本實(shí)用新型涉及濺射鍍膜領(lǐng)域，特別是涉及一種磁控濺射鍍膜裝置。

背景技術(shù)：

磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片的過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜的過(guò)程，即為濺射鍍膜。現(xiàn)有的磁控濺射鍍膜裝置在形成的鍍膜層均勻性上還存在均勻性差，穩(wěn)定性差的問(wèn)題。

本實(shí)用新型就是在現(xiàn)有的磁控濺射鍍膜裝置的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，創(chuàng)設(shè)的一種鍍膜效果好的新的磁控濺射鍍膜裝置，成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種磁控濺射鍍膜裝置，使其鍍膜效果好且容易控制，從而克服現(xiàn)有的磁控濺射鍍膜裝置的不足。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種磁控濺射鍍膜裝置，包括磁控鍍膜室和設(shè)置于所述磁控鍍膜室中的靶材和基片，所述靶材和基片之間設(shè)置有濺射窗以及設(shè)置在所述濺射窗兩側(cè)的修正板，所述修正板用于調(diào)節(jié)從所述濺射窗窗口穿過(guò)并沉積到所述基片表面的靶材粒子量。

作為本實(shí)用新型的一種改進(jìn)，所述修正板可調(diào)節(jié)的設(shè)置于所述濺射窗上。

進(jìn)一步改進(jìn)，所述濺射窗包括窗體、分別設(shè)置于所述窗體兩側(cè)的固定架和分別設(shè)置在所述兩個(gè)固定架上的兩個(gè)所述修正板。

進(jìn)一步改進(jìn)，所述固定架上開(kāi)設(shè)有多條平行設(shè)置的水平調(diào)節(jié)孔，所述修正板通過(guò)螺栓可水平滑動(dòng)的設(shè)置在所述水平調(diào)節(jié)孔中。

進(jìn)一步改進(jìn)，所述修正板上與所述水平調(diào)節(jié)孔連接端設(shè)有連接條，所述連接條上設(shè)有豎向調(diào)節(jié)孔，所述修正板通過(guò)在所述豎向調(diào)節(jié)孔中的位置固定可調(diào)節(jié)其在所述濺射窗窗口區(qū)域的形狀。

進(jìn)一步改進(jìn)，所述修正板為半圓形或類(lèi)半圓形結(jié)構(gòu)，其圓弧形部分朝向所述濺射窗窗口方向設(shè)置。

進(jìn)一步改進(jìn)，所述兩個(gè)修正板分別設(shè)置在所述濺射窗窗口的下部?jī)蓚?cè)。

采用這樣的設(shè)計(jì)后，本實(shí)用新型至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本實(shí)用新型磁控濺射鍍膜裝置通過(guò)設(shè)置修正板，可調(diào)整靶材粒子濺射區(qū)域，使在基片上形成的鍍膜層具有良好的均勻性。

本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置可水平和垂直調(diào)節(jié)的修正板，實(shí)現(xiàn)靈活快捷的調(diào)節(jié)從濺射窗窗口穿過(guò)并沉積到基片表面的靶材粒子量，使其制成的鍍膜層均勻性較現(xiàn)有基片鍍膜層的均勻性提高30％左右。

附圖說(shuō)明

上述僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，以下結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。

圖1是本實(shí)用新型磁控濺射鍍膜裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型磁控濺射鍍膜裝置的主視圖。

圖3是本實(shí)用新型磁控濺射鍍膜裝置的俯視圖。

具體實(shí)施方式

參照附圖1至3所示，本實(shí)用新型磁控濺射鍍膜裝置，包括磁控鍍膜室和設(shè)置于該磁控鍍膜室中的靶材6和基片5。該靶材6和基片5之間設(shè)置有濺射窗以及設(shè)置在該濺射窗兩側(cè)的修正板3，該修正板3用于調(diào)節(jié)從該濺射窗窗口穿過(guò)并沉積到該基片5表面的靶材粒子量。

本實(shí)施例中濺射窗包括窗體1、分別設(shè)置于該窗體1兩側(cè)的固定架2和分別設(shè)置在該兩個(gè)固定架2上的兩個(gè)該修正板3。該修正板3為半圓形或類(lèi)半圓形結(jié)構(gòu)，其圓弧形部分朝向該濺射窗窗口方向設(shè)置。

較優(yōu)實(shí)施例為，該兩個(gè)修正板3分別可調(diào)節(jié)的設(shè)置在該濺射窗窗口的下部?jī)蓚?cè)。具體結(jié)構(gòu)為：該固定架2上開(kāi)設(shè)有多條平行設(shè)置的水平調(diào)節(jié)孔7，該修正板3通過(guò)螺栓可水平滑動(dòng)的設(shè)置在該水平調(diào)節(jié)孔7中，這樣兩個(gè)相對(duì)設(shè)置的修正板3均可通過(guò)水平移動(dòng)調(diào)節(jié)其之間的距離。

為了更靈活的控制該修正板的位置設(shè)置，該修正板3上與該水平調(diào)節(jié)孔7連接端設(shè)有連接條4，該連接條4上設(shè)有豎向調(diào)節(jié)孔8，該修正板3通過(guò)在該豎向調(diào)節(jié)孔8中的位置固定可調(diào)節(jié)其在該濺射窗窗口區(qū)域的形狀，則可更加精確的控制從該濺射窗窗口穿過(guò)并沉積到該基片5表面的靶材粒子量。

本實(shí)用新型磁控濺射鍍膜裝置通過(guò)設(shè)置上述修正板，靈活快捷的調(diào)節(jié)從濺射窗窗口穿過(guò)并沉積到基片表面的靶材粒子量，以使在基片上形成的膜層均勻性更好，其均勻性較不設(shè)修正板的現(xiàn)有基片鍍膜層的均勻性提高30％左右。如以石英晶體頻率片鍍膜散差為例說(shuō)明，在整個(gè)鍍膜有效窗口區(qū)域內(nèi)，晶片未鍍膜前的頻率散差為10PPM，現(xiàn)有濺射鍍膜裝置鍍膜后的頻率散差在150PPM，使用本申請(qǐng)技術(shù)方案后晶片鍍膜后的散差可以控制到約100PPM以?xún)?nèi)。

以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許簡(jiǎn)單修改、等同變化或修飾，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。