本公開(kāi)的示例實(shí)施例總體上涉及晶片級(jí)封裝中輸入/輸出(i/o)接觸焊盤(pán)的重新定位，并且更具體地，涉及使用多軸激光鉆鉆出穿過(guò)再分布層的偏離垂直的孔，以便重新定位晶片級(jí)封裝中的i/o接觸焊盤(pán)。

背景技術(shù)：

1、隨著需要半導(dǎo)體的新技術(shù)的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體的需求在不斷增加。此外，隨著電子裝置的發(fā)展，更小、更薄的形狀規(guī)格已變得越來(lái)越可期望且可實(shí)現(xiàn)。用于電子裝置的半導(dǎo)體封裝在大小上持續(xù)縮小并且被一起更靠近地布設(shè)。這些半導(dǎo)體封裝以及電子裝置的其他部件的一些參數(shù)的大小由除了下面的半導(dǎo)體芯片以外的特征決定。

2、隨著需求的增加，半導(dǎo)體芯片和封裝的生產(chǎn)努力跟上。制造效率對(duì)于通過(guò)減少生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片封裝所需的時(shí)間來(lái)增大生產(chǎn)量是極其重要的。此外，制造質(zhì)量對(duì)于確保所生產(chǎn)的半導(dǎo)體芯片封裝滿(mǎn)足產(chǎn)品的必要標(biāo)準(zhǔn)以避免浪費(fèi)并進(jìn)一步提高制造效率是至關(guān)重要的。

3、需要用于半導(dǎo)體制造的新的系統(tǒng)、設(shè)備和方法。發(fā)明人已確認(rèn)現(xiàn)有技術(shù)和工藝中的眾多改進(jìn)領(lǐng)域，這些改進(jìn)領(lǐng)域是本文中描述的實(shí)施例的主題。通過(guò)應(yīng)用的努力、獨(dú)創(chuàng)性和創(chuàng)新，這些缺陷、挑戰(zhàn)和問(wèn)題中的許多已通過(guò)開(kāi)發(fā)本公開(kāi)的實(shí)施例中包括的技術(shù)方案而得以解決，本文中詳述了這些技術(shù)方案的一些示例。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的一個(gè)方面公開(kāi)了一種晶片級(jí)封裝，其特征在于，所述晶片級(jí)封裝包括：硅晶片，其中，所述硅晶片限定沿著主水平表面的平面；接觸焊盤(pán)，所述接觸焊盤(pán)位于所述硅晶片的所述主水平表面上；再分布層，所述再分布層位于所述硅晶片上；穿過(guò)所述再分布層的孔，其中，所述孔限定所述孔沿著其延伸的軸線，其中所述軸線相對(duì)于所述平面成約10度和80度之間的角度；以及接觸件，所述接觸件從所述接觸焊盤(pán)通過(guò)穿過(guò)所述再分布層的孔延伸到所述再分布層上的與所述硅晶片相對(duì)的位置。

2、根據(jù)本技術(shù)的至少一個(gè)實(shí)施例，使用多軸激光鉆形成穿過(guò)所述再分布層的所述孔。

3、根據(jù)本技術(shù)的至少一個(gè)實(shí)施例，所述晶片級(jí)封裝還包括：焊料掩模，所述焊料掩模位于所述再分布層上方；以及焊料球，所述焊料球位于與所述接觸焊盤(pán)電連通的所述接觸件上。

4、根據(jù)本技術(shù)的至少一個(gè)實(shí)施例，所述再分布層包括味之素堆積膜。

5、根據(jù)本技術(shù)的至少一個(gè)實(shí)施例，所述接觸焊盤(pán)是半導(dǎo)體芯片的輸入/輸出(i/o)部分的接觸焊盤(pán)。

6、根據(jù)本技術(shù)的至少一個(gè)實(shí)施例，所述孔的直徑是約25微米。

7、本技術(shù)的另一個(gè)方面公開(kāi)了一種用于生產(chǎn)晶片級(jí)封裝的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括：晶片，所述晶片具有接觸焊盤(pán)以及覆蓋所述晶片的主表面和所述接觸焊盤(pán)的再分布層；以及多軸激光鉆，其中，所述多軸激光鉆被配置為相對(duì)于由所述晶片的所述主表面限定的平面以各種不同角度鉆出穿過(guò)所述再分布層到達(dá)所述接觸焊盤(pán)中的至少一個(gè)的孔。

8、根據(jù)本技術(shù)的至少一個(gè)實(shí)施例，所述多軸激光鉆被配置為鉆出與通過(guò)所述晶片限定的所述平面成約10度和約80度之間的孔。

9、根據(jù)本技術(shù)的至少一個(gè)實(shí)施例，所述多軸激光鉆被配置為鉆出直徑為至少25微米的穿過(guò)所述再分布層的孔。

10、本文中描述的各種實(shí)施例涉及晶片級(jí)封裝中輸入/輸出(i/o)接觸焊盤(pán)的重新定位，并且更具體地，涉及使用多軸激光鉆鉆出穿過(guò)再分布層的偏離垂直的孔，以便重新定位晶片級(jí)封裝中的i/o接觸焊盤(pán)。根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例，提供了一種示例方法。本文中提供的實(shí)施例包括一種制造晶片級(jí)封裝的方法，所述方法包括：在其上設(shè)置有接觸焊盤(pán)的晶片上形成再分布層，其中所述晶片限定沿著其上設(shè)置有所述接觸焊盤(pán)的主水平表面的平面；用多軸激光鉆鉆出沿著穿過(guò)所述再分布層的軸線到達(dá)所述接觸焊盤(pán)的孔，其中穿過(guò)所述再分布層的所述孔的軸線相對(duì)于所述平面成既不平行又不正交的角度；以及形成接觸件，所述接觸件從所述接觸焊盤(pán)通過(guò)穿過(guò)所述再分布層的所述孔延伸到所述再分布層上的位置。

