一種微合金工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種微合金工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下：打開合金爐，將合金爐的氣壓調(diào)整到45-55psi，將合金爐的溫度升至300℃，穩(wěn)定10分鐘；將芯片放至載片臺(tái)上，將載片臺(tái)載入合金爐內(nèi)；微合金過程如下：預(yù)熱1.5min→恒溫8min→爐口冷卻2.5min→爐外冷卻3min；合金完后，退出合金爐，將芯片取出。發(fā)明的有益效果是：本工藝通過對(duì)微合金的工藝進(jìn)行改進(jìn)，增加了微合金的穩(wěn)定性，減少掉電極的現(xiàn)象，從而提高了產(chǎn)品的良率。
【專利說明】一種微合金工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種微合金工藝，屬于光電子領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]微合金技術(shù)是LED生產(chǎn)過程中必不可少的工藝步驟，微合金工藝的優(yōu)劣直接決定了 LED芯片電極的可靠性及牢固性，而目前由于微合金工藝存在的一些缺陷，導(dǎo)致微合金后批量出現(xiàn)掉電極等現(xiàn)象，造成生產(chǎn)成本的浪費(fèi)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種微合金工藝。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種微合金工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下:
Cl)打開合金爐，將合金爐的氣壓調(diào)整到45-55psi，將合金爐的溫度升至300°C，穩(wěn)定10分鐘；
(2)將芯片放至載片臺(tái)上，將載片臺(tái)載入合金爐內(nèi)；
(3)微合金過程如下:預(yù)熱1.5min —恒溫8min —爐口冷卻2.5min —爐外冷卻3min ；
(4)合金完后,退出合金爐,將芯片取出。
[0004]本發(fā)明的有益效果是:本工藝通過對(duì)微合金的工藝進(jìn)行改進(jìn)，增加了微合金的穩(wěn)定性，減少掉電極的現(xiàn)象，從而提聞了廣品的良率。
【具體實(shí)施方式】
[0005]以下對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0006]一種微合金工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下:
Cl)打開合金爐，將合金爐的氣壓調(diào)整到45-55psi，將合金爐的溫度升至300°C，穩(wěn)定10分鐘；
(2)將芯片放至載片臺(tái)上，將載片臺(tái)載入合金爐內(nèi)；
(3)微合金過程如下:預(yù)熱1.5min —恒溫8min —爐口冷卻2.5min —爐外冷卻3min ；
(4)合金完后,退出合金爐,將芯片取出。
[0007]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種微合金工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下:打開合金爐，將合金爐的氣壓調(diào)整到45-55psi，將合金爐的溫度升至300°C，穩(wěn)定10分 鐘；將芯片放至載片臺(tái)上，將載片臺(tái)載入合金爐內(nèi)；微合金過程如下:預(yù)熱1.5min —恒溫8min —爐口冷卻2.5min —爐外冷卻3min ；合金完后，退出合金爐，將芯片取出。
【文檔編號(hào)】C23C10/00GK103811594SQ201210456755
【公開日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月15日
【發(fā)明者】毛華軍 申請(qǐng)人:毛華軍