技術(shù)特征：

1.一種自清潔用氮摻雜二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

（1）清洗玻璃基片，后用高壓N₂吹干；

（2）采用反應(yīng)離子束技術(shù)對(duì)所述玻璃基片表面進(jìn)行刻蝕，使所述玻璃基片表面具有凹凸不平的微結(jié)構(gòu)；

（3）采用磁控濺射技術(shù)，在所述玻璃基片表面的微結(jié)構(gòu)上沉積氮摻雜二氧化鈦薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自清潔用氮摻雜二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）清洗玻璃基片，包括先用丙酮超聲20min，再用酒精超聲20min，最后用去離子水超聲20min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自清潔用氮摻雜二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中的刻蝕氣體為Ar和三氟甲烷的混合氣體，其流量比為1：1.5～3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自清潔用氮摻雜二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）采用的反應(yīng)離子束刻蝕設(shè)備，本底真空≤6×10^-3Pa；工作壓強(qiáng)為4～8×10^-1Pa；離子束流能量為350～450eV；束流為60～80mA；加速電壓200～300V；入射角為20～40°；刻蝕時(shí)間5～8min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自清潔用氮摻雜二氧化鈦薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中磁控濺射鍍氮摻雜二氧化鈦薄膜中，本底真空≤6×10^-4Pa；工作壓強(qiáng)4～8×10^-1Pa；射頻濺射功率150～200W；靶材為TiO₂陶瓷靶；濺射工藝氣體Ar流量20～30sccm；反應(yīng)氣體N₂流量4～8sccm；膜層厚度400～600nm。