11、根據(jù)一些實(shí)施例，穿過(guò)所述再分布層的所述孔的軸線相對(duì)于所述平面成10度和80度之間的角度。一些實(shí)施例的所述方法還包括：在鉆孔之后形成晶種層；以及在所述晶種層上方施加光致抗蝕劑干膜層壓層，其中在所述光致抗蝕劑干膜層壓層沒(méi)有固化處形成從所述接觸焊盤(pán)延伸的所述接觸件。一些實(shí)施例的所述方法還包括：在所述再分布層上方施加焊料掩模；以及在與所述接觸焊盤(pán)電連通的所述接觸件處附接焊料球。在一些實(shí)施例中，所述再分布層包括味之素堆積膜。一些實(shí)施例的所述接觸焊盤(pán)是半導(dǎo)體芯片的輸入/輸出(i/o)部分的接觸焊盤(pán)。根據(jù)一些實(shí)施例，所述方法可以包括確定穿過(guò)所述再分布層的所述孔相對(duì)于所述平面的角度是基于所述再分布層的厚度和所述接觸件相對(duì)于所述接觸焊盤(pán)的所需位置。一些實(shí)施例的所述孔是約25微米。

12、根據(jù)一些實(shí)施例，所述接觸焊盤(pán)是第一接觸焊盤(pán)，所述孔是第一孔，所述軸線是第一軸線，所述接觸件是第一接觸件，并且所述角度是第一角度，所述方法還包括：用所述多軸激光鉆鉆出沿著穿過(guò)所述再分布層的第二軸線到達(dá)所述晶片的第二接觸焊盤(pán)的第二孔，其中穿過(guò)所述再分布層的所述第二孔的所述第二軸線相對(duì)于所述平面成不同于所述第一角度的第二角度；以及形成第二接觸件，所述第二接觸件從所述第二接觸焊盤(pán)通過(guò)穿過(guò)所述再分布層的孔延伸到所述再分布層上的與所述晶片相對(duì)的位置。根據(jù)一些實(shí)施例，鉆出沿著穿過(guò)所述再分布層的軸線到達(dá)所述接觸焊盤(pán)的孔還包括在鉆孔之后，從所述孔去除摩擦熔融樹(shù)脂或鉆孔碎屑中的一者或多者。根據(jù)一些實(shí)施例，在鉆孔之后從所述孔去除摩擦熔融樹(shù)脂或鉆孔碎屑中的一者或多者包括使用高錳酸鹽或等離子體處理中的至少一種來(lái)處理所述孔。

13、本文中提供的實(shí)施例包括一種晶片級(jí)封裝，所述晶片級(jí)封裝包括：硅晶片，其中所述硅晶片限定沿著主水平表面的平面；接觸焊盤(pán)，所述接觸焊盤(pán)位于所述硅晶片的所述主水平表面上；再分布層，所述再分布層位于所述硅晶片上；穿過(guò)所述再分布層的孔，其中所述孔限定所述孔沿著其延伸的軸線，其中所述軸線相對(duì)于所述平面成約10度和80度之間的角度；以及接觸件，所述接觸件從所述接觸焊盤(pán)通過(guò)穿過(guò)所述再分布層的孔延伸到所述再分布層上的與所述硅晶片相對(duì)的位置。

14、根據(jù)一些實(shí)施例，使用多軸激光鉆形成穿過(guò)所述再分布層的所述孔。一些實(shí)施例的所述晶片級(jí)封裝還包括：焊料掩模，所述焊料掩模位于所述再分布層上方；以及焊料球，所述焊料球位于與所述接觸焊盤(pán)電連通的所述接觸件上。一些實(shí)施例的所述接觸焊盤(pán)是半導(dǎo)體芯片的輸入/輸出(i/o)部分的接觸焊盤(pán)。一些實(shí)施例的所述孔的直徑是約25微米。

15、本文中提供的實(shí)施例包括一種用于生產(chǎn)晶片級(jí)封裝的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：晶片，所述晶片具有接觸焊盤(pán)以及覆蓋所述晶片的主表面和所述接觸焊盤(pán)的再分布層；以及多軸激光鉆，其中所述多軸激光鉆被配置為相對(duì)于由所述晶片的所述主表面限定的平面以各種不同角度鉆出穿過(guò)所述再分布層到達(dá)所述接觸焊盤(pán)中的至少一個(gè)的孔。一些實(shí)施例的所述多軸激光鉆被配置為鉆出與通過(guò)所述晶片限定的所述平面成約10度和約80度之間的角度的孔。一些實(shí)施例的所述多軸激光鉆被配置為鉆出直徑為至少25微米的穿過(guò)所述再分布層的孔。

16、提供以上
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
僅僅是出于總結(jié)一些示例實(shí)施例以提供對(duì)本公開(kāi)的一些方面的基本理解的目的。因此，將理解的是，上述實(shí)施例僅僅是示例并且不應(yīng)該被解釋為以任何方式縮小本公開(kāi)的主題的范圍或精神。還將理解的是，除了這里總結(jié)的實(shí)施例之外，本公開(kāi)的范圍還涵蓋了許多可能實(shí)施例，將在下面進(jìn)一步描述這些可能實(shí)施例中的一些。