本申請涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種工藝腔室和工藝設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、一些半導(dǎo)體設(shè)備，例如物理氣相沉積(physical?vapor?deposition,pvd)設(shè)備,通過耦接至靶材的源分配腔，將射頻能量饋入至靶材?，F(xiàn)有技術(shù)中，源分配腔上必須設(shè)有開口以使冷卻液進(jìn)出源分配腔的腔體內(nèi)，該開口使得射頻能量的傳輸均勻性受到較大影響，由此導(dǎo)致沉積膜厚度的均勻性變差。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請實施例提出了一種工藝腔室和工藝設(shè)備。相對于現(xiàn)有技術(shù)，電磁波在該工藝腔室的腔體上傳輸?shù)木鶆蛐暂^好，提升了工藝設(shè)備的工藝效果。

2、第一方面，本申請實施例提出了一種工藝腔室，包括腔體，腔體用于傳輸電磁波；至少一個開口，至少一個開口設(shè)置于腔體；至少一個導(dǎo)電件，至少一個導(dǎo)電件數(shù)量小于等于至少一個開口的數(shù)量，每個導(dǎo)電件設(shè)置于至少一個開口中的一個開口內(nèi)，每個導(dǎo)電件的延伸方向與電磁波的傳輸方向一致。

3、本申請實施例中，開口可以開設(shè)在腔體的任意位置，例如中心處，和/或腔體的側(cè)部，和/或腔體的頂部。導(dǎo)電件的延伸方向可以是從開口的一側(cè)至相對的另一側(cè)的方向。通過使導(dǎo)電件的延伸方向與工藝腔室工作時工藝腔室中的電磁波的傳輸方向一致，可以使電磁波能夠沿著導(dǎo)電件的延伸方向輻射，由此減少了開口引起的駐波效應(yīng)，從而保證了電磁波的傳輸均勻性。

4、在第一方面的一種可能的實施方式中，每個導(dǎo)電件包括多個導(dǎo)電條,多個導(dǎo)電條之間均具有間隙。通過使導(dǎo)電件包括多個間隔設(shè)置的導(dǎo)電條，可以使電磁波沿著導(dǎo)電件的延伸方向輻射，保證了電磁波在腔體上的均勻傳輸；通過在導(dǎo)電條之間形成間隙，可以構(gòu)成外來物質(zhì)通往容納腔的通道，使得外來物質(zhì)能夠順暢地進(jìn)入腔體，以滿足工藝設(shè)備的需求。

5、在第一方面的一種可能的實施方式中，每個間隙位于[1mm,5mm]范圍內(nèi)。通過該寬度范圍設(shè)置，可以使得間隙的寬度適中，可以減少了因間隙的寬度過大而導(dǎo)致電磁波駐波效應(yīng)，還可避免間隙的寬度過小而影響外來物質(zhì)經(jīng)間隙進(jìn)入腔體。因此，本實施方式可以兼顧電磁波的均勻傳輸與使外來物質(zhì)順暢通過的目的。

6、在第一方面的一種可能的實施方式中，腔體用于使電磁波從腔體的中心向四周輻射，多個導(dǎo)電條的延長線相交于中心。通過使各個導(dǎo)電條的延長線相交于腔體的中心，可以使得電磁波在腔體中傳播時，可以從中心起沿著各個導(dǎo)電條向四周均勻輻射，可以避免電磁波在腔體內(nèi)某些區(qū)域的過度集中或缺失，從而確保了工藝腔室內(nèi)各個區(qū)域的電磁波強(qiáng)度相對均勻，有利于保證電磁波的傳輸均勻性。

7、在第一方面的一種可能的實施方式中，每個導(dǎo)電條可以具有第一端與第二端，第一端與第二端可以分別為導(dǎo)電條的延伸方向上的相對兩端，腔體的中心、第一端與第二端可以依次排列，從第一端至第二端，每個導(dǎo)電條的寬度可以呈增大趨勢；和/或，每個間隙具有第三端和第四端，第三端與第四端分別為每個間隙的延伸方向上的相對兩端，中心、第三端與第四端依次排列，從第三端至第四端，每個間隙的寬度呈增大趨勢。

8、本實施方式中，逐漸增寬的導(dǎo)電條可以使得電磁波在沿著導(dǎo)電條傳播時，能夠受到逐漸增強(qiáng)的引導(dǎo)，有助于電磁波在工藝腔室內(nèi)形成更加均勻的輻射場，避免了因?qū)щ姉l寬度突變而導(dǎo)致的電磁波散射和能量損失。逐漸增寬的間隙可以為外來物質(zhì)進(jìn)入容納腔提供了更加順暢的通道，提高了外來物質(zhì)的進(jìn)入效率，為電磁波的均勻傳輸創(chuàng)造有利條件。

9、在第一方面的一種可能的實施方式中，至少一個開口設(shè)置于腔體的頂部。將開口設(shè)置于腔體的頂部，可以更有效地控制外來物質(zhì)流入和流出工藝腔室，促進(jìn)外來物質(zhì)的流動和擴(kuò)散。

