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多功能卷繞鍍膜設備的制造方法

文檔序號:11020608閱讀:1078來源:國知局
多功能卷繞鍍膜設備的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開一種多功能卷繞鍍膜設備,真空室的離子處理區(qū)上方設置離子處理機構,鍍膜區(qū)內設置磁控濺射鍍膜機構和條形電子發(fā)射裝置,鍍膜區(qū)下方設有e型電子槍鍍膜機構,鍍膜區(qū)一側設有直式電子槍鍍膜機構,坩堝設于e型電子槍鍍膜機構下方,卷繞機構設于真空室內。其方法是先在真空室中安裝e型電子槍鍍膜機構、磁控濺射鍍膜機構或直式電子槍鍍膜機構中的一種,柔性基材通過卷繞機構在真空室內進行輸送,通過離子處理機構對柔性基材進行表面處理,再通過已安裝好的鍍膜機構對柔性基材進行表面鍍膜。本多功能卷繞鍍膜設備集成度高,設備成本低,占用空間也小,使用靈活而方便。
【專利說明】
多功能卷繞鍍膜設備
技術領域
[0001]本實用新型涉及柔性基材鍍膜技術領域,特別涉及一種多功能卷繞鍍膜設備。
【背景技術】
[0002]目前,柔性基材的鍍膜工藝主要有e型電子槍蒸鍍法、直式電子槍蒸鍍法以及磁控濺射法等。在傳統(tǒng)的鍍膜工藝中,都是采用單一功能的鍍膜裝置來進行膜層鍍制的,遇到不同性質的膜層材料時,需采用不同類型的鍍膜機構來獲得。如:對于高熔點粉末或顆粒材料,需采用e型電子槍蒸鍍法來獲得;對于比e型槍要求更大功率、更大掃描幅度的材料,需采用直式電子槍蒸鍍法來獲得;對于金屬或絕緣物、基材溫升要求小的材料,需采用磁控濺射法來獲得。對于大批量的柔性基材鍍膜生產來說,上述的傳統(tǒng)方式使用方便,加工效率也高。然而,對于小產量的生產或實驗室的開發(fā)研究工作來說,傳統(tǒng)的加工方式并不適用,一次實驗可能需要配備多套設備才能完成,其設備成本相當高,占用的空間也大。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足,針對柔性基材的小產量鍍膜加工或實驗室需要,提供一種集成度高、設備成本較低的多功能卷繞鍍膜設備。
[0004]本實用新型的技術方案為:一種多功能卷繞鍍膜設備,包括真空室、卷繞機構、離子處理機構、e型電子槍鍍膜機構、磁控派射鍍膜機構、直式電子槍鍍膜機構和條形電子發(fā)射裝置,真空室內設有離子處理區(qū)和鍍膜區(qū),離子處理區(qū)上方設置離子處理機構,鍍膜區(qū)內設置磁控濺射鍍膜機構和條形電子發(fā)射裝置,鍍膜區(qū)下方設有e型電子槍鍍膜機構,鍍膜區(qū)一側設有直式電子槍鍍膜機構,與直式電子槍鍍膜機構相配合的坩禍設于e型電子槍鍍膜機構下方,卷繞機構設于真空室內,柔性基材設于卷繞機構上。
[0005]所述真空室的主體為橫置的圓筒狀結構,主體一側的下部開口并向下延伸有一段直管體,e型電子槍鍍膜機構安裝于直管體內。即真空室的主體及下部直管體形成中空的“q”形結構。
[0006]所述直管體的一側設有向上傾斜延伸的側管體,直式電子槍鍍膜機構通過側管體安裝于真空室一側。與直式電子槍鍍膜機構相配合的坩禍位于直管體中的e型電子槍鍍膜機構安裝處,直式電子槍鍍膜機構從側管體中照射至直管體中的坩禍,使坩禍內的膜層材料產生蒸發(fā),從而對鍍膜區(qū)內的柔性基材表面進行鍍膜。
[0007]所述直管體一側位于側管體下方處設有活動小門,e型電子槍鍍膜機構設于活動小門內側?;顒有¢T的設置可方便e型電子槍鍍膜機構及坩禍的裝卸及維護。
