一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)包括曝光單元以及分別分設(shè)置于所述曝光單元四個(gè)角區(qū)域的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的距離大于所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的距離。本實(shí)用新型通過改變曝光單元角區(qū)域的四個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系，大大提高了OVL對(duì)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)對(duì)四個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的識(shí)別和分辨能力，從而提高對(duì)準(zhǔn)測(cè)量的準(zhǔn)確性，提高產(chǎn)品良率以及節(jié)省人力成本。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，適用于工業(yè)檢測(cè)。
【專利說明】一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，器件的功能也不斷強(qiáng)大，然而隨之而來的對(duì)于半導(dǎo)體制造技術(shù)的要求也與日俱增。光刻是制造高級(jí)半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并常用于刻劃光柵、線紋尺和度盤等的精密線紋。光刻是利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法，其利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn)，將光罩上的光刻圖形刻制到被加工工件表面上。光刻半導(dǎo)體晶片二氧化硅的主要步驟是:首先，在被加工工件表面涂布光致抗蝕劑；然后，對(duì)準(zhǔn)光罩和晶圓，并進(jìn)行曝光處理；再用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層；接著，用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護(hù)的二氧化硅層；最后，去除已感光的光致抗蝕劑層，單次光刻結(jié)束。
[0003]光刻過程中，光罩與晶圓的對(duì)準(zhǔn)偏差會(huì)導(dǎo)致器件和金屬連線的電氣特性發(fā)生改變，對(duì)半導(dǎo)體芯片的制造非常重要，因此，光刻對(duì)準(zhǔn)精度必須得到很好的控制，尤其是在制程工藝越來越高、線寬越來越小的情況下，光刻對(duì)準(zhǔn)精度的要求也越來越高。傳統(tǒng)工藝中對(duì)準(zhǔn)測(cè)量是利用OVL(Overlay，對(duì)準(zhǔn)量測(cè))機(jī)臺(tái)完成的，其標(biāo)準(zhǔn)操作程序(StandardOperat1n Procedure)是采用OVL對(duì)準(zhǔn)測(cè)量機(jī)臺(tái)的準(zhǔn)量測(cè)檢測(cè)鏡頭依次對(duì)準(zhǔn)曝光單元101的角區(qū)域的4個(gè)對(duì)準(zhǔn)測(cè)量點(diǎn)A1、A2、A3、及A4,如圖1所示。
[0004]但是，如果光刻對(duì)準(zhǔn)量測(cè)程序設(shè)置出錯(cuò)，后續(xù)的對(duì)準(zhǔn)信息也會(huì)出錯(cuò)，將導(dǎo)致FT (Final Test)中測(cè)試數(shù)據(jù)的偏差并發(fā)生MRB (Material Review Board，即報(bào)廢量比較大的異常事件)。如圖2所示，設(shè)置要求的測(cè)量點(diǎn)為A1、A2、A3、A4，若光刻對(duì)準(zhǔn)量測(cè)程序設(shè)置的測(cè)量點(diǎn)分別為Al、A2、A3’、A4’，此時(shí)鏡頭被測(cè)量點(diǎn)Al、A2、A3’、A4’包圍，從位置檢查過程中很難發(fā)現(xiàn)問題，這將導(dǎo)致后續(xù)誤差增大，進(jìn)而影響后續(xù)性能及產(chǎn)品良率。
[0005]鑒于現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷，如何提能提供一種有效避免對(duì)準(zhǔn)測(cè)量錯(cuò)誤的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)準(zhǔn)測(cè)量容易發(fā)生錯(cuò)誤的問題。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)包括曝光單元以及分別分設(shè)置于所述曝光單元四個(gè)角區(qū)域的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的距離大于所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的距離。
[0008]作為本實(shí)用新型的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述曝光單元的形狀為矩形。
[0009]作為本實(shí)用新型的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所連成的圖形為梯形。
[0010]作為本實(shí)用新型的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于所述曝光單元的第一側(cè)，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于所述曝光單元的第二側(cè)，其中，所述第一側(cè)與第二側(cè)為所述曝光單元的相對(duì)兩側(cè)。
[0011]作為本實(shí)用新型的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的距離不大于所述曝光單元的第一側(cè)的邊長(zhǎng)。
[0012]作為本實(shí)用新型的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的距離不大于所述曝光單元的第二側(cè)的邊長(zhǎng)。
[0013]如上所述，本實(shí)用新型提供一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)包括曝光單元以及分別分設(shè)置于所述曝光單元四個(gè)角區(qū)域的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的距離大于所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的距離。本實(shí)用新型通過改變曝光單元角區(qū)域的四個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系，大大提高了 OVL對(duì)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)對(duì)四個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的識(shí)別和分辨能力，從而提高對(duì)準(zhǔn)測(cè)量的準(zhǔn)確性，提高產(chǎn)品良率以及節(jié)省人力成本。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，適用于工業(yè)檢測(cè)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖2顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)錯(cuò)誤示例的示意圖。
[0016]圖3顯示為本實(shí)用新型的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖4顯示為本實(shí)用新型的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施示例的示意圖。
[0018]圖5顯示為本實(shí)用新型的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)的另一種實(shí)施示例的示意圖。
[0019]元件標(biāo)號(hào)說明
[0020]101 曝光單元
[0021]201 第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記
[0022]202 第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記
[0023]203 第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記
[0024]204 第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記

【具體實(shí)施方式】
[0025]以下通過特定的具體實(shí)例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0026]請(qǐng)參閱圖3?圖5。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本實(shí)用新型中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0027]如圖3?圖5所示，本實(shí)施例提供一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)包括曝光單元101以及分別分設(shè)置于所述曝光單元101四個(gè)角區(qū)域的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記201、第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記202、第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記203及第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記204，其中，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記203與第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記204之間的距離大于所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記201及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記202之間的距離。