10、在第一方面的一種可能的實施方式中，至少一個開口包括進(jìn)液口和出液口，進(jìn)液口和出液口沿頂部的周向分布。示例性的，腔體可以呈圓筒狀，腔體的軸線方向垂直于頂部，此時進(jìn)液口與出液口可以沿腔體的周向設(shè)置于頂部。通過使進(jìn)液口與出液口沿頂部的周向分布，有助于外來物質(zhì)在腔體內(nèi)形成均勻的流動路徑，以避免外來物質(zhì)在腔體內(nèi)的某些區(qū)域積聚或流動不暢，從而保證了外來物質(zhì)在整個腔體內(nèi)的均勻分布。另外，還有利于保證電磁波的均勻傳輸。

11、在第一方面的一種可能的實施方式中，至少一個開口均為規(guī)則形狀，規(guī)則形狀的開口可以是具有標(biāo)準(zhǔn)幾何形狀、尺寸、位置、功能等的開口，可以用于標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計和制造。規(guī)則形狀的開口例如為圓形、橢圓形、跑道形或正多邊形等。規(guī)則形狀的開口可以使得電磁波在傳輸過程中遇到更少的阻礙和散射，從而提高電磁波的傳輸效率。另外，由于導(dǎo)電件設(shè)置于開口處，并且其延伸方向與電磁波的傳輸方向一致，當(dāng)開口為規(guī)則形狀時，導(dǎo)電件容易均勻地分布在開口中，從而更好地引導(dǎo)電磁波的傳播，有助于減少電磁波在導(dǎo)電件上的反射和折射，提高了電磁波的傳輸均勻性。

12、在第一方面的一種可能的實施方式中，至少一個開口均為圓形或正多邊形。這可以確保電磁波在通過導(dǎo)電件穿越開口時，各個方向上的傳輸路徑長度相對一致，從而減少了因形狀不規(guī)則而導(dǎo)致的電磁波散射和反射，有助于提高電磁波在工藝腔室內(nèi)的傳輸均勻性。另外，圓形或正多邊形等規(guī)則形狀的開口，使得導(dǎo)電件的兩端的構(gòu)造容易設(shè)計和制造，便于實現(xiàn)導(dǎo)電件的兩端與開口的內(nèi)壁的適配。

13、在第一方面的一種可能的實施方式中，導(dǎo)電件與腔體一體化設(shè)置。一體化設(shè)計可以保證導(dǎo)電件在腔體上的位置精度和機(jī)械可靠性，使得電磁波可以沿預(yù)設(shè)路徑在腔體以及導(dǎo)電件上傳輸，避免了因?qū)щ娂奈恢闷苹蚧蝿佣鴮?dǎo)致的電磁波傳輸不穩(wěn)定或信號損失，有利于保證電磁波的傳輸均勻性。

14、第二方面，本申請實施例提出了一種工藝設(shè)備，包括第一方面所述的工藝腔室，通過在工藝設(shè)備中設(shè)置第一方面所述的工藝腔室，使得工藝設(shè)備在工作時可以產(chǎn)生均勻傳輸?shù)碾姶挪?，有利于保障工藝設(shè)備的良好工藝效果。

技術(shù)特征：

1.一種工藝腔室，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，每個所述導(dǎo)電件包括多個導(dǎo)電條,多個所述導(dǎo)電條之間均具有間隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，每個所述間隙位于[1mm,5mm]范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝腔室，其特征在于，所述腔體用于使所述電磁波從所述腔體的中心向四周輻射，多個所述導(dǎo)電條的延長線相交于所述中心。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的工藝腔室，其特征在于，每個所述導(dǎo)電條具有第一端與第二端，所述第一端與所述第二端分別為每個所述導(dǎo)電條的延伸方向上的相對兩端，所述中心、所述第一端與所述第二端依次排列，從所述第一端至所述第二端，每個所述導(dǎo)電條的寬度呈增大趨勢；

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述至少一個開口設(shè)置于所述腔體的頂部。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的工藝腔室，其特征在于，所述至少一個開口包括進(jìn)液口和出液口，所述進(jìn)液口和所述出液口沿所述頂部的周向分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述至少一個開口均為規(guī)則形狀。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的工藝腔室，其特征在于，所述至少一個開口均為圓形或正多邊形。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項所述的工藝腔室，其特征在于，所述導(dǎo)電件與所述腔體一體化設(shè)置。

11.一種工藝設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至10任一項所述的工藝腔室。

技術(shù)總結(jié)
本申請實施例提供了一種工藝腔室和工藝設(shè)備，工藝腔室包括腔體，腔體用于傳輸電磁波；至少一個開口，至少一個開口設(shè)置于腔體；至少一個導(dǎo)電件，至少一個導(dǎo)電件數(shù)量小于等于至少一個開口的數(shù)量，每個導(dǎo)電件設(shè)置于至少一個開口中的一個開口內(nèi)，每個導(dǎo)電件的延伸方向與電磁波的傳輸方向一致。本申請實施例通過在開口中設(shè)置導(dǎo)電件，并且導(dǎo)電件的延伸方向與工藝腔室中電磁波的傳輸方向一致，使得電磁波能夠沿著導(dǎo)電件的延伸方向傳輸，減少了開口引起的駐波效應(yīng)，提高了電磁波傳輸?shù)木鶆蛐浴?br/>
技術(shù)研發(fā)人員：趙長春,尚君星
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市新凱來工業(yè)機(jī)器有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15