[0008]所述卷繞機構包括放卷輥、收卷輥、水冷輥、導輥和張力檢測輥,放卷輥和收卷輥設于真空室的一側,水冷輥設于真空室的另一側,柔性基材依次卷繞于放卷輥、水冷輥和收卷輥上,放卷輥與水冷輥之間以及收卷輥與水冷輥之間分別設有導輥和張力檢測輥。
[0009]所述磁控濺射鍍膜機構和條形電子發(fā)射裝置分別設于水冷輥下方。
[0010]所述真空室的外側還設有膜厚檢測機構,膜厚檢測機構與直式電子槍鍍膜機構相平行設置。
[0011]所述坩禍上方還設有水冷擋板。預熔時關閉水冷擋板,可防止膜層材料的氧化物污染柔性基材。
[0012]通過上述設備實現(xiàn)的多功能卷繞鍍膜方法,包括以下步驟:
[0013](I)根據(jù)實際鍍膜工藝的需要,在真空室中安裝e型電子槍鍍膜機構、磁控濺射鍍膜機構或直式電子槍鍍膜機構中的一種;
[0014](2)柔性基材通過卷繞機構在真空室內進行輸送,輸送過程中,柔性基材先經過離子處理區(qū),通過離子處理機構對柔性基材進行表面處理,然后再送入鍍膜區(qū),由已安裝好的鍍膜機構對柔性基材進行表面鍍膜。
[0015]其中,在所述步驟(I)中,在真空室中安裝直式電子槍鍍膜機構時,還可以在鍍膜區(qū)中安裝條形電子發(fā)射裝置,直式電子槍鍍膜機構帶條形電子發(fā)射裝置同時使用,可在膜層附著時同時加熱,實現(xiàn)膜層結晶狀態(tài)改變,獲得更高質量的膜層;在真空室中安裝磁控濺射鍍膜機構的同時,還可以在鍍膜區(qū)中安裝同步式掩膜機構,磁控濺射鍍膜機構帶同步式掩膜機構同時使用,可實現(xiàn)掩膜鍍膜,節(jié)省后續(xù)膜層刻蝕工序。
[0016]上述多功能卷繞鍍膜設備使用時,可通過在真空室外配備分子栗或擴散栗等抽真空機組,在安裝好卷繞機構、鍍膜機構及離子處理機構后,實現(xiàn)對真空室進行抽真空,抽真空機組采用現(xiàn)有設備通用的抽真空機組即可。
[0017]上述多功能卷繞鍍膜設備中,離子處理機構、e型電子槍鍍膜機構、磁控濺射鍍膜機構、直式電子槍鍍膜機構、條形電子發(fā)射裝置和同步式掩膜機構均可采用相應的傳統(tǒng)結構即可。
[0018]本實用新型相對于現(xiàn)有技術,具有以下有益效果:
[0019]本多功能卷繞鍍膜設備及方法通過在單一的真空室中設置多種鍍膜機構的安裝位置,根據(jù)實際的工藝需要選擇相應的鍍膜機構進行安裝后使用,其設備集成度高,設備成本低,占用空間也小,使用靈活而方便,尤其適用于實驗室研究使用或小產量加工的鍍膜工
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【附圖說明】

[0020]圖1為本多功能卷繞鍍膜設備的整體結構示意圖。
[0021]圖2為本多功能卷繞鍍膜設備實施例1的結構示意圖。
[0022]圖3為本多功能卷繞鍍膜設備實施例2的結構示意圖。
[0023]圖4為本多功能卷繞鍍膜設備實施例3的結構示意圖。
[0024]圖5為本多功能卷繞鍍膜設備實施例4的結構示意圖。
[0025]圖6為本多功能卷繞鍍膜設備實施例5的結構示意圖。
[0026]上述各圖中,I為真空室,2為放卷輥,3為離子處理機構,4為水冷輥,5為張力檢測輥,6為導輥,7為收卷輥,8為磁控濺射鍍膜機構,9為同步式掩膜機構,10為e型電子槍鍍膜機構,11為直式電子槍鍍膜機構,12為水冷擋板,13為坩禍,14為膜厚檢測機構,15為活動小門,16為條形電子發(fā)射機構,17為離子處理區(qū),18為鍍膜區(qū),19為直管體,20為側管體。
【具體實施方式】
