本技術(shù)涉及載片托盤領(lǐng)域，具體地，涉及碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有技術(shù)中，ulvac設(shè)備載片托盤取片處沒有豁口，取放片易造成載片劃傷、滑片。且現(xiàn)有ulvac設(shè)備載片托盤晶圓表面與載片托盤表面存在臺階式高度差，從而引起濺射時(shí)晶圓距離邊緣約6mm處區(qū)域膜厚偏薄；ulvac設(shè)備載片托盤凹槽深度小，傳送過程中易導(dǎo)致載片滑出。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提供一種碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置。

2、根據(jù)本實(shí)用新型提供的一種碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置，包括托盤、取放片豁口、凹槽內(nèi)切角以及托盤凹槽，托盤上分別設(shè)有取放片豁口和托盤凹槽，取放片豁口連接托盤凹槽，托盤凹槽上設(shè)有凹槽內(nèi)切角。

3、優(yōu)選的，凹槽內(nèi)切角的切角度數(shù)為30-60°。

4、優(yōu)選的，凹槽內(nèi)切角的切角度數(shù)為45°。

5、優(yōu)選的，取放片豁口位于托盤一側(cè)。

6、優(yōu)選的，取放片豁口寬度為20-40mm、長度為15-25mm、深度為1-2mm。

7、優(yōu)選的，取放片豁口寬度為30mm、長度為20mm、深度為1.5mm。

8、優(yōu)選的，凹槽內(nèi)切角和托盤凹槽的總深度為700um。

9、優(yōu)選的，凹槽內(nèi)切角的深度為350um。

10、優(yōu)選的，托盤凹槽的深度為350um。

11、優(yōu)選的，托盤凹槽位于托盤中間位置。

12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下的有益效果：

13、本實(shí)用新型增加豁口，解決了取放晶圓時(shí)滑出載片托盤的風(fēng)險(xiǎn),減小劃傷的可能，從而提高產(chǎn)品良率；通過凹槽內(nèi)追加切角，解決了載片托盤凹槽加深導(dǎo)致成膜時(shí)晶圓邊緣膜厚偏薄的問題；通過加深載片托盤深度，解決了晶圓因注入后翹曲度過大導(dǎo)致晶圓無法放置在載片托盤的問題。

技術(shù)特征：

1.一種碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置，其特征在于，包括托盤、取放片豁口(1)、凹槽內(nèi)切角(2)以及托盤凹槽(3)，所述托盤上分別設(shè)有所述取放片豁口(1)和所述托盤凹槽(3)，所述取放片豁口(1)連接所述托盤凹槽(3)，所述托盤凹槽(3)上設(shè)有所述凹槽內(nèi)切角(2)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置，其特征在于，所述凹槽內(nèi)切角(2)的切角度數(shù)為30-60°。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置，其特征在于，所述凹槽內(nèi)切角(2)的切角度數(shù)為45°。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置，其特征在于，所述取放片豁口(1)位于所述托盤一側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置，其特征在于，所述取放片豁口(1)寬度為20-40mm、長度為15-25mm、深度為1-2mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置，其特征在于，所述取放片豁口(1)寬度為30mm、長度為20mm、深度為1.5mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置，其特征在于，所述凹槽內(nèi)切角(2)和所述托盤凹槽(3)的總深度為700um。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置，其特征在于，所述凹槽內(nèi)切角(2)的深度為350um。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置，其特征在于，所述托盤凹槽(3)的深度為350um。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置，其特征在于，所述托盤凹槽(3)位于所述托盤中間位置。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種涉及載片托盤領(lǐng)域的碳膜濺射碳化硅載片托盤裝置，包括托盤、取放片豁口、凹槽內(nèi)切角以及托盤凹槽，托盤上分別設(shè)有取放片豁口和托盤凹槽，取放片豁口連接托盤凹槽，托盤凹槽上設(shè)有凹槽內(nèi)切角。本技術(shù)增加豁口，解決了取放晶圓時(shí)滑出載片托盤的風(fēng)險(xiǎn),減小劃傷的可能，從而提高產(chǎn)品良率；通過凹槽內(nèi)追加切角，解決了載片托盤凹槽加深導(dǎo)致成膜時(shí)晶圓邊緣膜厚偏薄的問題；通過加深載片托盤深度，解決了晶圓因注入后翹曲度過大導(dǎo)致晶圓無法放置在載片托盤的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：徐英杰,郭亮,曹繼帥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240715
技術(shù)公布日：2025/5/15