背景技術(shù)：

1、電鍍通常用于集成電路制造工藝中以形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。例如，在銅鑲嵌工藝中，電鍍用于在預(yù)先蝕刻至介電層中的通道內(nèi)形成銅線和通孔。在這樣的工藝中，首先通過物理氣相沉積將銅的晶種層沉積至通道中以及襯底表面上。接著，使用電鍍在晶種層上沉積較厚的銅層，以使通道完全被填充。隨后通過化學(xué)機(jī)械拋光去除過量的銅，從而形成各個(gè)銅特征。

2、目前的電鍍系統(tǒng)可分類為“開放式觸點(diǎn)(open?contact)”和“封閉式觸點(diǎn)(closedcontact)”。開放式觸點(diǎn)鍍覆系統(tǒng)是在鍍覆期間使晶片觸點(diǎn)(其將電流輸送至晶種層)暴露于鍍覆溶液的系統(tǒng)。同樣，封閉式觸點(diǎn)鍍覆系統(tǒng)是觸點(diǎn)不暴露于鍍覆溶液的那些系統(tǒng)。

3、當(dāng)制造集成電路時(shí)，一般期望利用盡可能多的晶片表面來制造裝置，以增加每一晶片的裝置數(shù)量。然而，電鍍系統(tǒng)一般是利用在沉積期間接觸晶片的電性觸點(diǎn)以及其他結(jié)構(gòu)。因此，有限量的表面區(qū)域可被鍍覆。例如，在開放式觸點(diǎn)鍍覆系統(tǒng)中，由于電極在鍍覆工藝期間暴露于鍍覆溶液中，因此在該工藝中電極被鍍至襯底表面上。去除電極即暴露出電極與襯底接觸的未鍍覆區(qū)域。進(jìn)一步地，去除觸點(diǎn)可能造成電極附近的銅層受損。例如，晶片的2mm或更大的外周邊可能變得不適合集成電路制造。

4、現(xiàn)有的rdl技術(shù)使用標(biāo)稱晶種厚度()。在長的侵蝕性晶種蝕刻工藝期間，這些厚度容易受到關(guān)鍵尺寸(cd)損失、線粗糙及底切的影響。為了減少蝕刻時(shí)間而使薄晶種鍍覆達(dá)到小于(例如)的嘗試主要集中在陽極調(diào)整(尺寸、形狀、數(shù)量)上以控制電流分布。這些變化離晶片表面很遠(yuǎn)，且傾向于產(chǎn)生整體校正。因此，其無法實(shí)現(xiàn)終端效應(yīng)所需的局部校正，且經(jīng)常導(dǎo)致波狀、不均勻的電流(以及隨后鍍覆厚度)輪廓。

5、圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電鍍杯組件100的截面圖。電鍍系統(tǒng)的唇形密封件耦合至晶片的周邊并鄰近最外屈服特征(yielding?feature)。由于”終端效應(yīng)”，使用電鍍杯組件100是電鍍通常會(huì)導(dǎo)致晶片邊緣處相對于晶片表面有更大厚度的鍍覆。終端效應(yīng)發(fā)生在晶種電阻主導(dǎo)電鍍浴等效電路時(shí)并導(dǎo)致晶片邊緣相對于晶片表面有明顯電沉積。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

技術(shù)特征：

1.一種電鍍系統(tǒng)，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述犧牲層區(qū)域被配置成通過從靠近所述晶片邊緣的特征竊取電流來補(bǔ)償電鍍過程中的終端效應(yīng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述晶種層包括小于1000埃的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述光致抗蝕劑層的所述非圖案化區(qū)域的寬度大于0.5毫米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述密封結(jié)構(gòu)的所述頂點(diǎn)被定位為增加所述晶片的優(yōu)選方位角區(qū)域中的犧牲鍍覆面積。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中所述優(yōu)選方位角區(qū)域包括具有較大圖案化邊緣排除區(qū)的區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述犧牲層區(qū)域包括環(huán)形環(huán)，所述環(huán)形環(huán)被配置為在電鍍后通過邊緣斜面去除工藝去除。

8.一種形成用于電鍍的晶片的方法，其包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述晶種層形成為具有小于1000埃的厚度。

技術(shù)總結(jié)
電鍍杯組件包括杯底部、唇形密封件及電接觸結(jié)構(gòu)。杯底部至少部分地限定開口，該開口配置成使得位于杯組件中的晶片暴露于電鍍?nèi)芤?。唇形密封件在杯底部上并且包括密封結(jié)構(gòu)，該密封結(jié)構(gòu)沿唇形密封件的內(nèi)邊緣向上延伸至頂點(diǎn)，該頂點(diǎn)配置成與晶片的晶種層接觸并鄰近晶片的犧牲層。電接觸結(jié)構(gòu)在密封件的一部分上方。電接觸結(jié)構(gòu)配置成耦合至晶片的晶種層。

技術(shù)研發(fā)人員：布萊恩·L·巴卡柳,斯蒂芬·J·巴尼克
受保護(hù)的技術(shù)使用者：朗姆研究公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15