[0027]下面結合實施例,對本實用新型作進一步的詳細說明,但本實用新型的實施方式不限于此。
[0028]實施例1
[0029]本實施例的多功能卷繞鍍膜設備采用e型電子槍蒸鍍法對柔性基材進行表面鍍膜加工。
[0030]多功能卷繞鍍膜設備的整體結構如圖1所示,包括真空室、卷繞機構、離子處理機構、e型電子槍鍍膜機構、磁控派射鍍膜機構、直式電子槍鍍膜機構、條形電子發(fā)射裝置和同步式掩膜機構,真空室內設有離子處理區(qū)和鍍膜區(qū),離子處理區(qū)上方設置離子處理機構,鍍膜區(qū)內設置磁控濺射鍍膜機構、條形電子發(fā)射裝置和同步式掩膜機構,鍍膜區(qū)下方設有e型電子槍鍍膜機構,鍍膜區(qū)一側設有直式電子槍鍍膜機構,與直式電子槍鍍膜機構相配合的坩禍設于e型電子槍鍍膜機構下方,卷繞機構設于真空室內,柔性基材設于卷繞機構上。
[0031]其中,真空室的主體為橫置的圓筒狀結構,主體一側的下部開口并向下延伸有一段直管體,e型電子槍鍍膜機構安裝于直管體內。即真空室的主體及下部直管體形成中空的“q”形結構。直管體的一側設有向上傾斜延伸的側管體,直式電子槍鍍膜機構通過側管體安裝于真空室一側。與直式電子槍鍍膜機構相配合的坩禍位于直管體中的e型電子槍鍍膜機構安裝處,直式電子槍鍍膜機構從側管體中照射至直管體中的坩禍,使坩禍內的膜層材料產生蒸發(fā),從而對鍍膜區(qū)內的柔性基材表面進行鍍膜。直管體一側位于側管體下方處設有活動小門,e型電子槍鍍膜機構設于活動小門內側?;顒有¢T的設置可方便e型電子槍鍍膜機構及坩禍的裝卸及維護。
[0032]卷繞機構包括放卷輥、收卷輥、水冷輥、導輥和張力檢測輥,放卷輥和收卷輥設于真空室的一側,水冷輥設于真空室的另一側,柔性基材依次卷繞于放卷輥、水冷輥和收卷輥上,放卷輥與水冷輥之間以及收卷輥與水冷輥之間分別設有導輥和張力檢測輥。磁控濺射鍍膜機構、條形電子發(fā)射裝置和同步式掩膜機構分別設于水冷輥下方。真空室的外側還設有膜厚檢測機構,膜厚檢測機構與直式電子槍鍍膜機構相平行設置。
[0033]根據(jù)e型電子槍蒸鍍法的工藝需求,本實施例的多功能卷繞鍍膜設備結構如圖2所示,在真空室的鍍膜區(qū)下部安裝e型電子槍鍍膜機構。使用時,柔性基材通過卷繞機構在真空室內進行輸送,輸送過程中,柔性基材先經過離子處理區(qū),通過離子處理機構對柔性基材進行表面處理,然后再送入鍍膜區(qū),由e型電子槍鍍膜機構對柔性基材進行表面鍍膜。
[0034]實施例2
[0035]本實施例的多功能卷繞鍍膜設備采用磁控濺射法對柔性基材表面進行鍍膜加工。多功能卷繞鍍膜設備的結構如圖3所示,與實施例1相比,其不同之處在于:根據(jù)磁控濺射法的工藝需求,在真空室的鍍膜區(qū)內安裝磁控濺射鍍膜機構,使用時,柔性基材通過卷繞機構在真空室內進行輸送,輸送過程中,柔性基材先經過離子處理區(qū),通過離子處理機構對柔性基材進行表面處理,然后再送入鍍膜區(qū),由磁控濺射鍍膜機構對柔性基材進行表面鍍膜。
[0036]實施例3
[0037]本實施例的多功能卷繞鍍膜設備采用磁控濺射法對柔性基材表面進行鍍膜加工。多功能卷繞鍍膜設備的結構如圖4所示,與實施例2相比較,其不同之處在于:在真空室中安裝磁控濺射鍍膜機構的同時,同時在鍍膜區(qū)中安裝同步式掩膜機構,磁控濺射鍍膜機構帶同步式掩膜機構同時使用,可實現(xiàn)掩膜鍍膜,節(jié)省后續(xù)膜層刻蝕工序。
[0038]實施例4
