1.一種基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)算法的模擬ic網(wǎng)表版圖協(xié)同優(yōu)化方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)算法的模擬ic網(wǎng)表版圖協(xié)同優(yōu)化方法，其特征在于，具體根據(jù)性能指標(biāo)確定優(yōu)化目標(biāo)，并結(jié)合約束條件，將兩者轉(zhuǎn)化為相應(yīng)參數(shù)，并與強(qiáng)化學(xué)習(xí)智能體的獎(jiǎng)勵(lì)函數(shù)進(jìn)行關(guān)聯(lián)；其中，性能指標(biāo)包括增益、帶寬、相位裕度和共模抑制比，約束條件包括特定的功耗、面積和尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)算法的模擬ic網(wǎng)表版圖協(xié)同優(yōu)化方法，其特征在于，在搭建仿真平臺(tái)時(shí)，同時(shí)進(jìn)行仿真環(huán)境設(shè)置，包括仿真模式、仿真溫度、仿真參數(shù)及仿真輸出項(xiàng)單位。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)算法的模擬ic網(wǎng)表版圖協(xié)同優(yōu)化方法，其特征在于，模擬ic電路版圖具體基于啟發(fā)式算法生成，包括模擬退火布局算法和a*布線算法，在布局階段，通過(guò)模擬退火算法和布局樹(shù)來(lái)進(jìn)行布局優(yōu)化；在布線階段，基于a*算法進(jìn)行路徑搜索，通過(guò)逐步探索路徑并選擇代價(jià)最低的路徑，最終生成器件間的連線方案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)算法的模擬ic網(wǎng)表版圖協(xié)同優(yōu)化方法，其特征在于，a*布線算法還具體根據(jù)布線的復(fù)雜度動(dòng)態(tài)調(diào)整策略，避免路徑的交叉和阻塞，優(yōu)化整個(gè)版圖的信號(hào)傳輸質(zhì)量和布局密度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)算法的模擬ic網(wǎng)表版圖協(xié)同優(yōu)化方法，其特征在于，強(qiáng)化學(xué)習(xí)智能體具體通過(guò)與仿真平臺(tái)的反復(fù)交互，利用actor網(wǎng)絡(luò)輸出電路參數(shù)策略分布，利用critic網(wǎng)絡(luò)評(píng)估策略質(zhì)量，并結(jié)合隨機(jī)探索和目標(biāo)導(dǎo)向優(yōu)化策略，不斷調(diào)整網(wǎng)絡(luò)權(quán)重，逐步收斂到最優(yōu)參數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)算法的模擬ic網(wǎng)表版圖協(xié)同優(yōu)化方法，其特征在于，異構(gòu)圖的節(jié)點(diǎn)類型包括表示mosfet晶體管的m節(jié)點(diǎn)、表示電容的c節(jié)點(diǎn)、表示電壓的v節(jié)點(diǎn)，對(duì)不同類型的節(jié)點(diǎn)提取不同參數(shù)作為節(jié)點(diǎn)特征。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)算法的模擬ic網(wǎng)表版圖協(xié)同優(yōu)化方法，其特征在于，具體對(duì)模擬ic電路版圖中的晶體管尺寸進(jìn)行優(yōu)化。
9.一種基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)算法的模擬ic網(wǎng)表版圖協(xié)同優(yōu)化系統(tǒng)，其特征在于，包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)算法的模擬ic網(wǎng)表版圖協(xié)同優(yōu)化系統(tǒng)，其特征在于，模擬ic電路版圖生成器具體基于啟發(fā)式算法生成模擬ic電路版圖，啟發(fā)式算法包括模擬退火布局算法和a*布線算法，在布局階段，通過(guò)模擬退火算法和布局樹(shù)來(lái)進(jìn)行布局優(yōu)化；在布線階段，基于a*算法進(jìn)行路徑搜索，通過(guò)逐步探索路徑并選擇代價(jià)最低的路徑，最終生成器件間的連線方案。