本公開涉及一種多層電子組件。

背景技術(shù)：

1、多層陶瓷電容器(mlcc，一種多層電子組件)是安裝在各種類型的電子產(chǎn)品(諸如，圖像顯示裝置(諸如，液晶顯示器(lcd)和等離子體顯示面板(pdp))、計(jì)算機(jī)、智能電話和移動(dòng)電話)的印刷電路板上的片式電容器，并且用于對(duì)其充電或從其放電。

2、多層陶瓷電容器可由于具有小尺寸、確保高電容并易于安裝而用作各種電子裝置中的組件。隨著各種電子裝置(諸如，計(jì)算機(jī)和移動(dòng)裝置)的小型化和實(shí)現(xiàn)高輸出功率，對(duì)于多層陶瓷電容器的小型化和高電容的需求也日益增加。

3、隨著小型化和實(shí)現(xiàn)更高電容的推進(jìn)，保護(hù)電容形成區(qū)域的需要增加，并且這已經(jīng)通過增加包圍電容形成區(qū)域的邊緣區(qū)域來進(jìn)行改善。然而，由于為了實(shí)現(xiàn)小型化和高電容而不斷改變結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，電容形成區(qū)域可能增大并且保護(hù)電容形成區(qū)域的邊緣區(qū)域可能減小，因此可能存在多層陶瓷電容器的耐濕可靠性和強(qiáng)度可能降低的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的一方面在于提供一種多層電子組件，該多層電子組件通過改善覆蓋部的致密性而在高溫高濕環(huán)境中具有優(yōu)異的耐熱性。

2、本公開的一方面在于提供一種具有改善的耐濕性和可靠性的多層電子組件。

3、然而，本公開的各方面不限于上述內(nèi)容，并且可在描述本公開的具體示例實(shí)施例的過程中更容易理解。

4、根據(jù)本公開的一些示例實(shí)施例的多層電子組件可包括：主體，包括電容形成部和覆蓋部，所述電容形成部包括介電層以及在第一方向上與所述介電層交替設(shè)置的內(nèi)電極，所述覆蓋部設(shè)置在所述電容形成部的在所述第一方向上的兩個(gè)表面上；以及外電極，設(shè)置在所述主體上，并且所述覆蓋部可包括鈦(ti)、鎵(ga)和磷(p)，包括在所述覆蓋部中的鎵(ga)相對(duì)于100摩爾的鈦(ti)的摩爾量可大于等于0.3摩爾且小于等于6.0摩爾。

5、根據(jù)本公開的另一示例實(shí)施例的多層電子組件可包括：主體，包括電容形成部和覆蓋部，所述電容形成部包括介電層以及在第一方向上與所述介電層交替設(shè)置的內(nèi)電極，所述覆蓋部設(shè)置在所述電容形成部的在所述第一方向上的兩個(gè)表面上；以及外電極，設(shè)置在所述主體上，并且所述覆蓋部可包括鈦(ti)、鎵(ga)和磷(p)，包括在所述覆蓋部中的磷(p)相對(duì)于100摩爾的鈦(ti)的摩爾量可大于0摩爾且小于等于5.0摩爾。

6、本公開的各種效果之一可以是通過改善覆蓋部的致密性來改善多層電子組件在高溫高濕環(huán)境中的耐熱性。

7、本公開的各種效果之一可以是改善多層電子組件的耐濕可靠性。

8、然而，本申請(qǐng)的優(yōu)點(diǎn)和效果不限于前述內(nèi)容，并且可在描述本公開的具體示例實(shí)施例的過程中更容易理解。

技術(shù)特征：

1.一種多層電子組件，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述覆蓋部包括相對(duì)于100摩爾的鈦大于0摩爾且小于等于5.0摩爾的磷。

3.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，包括在所述電容形成部中的所述介電層被定義為第一介電層，并且所述覆蓋部包括第二介電層，并且

4.如權(quán)利要求3所述的多層電子組件，其中，包括在所述第二介電層中的鎵相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量大于包括在所述第一介電層中的鎵相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量。

5.如權(quán)利要求3所述的多層電子組件，其中，包括在所述第二介電層中的磷相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量大于包括在所述第一介電層中的磷相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量。

6.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述覆蓋部包括具有核-殼結(jié)構(gòu)的多個(gè)晶粒、設(shè)置在相鄰晶粒之間的晶界、設(shè)置在三個(gè)或更多個(gè)晶界彼此接觸的點(diǎn)處的三交點(diǎn)以及第二相，并且

7.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述覆蓋部還包括鋇，并且

8.如權(quán)利要求1所述的多層電子組件，其中，所述主體包括在所述第一方向上彼此相對(duì)的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相對(duì)的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并在第三方向上彼此相對(duì)的第五表面和第六表面，

9.如權(quán)利要求8所述的多層電子組件，其中，包括在所述第二介電層中的鎵相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量大于包括在所述第三介電層中的鎵相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量。

10.如權(quán)利要求8所述的多層電子組件，其中，包括在所述第二介電層中的磷相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量大于包括在所述第三介電層中的磷相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量。

11.一種多層電子組件，包括：

12.如權(quán)利要求11所述的多層電子組件，其中，包括在所述電容形成部中的所述介電層被定義為第一介電層，并且所述覆蓋部包括第二介電層，并且

13.如權(quán)利要求12所述的多層電子組件，其中，包括在所述第二介電層中的鎵(相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量大于包括在所述第一介電層中的鎵相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量。

14.如權(quán)利要求12所述的多層電子組件，其中，包括在所述第二介電層中的磷相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量大于包括在所述第一介電層中的磷相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量。

15.如權(quán)利要求11所述的多層電子組件，其中，所述覆蓋部包括具有核-殼結(jié)構(gòu)的多個(gè)晶粒、設(shè)置在相鄰晶粒之間的晶界、設(shè)置在三個(gè)或更多個(gè)晶界彼此接觸的點(diǎn)處的三交點(diǎn)以及第二相，并且

16.如權(quán)利要求11所述的多層電子組件，其中，所述覆蓋部還包括鋇，并且

17.如權(quán)利要求11所述的多層電子組件，其中，所述主體包括在所述第一方向上彼此相對(duì)的第一表面和第二表面、連接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相對(duì)的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并在第三方向上彼此相對(duì)的第五表面和第六表面，

18.如權(quán)利要求17所述的多層電子組件，其中，包括在所述第二介電層中的鎵相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量大于包括在所述第三介電層中的鎵相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量。

19.如權(quán)利要求17所述的多層電子組件，其中，包括在所述第二介電層中的磷相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量大于包括在所述第三介電層中的磷相對(duì)于100摩爾的鈦的摩爾量。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供一種多層電子組件，所述多層電子組件包括：主體，包括電容形成部和覆蓋部，所述電容形成部包括介電層以及在第一方向上與所述介電層交替設(shè)置的內(nèi)電極，所述覆蓋部設(shè)置在所述電容形成部的在所述第一方向上的上表面和下表面上；以及外電極，設(shè)置在所述主體上，并且所述覆蓋部可包括鈦(Ti)、鎵(Ga)和磷(P)，包括在所述覆蓋部中的鎵(Ga)相對(duì)于100摩爾的鈦(Ti)的摩爾量可大于等于0.3摩爾且小于等于6.0摩爾。

技術(shù)研發(fā)人員：樸廷振,崔虎森,沈大振,崔孝成,李丞鏞,李勇和,申真福,金孝燮,鄭東俊,李種皓
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15