[0028]作為示例，所述曝光單元101的形狀為矩形。當(dāng)然，所述曝光單元101可以為正方形等其它的形狀，并不限定于此處所列舉的一種示例。
[0029]作為示例，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記201、第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記202、第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記203及第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記204所連成的圖形為梯形。在本實(shí)施例中，所述所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記201、第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記202、第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記203及第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記204所連成的圖形為等腰梯形。
[0030]作為示例，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記201及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記202位于所述曝光單元101的第一側(cè)，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記203與第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記204位于所述曝光單元101的第二側(cè)，其中，所述第一側(cè)與第二側(cè)為所述曝光單元101的相對(duì)兩側(cè)。其中，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記201及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記202之間的距離不大于所述曝光單元101的第一側(cè)的邊長(zhǎng)，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記203與第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記204之間的距離不大于所述曝光單元101的第二側(cè)的邊長(zhǎng)。
[0031]圖4及圖5顯示為本實(shí)施例的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)的使用示例。
[0032]如圖4所示，對(duì)于左右相鄰的兩個(gè)曝光單元101的對(duì)準(zhǔn)，正常對(duì)準(zhǔn)時(shí)，四個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所連成的圖形為A1-A2-A4-A3所連成的梯形，當(dāng)OVL對(duì)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn)出錯(cuò)時(shí)，可能其對(duì)準(zhǔn)的四個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為A1、A2、A5、A6，這幾個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所連成的圖形為矩形，與正常對(duì)準(zhǔn)時(shí)的圖形有非常大的差別。這樣，從對(duì)準(zhǔn)圖形的輪廓便可容易識(shí)別出對(duì)準(zhǔn)出現(xiàn)了錯(cuò)誤，可以及時(shí)重新進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
[0033]如圖5所示，對(duì)于上下相鄰的兩個(gè)曝光單元101的對(duì)準(zhǔn)，正常對(duì)準(zhǔn)時(shí)，四個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所連成的圖形為A1-A2-A4-A3所連成的梯形，當(dāng)OVL對(duì)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn)出錯(cuò)時(shí)，可能其對(duì)準(zhǔn)的四個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為A1、A3、A7、A8，這幾個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所連成的圖形為平行四邊形，與正常對(duì)準(zhǔn)時(shí)的圖形有非常大的差別。這樣，從對(duì)準(zhǔn)圖形的輪廓便可容易識(shí)別出對(duì)準(zhǔn)出現(xiàn)了錯(cuò)誤，可以及時(shí)重新進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
[0034]如上所述，本實(shí)用新型提供一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)，所述對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)包括曝光單元101以及分別分設(shè)置于所述曝光單元101四個(gè)角區(qū)域的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記201、第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記202、第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記203及第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記204，其中，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記203與第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記204之間的距離大于所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記201及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記202之間的距離。本實(shí)用新型通過改變曝光單元101角區(qū)域的四個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系，大大提高了 OVL對(duì)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)對(duì)四個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的識(shí)別和分辨能力，從而提高對(duì)準(zhǔn)測(cè)量的準(zhǔn)確性，提高產(chǎn)品良率以及節(jié)省人力成本。所以，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0035]上述實(shí)施例僅例示性說明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)包括曝光單元以及分別分設(shè)置于所述曝光單元四個(gè)角區(qū)域的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的距離大于所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述曝光單元的形狀為矩形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記、第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記所連成的圖形為梯形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于所述曝光單元的第一側(cè)，所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于所述曝光單元的第二側(cè)，其中，所述第一側(cè)與第二側(cè)為所述曝光單元的相對(duì)兩側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的距離不大于所述曝光單元的第一側(cè)的邊長(zhǎng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的對(duì)準(zhǔn)測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第三對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第四對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的距離不大于所述曝光單元的第二側(cè)的邊長(zhǎng)。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK204102865SQ201420581041
【公開日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2014年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月9日
【發(fā)明者】閆衛(wèi)衛(wèi), 鄧貴紅, 余志賢 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司