本實用新型涉及單晶爐熱場用大罩領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種防止內(nèi)層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩。

背景技術(shù)：

單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備。

單晶爐熱場是單晶爐工作過程中的重要組成部分，其中間部分的保溫名稱為：大罩或中罩。

在大罩外層包裹有質(zhì)地柔軟的軟氈，根據(jù)熱場結(jié)構(gòu)不同包裹層數(shù)不一樣，目前包裹的層數(shù)為8層。大罩上沿連接上罩，下沿連接下罩，上罩和下罩外層均有碳氈包裹，緊貼于大罩外層的第一層和第二層軟氈上下兩個邊緣非常容易老化；因為與大罩相連的上罩和下罩連接地方有縫隙，氣流會穿過縫隙，一部分熱量會釋放在大罩外側(cè)第一層和第二層軟氈上面，造成第一層和第二層軟氈老化，變成粉末狀，進而污染單晶生長的環(huán)境，同時失去保溫效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實用新型提供了一種防止內(nèi)層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，具體方案如下：

一種防止內(nèi)層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩，包括呈筒狀的罩體，罩體外側(cè)套設(shè)有兩個導(dǎo)熱環(huán)，兩個導(dǎo)熱環(huán)的外端部分別與罩體的兩個端部平齊，兩個導(dǎo)熱環(huán)的內(nèi)端部和外側(cè)面均與碳氈貼合；導(dǎo)熱環(huán)的厚度至少等于1層碳氈的厚度。

罩體與導(dǎo)熱環(huán)過盈配合。

導(dǎo)熱環(huán)為石墨圓環(huán)、固化硬質(zhì)碳氈圓環(huán)。

碳氈的層數(shù)為8層。

碳氈的厚度為8mm~12mm。

碳氈的厚度為10mm。

本實用新型提供的防止內(nèi)層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩：1、設(shè)置的導(dǎo)熱環(huán)使得熱場內(nèi)的高溫氣流釋放在罩體和導(dǎo)熱環(huán)上面，防止了碳氈被老化，進而避免了粉末污染單晶的生長環(huán)境。2、罩體和導(dǎo)熱環(huán)過盈配合保證了導(dǎo)熱環(huán)在罩體上的固定性。3、罩體與導(dǎo)熱環(huán)貼合處的厚度大于罩體其它部位的厚度，提高了碳氈的防老化效果。4、導(dǎo)熱環(huán)為石墨圓環(huán)、固化硬質(zhì)碳氈圓環(huán)，從而導(dǎo)熱效果好，可以使得熱場內(nèi)的高溫氣流在罩體和導(dǎo)熱環(huán)上得到充分的釋放。5、碳氈的層數(shù)為8層，保證了大罩的保溫效果。6、碳氈的厚度為8mm~12mm，使用起來比較方便，同時保溫效果比較好。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

如圖1所示，本實施例提供的一種防止內(nèi)層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩，包括呈筒狀的罩體1；在罩體1的外側(cè)套設(shè)有至少兩層碳氈4。本實施例中，碳氈4的層數(shù)為8層，從而保證大罩的保溫效果；另外，碳氈4的厚度為8mm~12mm；優(yōu)選為10mm，該厚度的碳氈4使用方便，同時保溫效果得到了保證。

為了避免在大罩和上罩以及下罩交接處，熱量從熱場中進入到內(nèi)層的碳氈4上，在罩體1的外側(cè)和碳氈之間套設(shè)有兩個導(dǎo)熱環(huán)2，其中導(dǎo)熱環(huán)2直接套在罩體1的外側(cè)。導(dǎo)熱環(huán)2為石墨圓環(huán)、固化硬質(zhì)碳氈。圓環(huán)罩體1與導(dǎo)熱環(huán)2為過盈配合，從而保證導(dǎo)熱環(huán)2在罩體1上的穩(wěn)定性。

其中，導(dǎo)熱環(huán)2的厚度至少等于1層碳氈的厚度。兩個導(dǎo)熱環(huán)2的內(nèi)端部和外側(cè)面均與碳氈4貼合，其中導(dǎo)熱環(huán)2的內(nèi)端部與位于內(nèi)層的碳氈4的端部貼合；導(dǎo)熱環(huán)2的外側(cè)面與位于外側(cè)的碳氈4的內(nèi)側(cè)面貼合。兩個導(dǎo)熱環(huán)2的外端部分別與罩體1的兩個端部平齊，從而保證導(dǎo)熱環(huán)2對交接處碳氈4的保護。

為了實現(xiàn)導(dǎo)熱環(huán)2的定位，在罩體1的兩個端部上均設(shè)置定位板3，定位板3的寬度小于導(dǎo)熱環(huán)2的厚度，通過定位板3實現(xiàn)了導(dǎo)熱環(huán)2的固定和定位。

在實施的時候，為了保證導(dǎo)熱環(huán)2的穩(wěn)定性，在導(dǎo)熱環(huán)2的內(nèi)側(cè)面上設(shè)置連接凹槽，在罩體1上與導(dǎo)熱環(huán)2貼合處設(shè)置連接凸起，其中連接凹槽和連接凸起相互配合；設(shè)置的連接凹槽和連接凸起保證了導(dǎo)熱環(huán)2和罩體1連接處的穩(wěn)定性。其中，連接凹槽和連接凸起為成熟的現(xiàn)有技術(shù)，均沒有在圖中顯示。

在使用的時候，將導(dǎo)熱環(huán)套在罩體1的外側(cè)，并讓導(dǎo)熱環(huán)的端部與罩體1的端部平齊；當將大罩與上罩或下罩對接使用時，熱量在交接處出來釋放到導(dǎo)熱環(huán)處，解決了熱量對碳氈造成的老化問題。

綜上所述，本實用新型提供的一種防止內(nèi)層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩，設(shè)置的導(dǎo)熱環(huán)使用方便可以釋放大罩與上罩或下罩對接處的熱量，避免了因熱量使得位于內(nèi)層的碳氈被老化，進而避免了粉末的產(chǎn)生，保證了單晶的生長環(huán)境。