本實(shí)用新型涉及熔體籽晶法單晶生長(zhǎng)爐設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種泡生法藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)爐側(cè)面保溫結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

藍(lán)寶石晶體(俗稱剛玉)，具有高熔點(diǎn)、高硬度、導(dǎo)熱性好、從真空、紫外、可見(jiàn)、近紅外一直到中紅外均有高的光學(xué)透過(guò)率。普遍應(yīng)用于藍(lán)光半導(dǎo)體二極管LED和二極管LD的襯底材料，幾乎遍及所有襯底領(lǐng)域。

目前藍(lán)寶石的生長(zhǎng)方法主要有提拉法(CZ)，導(dǎo)模法(EFG)，泡生法(KY)，熱交換法(HEM)等。其中泡生法是世界上公認(rèn)的最適合生長(zhǎng)大尺寸藍(lán)寶石單晶的主流方法之一，整個(gè)晶體的生長(zhǎng)在2000℃以上的高溫下進(jìn)行，能耗占成本很大一部分，這就需要穩(wěn)定的側(cè)面保溫結(jié)構(gòu)保證爐內(nèi)的熱量不被快速散失。傳統(tǒng)的側(cè)面保溫結(jié)構(gòu)主要由多層薄鎢鉬屏鉚接組裝成筒狀，受材料性能影響能耗很高，而且由于長(zhǎng)期處于高溫環(huán)境，鉬屏極易變形和損壞，保溫效果不理想，使得爐內(nèi)熱量散失過(guò)快，耗電量會(huì)持續(xù)增加，不僅造成能源浪費(fèi)，熱場(chǎng)的不穩(wěn)定，而且晶體極易粘鍋影響利用率，甚至還會(huì)使得加熱器與鉬屏短路，使得長(zhǎng)晶停止，嚴(yán)重時(shí)還會(huì)損壞電源。此外，傳統(tǒng)的側(cè)面保溫結(jié)構(gòu)鎢鉬材料經(jīng)高溫煅燒后變脆，易碎，且結(jié)構(gòu)復(fù)雜，不易更換。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為克服上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種泡生法藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)爐側(cè)面保溫結(jié)構(gòu)，解決現(xiàn)有結(jié)構(gòu)保溫效果不理想，能耗高易變形的問(wèn)題。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：一種泡生法藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)爐側(cè)面保溫結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在長(zhǎng)晶爐底部的保溫層，垂直裝設(shè)在保溫層上的不銹鋼桶，以及安裝在不銹鋼桶內(nèi)側(cè)、且與不銹鋼桶同心布置的氧化鋯墻層；在氧化鋯墻層與不銹鋼桶之間填充有由保溫材料構(gòu)成的保溫顆粒， 所述保溫顆粒的上端還設(shè)有與氧化鋯墻層與不銹鋼桶之間間距相適配的環(huán)形鉬片。優(yōu)選的，上述保溫顆粒為氧化鋁或氧化鋯顆粒，粒徑為2-8mm。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述氧化鋯墻層由若干個(gè)弧形氧化鋯磚拼接而成；該氧化鋯磚包括磚體，設(shè)置在磚體上方的第一凸緣，設(shè)置在磚體下方與第一凸緣相適配的第一凹槽，設(shè)置在磚體左側(cè)的第二凹槽，以及設(shè)置在磚體右側(cè)與第二凹槽相適配的第二凸緣。當(dāng)然，也可以將第一凸緣設(shè)置在磚體的下方，相應(yīng)的第一凹槽設(shè)置在磚體上方，以及將第二凹槽設(shè)置在磚體右側(cè)，第二凸緣設(shè)置在磚體左側(cè)，此類(lèi)變換均可，在此不再贅述。使用時(shí)，將若干個(gè)氧化鋯磚在保溫層上通過(guò)首尾連接，上下偏接的方式砌成所需直徑的筒狀的氧化鋯墻層。

更進(jìn)一步的，在上述第一凸緣、第一凹槽、第二凸緣和第二凹槽的兩側(cè)均設(shè)置倒角，可使得氧化鋯墻層在高溫下連接得更加緊密可靠。該氧化鋯墻層與不銹鋼桶的高度相齊平。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點(diǎn)在于：本實(shí)用新型利用氧化鋯材料相較于鎢鉬材料更耐高溫，不易變形的特性，通過(guò)若干個(gè)氧化鋯磚拼接成筒狀的氧化鋯墻層，其熱場(chǎng)更加穩(wěn)定，且其保溫效果較之鎢鉬材料更好，成本更低，不僅可以有效降低能耗和人力物力成本，還可以延長(zhǎng)側(cè)面保溫層的使用壽命，保證晶體質(zhì)量穩(wěn)定，提升晶體利用率。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于維修，更好的保證熱場(chǎng)的穩(wěn)定性和均勻性。

以下將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行較為詳細(xì)的說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為氧化鋯墻層的拼接示意圖。

圖3為氧化鋯磚的俯視圖，圖中省略第一凸緣。

圖4為氧化鋯磚的側(cè)視圖，圖中省略第二凹槽。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例，請(qǐng)一并參閱圖1至4，一種泡生法藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)爐側(cè)面保溫結(jié) 構(gòu)，其包括設(shè)置在長(zhǎng)晶爐底部的保溫層5，垂直裝設(shè)在保溫層5上的不銹鋼桶4，以及安裝在不銹鋼桶4內(nèi)側(cè)、且與不銹鋼桶4同心布置的氧化鋯墻層2。在氧化鋯墻層2與不銹鋼桶4之間填充有由保溫材料構(gòu)成的保溫顆粒3，該保溫顆粒3為氧化鋁或氧化鋯顆粒，粒徑為2-8mm。所述保溫顆粒3的上端還設(shè)有與氧化鋯墻層2與不銹鋼桶4之間間距相適配的環(huán)形鉬片1。

上述氧化鋯墻層2由若干個(gè)弧形氧化鋯磚6拼接而成；該氧化鋯磚包括磚體61，設(shè)置在磚體上方的第一凸緣62，設(shè)置在磚體下方與第一凸緣62相適配的第一凹槽63，設(shè)置在磚體左側(cè)的第二凹槽64，以及設(shè)置在磚體右側(cè)與第二凹槽64相適配的第二凸緣65。使用時(shí)，將若干個(gè)氧化鋯磚6在保溫層上通過(guò)首尾連接，上下偏接的方式砌成所需直徑的筒狀的氧化鋯墻層2，上下左右均采用凹凸鑲嵌結(jié)構(gòu)，使得氧化鋯磚之間緊密相連。在上述第一凸緣62、第一凹槽63、第二凸緣65和第二凹槽64的兩側(cè)均設(shè)置倒角，可使得氧化鋯墻層在高溫下連接得更加緊密可靠。

以上所述僅是對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本實(shí)用新型的范圍進(jìn)行限定，故在不脫離本實(shí)用新型設(shè)計(jì)精神的前提下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或裝飾，均應(yīng)落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。