本公開(kāi)涉及濺射設(shè)備、使用濺射設(shè)備形成的顯示裝置和使用濺射設(shè)備的用于在顯示裝置中形成陰極的濺射方法。

背景技術(shù)：

1、隨著多媒體的發(fā)展，顯示裝置變得越來(lái)越重要。因此，正在使用各種類(lèi)型的顯示裝置(諸如液晶顯示(lcd)裝置和有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置)。

2、為了制造顯示裝置，執(zhí)行形成和圖案化多個(gè)薄膜的工藝。為了通過(guò)圖案化薄膜來(lái)形成精細(xì)圖案，必須形成未受損的高質(zhì)量薄膜。根據(jù)薄膜的材料或形成薄膜的目的，有各種形成薄膜的方法，諸如化學(xué)氣相沉積、原子層沉積和濺射。在這些方法之中，濺射是一種真空沉積方法。它是通過(guò)在相對(duì)低的壓力下生成等離子體來(lái)加速氣體(諸如氬氣)使得氣體與標(biāo)靶碰撞以噴射分子從而在附近的基底上形成膜的沉積方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的方面提供了一種具有改善的等離子體密度的濺射設(shè)備、使用濺射設(shè)備形成的顯示裝置和使用濺射設(shè)備的用于在顯示裝置中形成陰極的濺射方法。

2、然而，本公開(kāi)的方面不限于本文闡述的方面。通過(guò)參考下面給出的本公開(kāi)的具體實(shí)施方式，本公開(kāi)的上述和其他方面對(duì)于本公開(kāi)所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更加明顯。

3、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，濺射設(shè)備可以包括：室，顯示裝置放置在室中并且在顯示裝置上執(zhí)行沉積工藝；氣體供應(yīng)部件，將等離子體氣體供應(yīng)到室中；第一標(biāo)靶，設(shè)置在室中并且面向顯示裝置；以及多個(gè)第一磁體構(gòu)件，設(shè)置在第一標(biāo)靶內(nèi)部。第一標(biāo)靶可以包括面向顯示裝置的第一表面和與第一表面相背并且面向多個(gè)第一磁體構(gòu)件的第二表面，并且第一標(biāo)靶還可以包括在第一表面上交替地重復(fù)的多個(gè)空心部(hollow，或凹陷部(depression))和多個(gè)突起部。

4、在實(shí)施例中，第一標(biāo)靶可以具有長(zhǎng)圓柱形形狀，并且第一表面可以具有齒輪形狀。

5、在實(shí)施例中，第一標(biāo)靶可以包括用于形成顯示裝置的陰極的金屬。

6、在實(shí)施例中，第一標(biāo)靶可以包括用于形成透明或半透明薄膜電極的金屬。

7、在實(shí)施例中，第一標(biāo)靶可以用作陰極。

8、在實(shí)施例中，第一標(biāo)靶可以具有通過(guò)第一表面上的多個(gè)突起部中的鄰近突起部形成為彼此面對(duì)的多個(gè)陰極壁。

9、在實(shí)施例中，第一標(biāo)靶可以通過(guò)多個(gè)第一磁體構(gòu)件形成第一磁場(chǎng)，并且等離子體氣體的密度可以在包括在第一磁場(chǎng)中的第一磁場(chǎng)線周?chē)黾印?/p>

10、在實(shí)施例中，第一標(biāo)靶可以通過(guò)多個(gè)陰極壁形成空心陰極效應(yīng)，并且等離子體氣體的密度可以在多個(gè)陰極壁周?chē)黾印?/p>

11、在實(shí)施例中，濺射設(shè)備還可以包括：第二標(biāo)靶，在一方向上與第一標(biāo)靶相鄰；以及多個(gè)第二磁體構(gòu)件，設(shè)置在第二標(biāo)靶內(nèi)部。第二標(biāo)靶可以包括在第二標(biāo)靶的表面上交替地重復(fù)的多個(gè)突起部和多個(gè)空心部。

12、在實(shí)施例中，濺射設(shè)備還可以包括連接到第一標(biāo)靶和第二標(biāo)靶的交流(ac)電源裝置。

13、在實(shí)施例中，顯示裝置可以包括：基底，包括發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域；陽(yáng)極，在基底的發(fā)射區(qū)域上；像素限定層，在基底的非發(fā)射區(qū)域上；第一壩層，在像素限定層上；第二壩層，位于第一壩層上并且包括朝向發(fā)射區(qū)域突出超過(guò)所述第一壩層的側(cè)表面的尖端；發(fā)光層，設(shè)置在陽(yáng)極上并且接觸第一壩層的側(cè)表面；以及陰極，設(shè)置在發(fā)光層上并且接觸第一壩層的側(cè)表面?？梢酝ㄟ^(guò)調(diào)整室內(nèi)部的等離子體氣體的壓力來(lái)調(diào)整陰極與第一壩層的側(cè)表面之間的接觸面積。

14、在實(shí)施例中，第一壩層的側(cè)表面可以包括與發(fā)光層接觸的第一部件和與陰極接觸的第二部件，并且第二部件的面積可以在第一壩層的側(cè)表面的大約10％至大約95％的范圍內(nèi)調(diào)整。

15、根據(jù)實(shí)施例，濺射設(shè)備可以包括：室，顯示裝置放置在室中并且在顯示裝置上執(zhí)行沉積工藝；標(biāo)靶，設(shè)置在室中并且面向顯示裝置；多個(gè)內(nèi)部磁體構(gòu)件，設(shè)置在標(biāo)靶內(nèi)部；以及氣體供應(yīng)部件，將等離子體氣體注入到標(biāo)靶中。標(biāo)靶可以包括完全地穿過(guò)標(biāo)靶的多個(gè)孔。

