【】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體處理裝置及其半導(dǎo)體處理方法。

背景技術(shù)

0、
背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體尺寸的進(jìn)一步減小，晶圓硅材料本身所含有的雜質(zhì)成為質(zhì)量控制中需要檢測監(jiān)控的要求，然而目前的晶圓污染檢測技術(shù)僅限于對晶圓表面雜質(zhì)污染的提取檢測或者對整個晶圓材料進(jìn)行破壞性檢測。

2、申請?zhí)枮?01510836143.0的中國專利申請公開了一種利用微腔室內(nèi)的封閉通道進(jìn)行晶圓污染檢測的方法。如圖8所示的，所述封閉通道813通過第一通孔811和第二通孔812與外部相通。驅(qū)動一定體積的提取溶液820通過第一通孔811進(jìn)入所述封閉通道813，進(jìn)入所述封閉通道813的提取溶液被氮?dú)馔苿又厮龇忾]通道的導(dǎo)引前行(即沿方向r1向前螺旋前進(jìn))，流過所述晶圓的表面的提取溶液820通過第二通孔812流出并被提取，即利用提取溶液820在所述晶圓的表面上進(jìn)行掃描，這樣可以利用一定體積的提取溶液820實(shí)現(xiàn)對晶圓的表面的污染雜質(zhì)進(jìn)行提取以及檢測。然而圖8所示的傳統(tǒng)提取方式，每次掃描只能上載一段提取溶液820，所述提取溶液的體積一般為1ml，氮?dú)馔苿铀俣纫话銥?0ml/min，可計算得出晶圓上每點(diǎn)接觸提取溶液的時間為1ml/(20ml/min)＝0.05min＝3s。晶圓上每點(diǎn)接觸時間對于難溶性污染影響較大，一般來說接觸時間越長，晶圓上所殘留的污染越少，提取效率越高。為了提高提取效率，可行的方法是增加提取溶液體積或減少氮?dú)馔苿铀俣?。但是，溶液體積增加會提高設(shè)備檢出限，減少氮?dú)馔苿铀俾蕰黾訏呙钑r間，影響產(chǎn)能。

3、應(yīng)該注意，上面對技術(shù)背景的介紹只是為了方便對本申請的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的說明，并方便本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解而闡述的。不能僅僅因?yàn)檫@些方案在本申請的背景技術(shù)部分進(jìn)行了闡述而認(rèn)為上述技術(shù)方案為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

0、
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

1、本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體處理系統(tǒng)及其半導(dǎo)體處理方法，其在不增加目標(biāo)流體體積，幾乎不增加掃描時間的情況下，可以增加了晶圓的每個點(diǎn)的目標(biāo)流體有效接觸時間，提高了對晶圓表面的污染物的提取效率。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體處理裝置，其包括：第一腔室部、可相對于第一腔室部在打開位置和關(guān)閉位置之間移動的第二腔室部，其中在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關(guān)閉位置時，第一腔室部和第二腔室部之間形成微腔室，晶圓能夠容納于所述微腔室內(nèi)，在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述打開位置時，所述晶圓能夠被取出或放入，第一腔室部和/或第二腔室部具有自對應(yīng)腔室部的內(nèi)壁表面凹陷形成的凹槽道、自外部穿過對應(yīng)腔室部以與所述凹槽道的第一位置連通的第一通孔和自外部穿過對應(yīng)腔室部以與所述凹槽道的第二位置連通的第二通孔，在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關(guān)閉位置且所述晶圓容納于第一腔室部和第二腔室部之間時，此時所述凹槽道借助所述晶圓的所述表面的阻擋形成封閉通道，所述封閉通道通過第一通孔和第二通孔與外部相通；驅(qū)動目標(biāo)流體第一通孔進(jìn)入所述封閉通道，進(jìn)入所述封閉通道的目標(biāo)流體能夠沿所述封閉通道前行，此時目標(biāo)流體能夠接觸到所述晶圓的表面的部分區(qū)域，流過所述晶圓的表面的目標(biāo)流體通過第二通孔流出并被提取。在一段時間內(nèi)，所述封閉通道內(nèi)具有多段目標(biāo)流體，相鄰的兩段目標(biāo)流體由間隔流體進(jìn)行隔離。