[0039]本實施例的多功能卷繞鍍膜設備采用直式電子槍蒸鍍法對柔性基材表面進行鍍膜加工。多功能卷繞鍍膜設備的結構如圖5所示,與實施例1相比較,其不同之處在于:根據(jù)直式電子槍蒸鍍法的工藝需求,在真空室的一側安裝直式電子槍鍍膜機構,并在鍍膜區(qū)下方安裝坩禍,同時,坩禍上方還設有水冷擋板。預熔時關閉水冷擋板,可防止膜層材料的氧化物污染柔性基材。使用時,柔性基材通過卷繞機構在真空室內進行輸送,輸送過程中,柔性基材先經過離子處理區(qū),通過離子處理機構對柔性基材進行表面處理,然后再送入鍍膜區(qū),直式電子槍鍍膜機構對柔性基材進行表面鍍膜。
[0040]實施例5
[0041]本實施例的多功能卷繞鍍膜設備采用直式電子槍蒸鍍法對柔性基材表面進行鍍膜加工。多功能卷繞鍍膜設備的結構如圖6所示,與實施例4相比較,其不同之處在于:在真空室中安裝直式電子槍鍍膜機構的同時,還在鍍膜區(qū)中安裝條形電子發(fā)射裝置,直式電子槍鍍膜機構帶條形電子發(fā)射裝置同時使用,可在膜層附著時同時加熱,實現(xiàn)膜層結晶狀態(tài)改變,獲得更高質量的膜層。
[0042]如上所述,便可較好地實現(xiàn)本實用新型,上述實施例僅為本實用新型的較佳實施例,并非用來限定本實用新型的實施范圍;即凡依本【實用新型內容】所作的均等變化與修飾,都為本實用新型權利要求所要求保護的范圍所涵蓋。
【主權項】
1.多功能卷繞鍍膜設備,其特征在于,包括真空室、卷繞機構、離子處理機構、e型電子槍鍍膜機構、磁控濺射鍍膜機構、直式電子槍鍍膜機構和條形電子發(fā)射裝置,真空室內設有離子處理區(qū)和鍍膜區(qū),離子處理區(qū)上方設置離子處理機構,鍍膜區(qū)內設置磁控濺射鍍膜機構和條形電子發(fā)射裝置,鍍膜區(qū)下方設有e型電子槍鍍膜機構,鍍膜區(qū)一側設有直式電子槍鍍膜機構,與直式電子槍鍍膜機構相配合的坩禍設于e型電子槍鍍膜機構下方,卷繞機構設于真空室內,柔性基材設于卷繞機構上。2.根據(jù)權利要求1所述的多功能卷繞鍍膜設備,其特征在于,所述真空室的主體為橫置的圓筒狀結構,主體一側的下部開口并向下延伸有一段直管體,e型電子槍鍍膜機構安裝于直管體內。3.根據(jù)權利要求2所述的多功能卷繞鍍膜設備,其特征在于,所述直管體的一側設有向上傾斜延伸的側管體,直式電子槍鍍膜機構通過側管體安裝于真空室一側。4.根據(jù)權利要求3所述的多功能卷繞鍍膜設備,其特征在于,所述直管體一側位于側管體下方處設有活動小門,e型電子槍鍍膜機構設于活動小門內側。5.根據(jù)權利要求1所述的多功能卷繞鍍膜設備,其特征在于,所述卷繞機構包括放卷輥、收卷輥、水冷輥、導輥和張力檢測輥,放卷輥和收卷輥設于真空室的一側,水冷輥設于真空室的另一側,柔性基材依次卷繞于放卷輥、水冷輥和收卷輥上,放卷輥與水冷輥之間以及收卷輥與水冷輥之間分別設有導輥和張力檢測輥。6.根據(jù)權利要求5所述的多功能卷繞鍍膜設備,其特征在于,所述磁控濺射鍍膜機構和條形電子發(fā)射裝置分別設于水冷輥下方。7.根據(jù)權利要求1所述的多功能卷繞鍍膜設備,其特征在于,所述真空室的外側還設有膜厚檢測機構,膜厚檢測機構與直式電子槍鍍膜機構相平行設置。8.根據(jù)權利要求1所述的多功能卷繞鍍膜設備,其特征在于,所述坩禍上方還設有水冷擋板。
【文檔編號】C23C14/35GK205710897SQ201620665357
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月27日
【發(fā)明人】朱文廓, 朱剛勁, 朱剛毅
【申請人】廣東騰勝真空技術工程有限公司
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