的MOCVD噴淋出口的噴射面。
文檔編號(hào)C23C16/455GK102352493SQ20111036254
公開日2012年2月15日 申請(qǐng)日期2011年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日
發(fā)明者張瑜, 龔岳俊 申請(qǐng)人:上海卓銳材料科技有限公司