3、根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，本發(fā)明提供一種基于上文所述的半導(dǎo)體處理裝置的半導(dǎo)體處理方法，其包括：將目標(biāo)流體分成多段，并利用間隔流體隔離相鄰的兩段目標(biāo)流體；將由間隔流體隔離的多段目標(biāo)流體通過第一通孔進(jìn)入一個封閉通道，以使得在一段時間內(nèi)，所述封閉通道內(nèi)具有多段目標(biāo)流體，相鄰的兩段目標(biāo)流體由間隔流體進(jìn)行隔離；通過驅(qū)動流體驅(qū)動所述封閉通道內(nèi)的由間隔流體隔離的多段目標(biāo)流體通過第二通孔流出所述封閉通道；和，將流出所述封閉通道的多段目標(biāo)流體進(jìn)行合并進(jìn)行檢測

4、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明將所述目標(biāo)流體分成多段，并利用間隔流體隔離相鄰的兩段目標(biāo)流體，從而得到由間隔流體隔離的多段目標(biāo)流體，將由間隔流體隔離的多段目標(biāo)流體驅(qū)動入所述封閉通道，這樣在不增加目標(biāo)流體體積，幾乎不增加掃描時間的情況下，可以增加了晶圓的每個點(diǎn)的目標(biāo)流體有效接觸時間，提高了對晶圓表面的污染物的提取效率。

5、因此應(yīng)當(dāng)理解，提供本概述僅用于總結(jié)一些實(shí)施例的目的，以便提供對本發(fā)明的一些方面的基本理解。因此，上述實(shí)施例僅是示例并且不應(yīng)被解釋為以任何方式縮小本發(fā)明的范圍或思路。通過閱讀以下詳細(xì)描述以及附圖，各個實(shí)施例的特征、外貌和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見，附圖通過示例的方式展示出了一些實(shí)施例的原理。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，其包括：第一腔室部、可相對于第一腔室部在打開位置和關(guān)閉位置之間移動的第二腔室部，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述間隔流體為氣體，所述目標(biāo)流體為液體，各段目標(biāo)流體由驅(qū)動流體進(jìn)行驅(qū)動，所述驅(qū)動流體為氣體，在一段時間內(nèi)，所述多段目標(biāo)流體在同一封閉通道內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，每段目標(biāo)流體中的目標(biāo)流體是相同的，所述目標(biāo)流體用于提取所述晶圓的表面上的污染物。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述驅(qū)動流體為氮?dú)猓鲩g隔流體為氮?dú)狻?/p>

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述驅(qū)動流體的驅(qū)動速度小于40ml/min，所述多段目標(biāo)流體中目標(biāo)流體的總體積小于3ml。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，每個凹槽道環(huán)繞形成螺旋狀，其中第一通孔和第二通孔中的一個位于所述螺旋狀的凹槽道的中心區(qū)域，第一通孔和第二通孔中的另一個位于所述螺旋狀的凹槽道的周邊區(qū)域。

7.一種基于如權(quán)利要求1-6任一所述的半導(dǎo)體處理裝置的半導(dǎo)體處理方法，其特征在于，其包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體處理方法，其特征在于，所述間隔流體為氣體，所述目標(biāo)流體為液體，所述驅(qū)動流體為氣體，在一段時間內(nèi)，所述多段目標(biāo)流體在同一封閉通道內(nèi)，所述目標(biāo)流體用于提取所述晶圓的表面上的污染物。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理方法，其特征在于，所述驅(qū)動流體為氮?dú)?，所述間隔流體為氮?dú)狻?/p>

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理方法，其特征在于，所述驅(qū)動流體的驅(qū)動速度小于40ml/min，所述多段目標(biāo)流體中目標(biāo)流體的總體積小于3ml。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體處理系統(tǒng)及其半導(dǎo)體處理方法，所述半導(dǎo)體處理裝置包括第一腔室部和第二腔室部。第一腔室部和/或第二腔室部具有凹槽道。所述凹槽道能夠借助所述晶圓的所述表面的阻擋形成封閉通道；驅(qū)動目標(biāo)流體進(jìn)入所述封閉通道，進(jìn)入所述封閉通道的流體能夠沿所述封閉通道前行并流出所述封閉通道。在一段時間內(nèi)，所述封閉通道內(nèi)具有多段目標(biāo)流體，相鄰的兩段目標(biāo)流體由間隔流體進(jìn)行隔離。這樣，在不增加目標(biāo)流體體積，幾乎不增加掃描時間的情況下，可以增加了晶圓的每個點(diǎn)的目標(biāo)流體有效接觸時間，提高了對晶圓表面的污染物的提取效率。

技術(shù)研發(fā)人員：溫子瑛,馬杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19