16、在實(shí)施例中，等離子體氣體可以從標(biāo)靶的內(nèi)部通過(guò)標(biāo)靶的多個(gè)孔釋放到顯示裝置。

17、在實(shí)施例中，標(biāo)靶還可以包括在一方向上彼此鄰近的多個(gè)陰極壁，多個(gè)孔中的一個(gè)介于多個(gè)陰極壁中的對(duì)應(yīng)的相鄰陰極壁之間。

18、在實(shí)施例中，空心陰極效應(yīng)可以形成在多個(gè)陰極壁的相鄰陰極壁之間，并且等離子體氣體的密度在所述多個(gè)陰極壁周?chē)黾印?/p>

19、根據(jù)實(shí)施例，使用濺射設(shè)備的用于在顯示裝置中形成陰極的濺射方法可以包括：使用真空泵將室的內(nèi)部維持在真空狀態(tài)并且通過(guò)氣體供應(yīng)部件注入等離子體氣體；通過(guò)向標(biāo)靶施加陰極電壓在標(biāo)靶周?chē)纬傻入x子體；通過(guò)等離子體氣體濺射標(biāo)靶并且在顯示裝置的陰極上沉積標(biāo)靶的電離粒子；以及通過(guò)經(jīng)由調(diào)整等離子體氣體的壓力調(diào)整標(biāo)靶的電離粒子的直線度來(lái)調(diào)整陰極沉積層的特性。標(biāo)靶可以包括在標(biāo)靶的表面上交替地重復(fù)的多個(gè)突起部和多個(gè)空心部以增加等離子體氣體的密度。

20、在實(shí)施例中，標(biāo)靶還可以包括設(shè)置在標(biāo)靶中的內(nèi)部磁體構(gòu)件，并且等離子體氣體的密度可以通過(guò)由內(nèi)部磁體構(gòu)件形成的磁場(chǎng)而增加。

21、在實(shí)施例中，標(biāo)靶可以具有通過(guò)形成在標(biāo)靶的面向顯示裝置的表面上的多個(gè)突起部中的鄰近突起部而形成為彼此面對(duì)的多個(gè)陰極壁，并且通過(guò)由多個(gè)陰極壁中的鄰近陰極壁形成的空心陰極效應(yīng)，等離子體氣體的密度可以在多個(gè)陰極壁周?chē)黾印?/p>

22、在實(shí)施例中，可以通過(guò)調(diào)整室內(nèi)部的等離子體氣體的壓力來(lái)控制形成陰極的電離粒子的直線度和方向性。

23、應(yīng)注意的是，本公開(kāi)的效果不限于上面描述的那些，并且根據(jù)以下的描述，本公開(kāi)的其他效果對(duì)于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是明顯的。

24、根據(jù)實(shí)施例的濺射裝置可以通過(guò)在標(biāo)靶表面上包括突起部和凹陷部來(lái)改善制造工藝期間的等離子體密度。因此，根據(jù)實(shí)施例的濺射裝置可以容易地形成根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置所需的沉積膜特性。

技術(shù)特征：

1.一種濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射設(shè)備，其中，所述第一標(biāo)靶包括用于形成所述顯示裝置的陰極的金屬。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射設(shè)備，其中，所述第一標(biāo)靶包括用于形成透明或半透明薄膜電極的金屬。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射設(shè)備，其中，所述第一標(biāo)靶用作陰極。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射設(shè)備，其中，所述第一標(biāo)靶具有通過(guò)所述第一表面上的所述多個(gè)突起部中的鄰近突起部形成為彼此面對(duì)的多個(gè)陰極壁。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濺射設(shè)備，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的濺射設(shè)備，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備還包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濺射設(shè)備，其中，

13.一種濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濺射設(shè)備，其中，所述等離子體氣體從所述標(biāo)靶的所述內(nèi)部通過(guò)所述標(biāo)靶的所述多個(gè)孔釋放到所述顯示裝置。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的濺射設(shè)備，其中，所述標(biāo)靶還包括在一方向上彼此鄰近的多個(gè)陰極壁，并且所述多個(gè)孔中的一個(gè)介于所述多個(gè)陰極壁中的對(duì)應(yīng)的相鄰陰極壁之間。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的濺射設(shè)備，其中，

17.一種使用濺射設(shè)備的用于在顯示裝置中形成陰極的濺射方法，其中，所述濺射方法包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的濺射方法，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的濺射方法，其中，

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的濺射方法，其中，通過(guò)調(diào)整所述室內(nèi)部的所述等離子體氣體的所述壓力來(lái)控制形成所述陰極的所述電離粒子的所述直線度和方向性。

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)涉及濺射設(shè)備和使用濺射設(shè)備的用于在顯示裝置中形成陰極的濺射方法。所述濺射設(shè)備包括：室，顯示裝置放置在所述室中并且在所述顯示裝置上執(zhí)行沉積工藝；氣體供應(yīng)部件，將等離子體氣體供應(yīng)到所述室中；第一標(biāo)靶，設(shè)置在所述室中并且面向所述顯示裝置；以及多個(gè)第一磁體構(gòu)件，設(shè)置在所述第一標(biāo)靶內(nèi)部。所述第一標(biāo)靶包括面向所述顯示裝置的第一表面和與所述第一表面相背并且面向所述多個(gè)第一磁體構(gòu)件的第二表面，并且所述第一標(biāo)靶還包括在所述第一表面上交替地重復(fù)的多個(gè)空心部和多個(gè)突起部。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭珉在,賈在龍,黃珍皓
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15