本技術(shù)涉及顯示領(lǐng)域，具體涉及一種顯示面板、顯示裝置和顯示面板的制備方法。

背景技術(shù)：

1、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode，oled)以及基于發(fā)光二極管(light?emitting?diode，led)等技術(shù)的平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、筆記本電腦、臺式電腦等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

2、但目前的oled顯示產(chǎn)品的使用性能有待提升。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實施例提供一種顯示面板、顯示裝置和顯示面板的制備方法，旨在提高顯示面板的使用性能。

2、本技術(shù)第一方面實施例提供一種顯示面板，顯示面板包括：陣列基板；隔離結(jié)構(gòu)，位于陣列基板上，隔離結(jié)構(gòu)圍合形成多個隔離開口；發(fā)光層，位于陣列基板，發(fā)光層包括位于隔離開口的發(fā)光單元；第一電極層，設(shè)置于隔離開口并位于發(fā)光單元背離陣列基板的一側(cè)，第一電極層包括多個第一電極，第一電極和隔離結(jié)構(gòu)電連接；搭接功能層，設(shè)置于隔離開口并位于第一電極層背離陣列基板的一側(cè)，搭接功能層包括導(dǎo)電部和透光部，至少部分透光部與隔離結(jié)構(gòu)之間具有間隙，至少部分導(dǎo)電部位于間隙并與隔離結(jié)構(gòu)接觸連接。

3、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實施方式，間隙位于透光部的周側(cè)，導(dǎo)電部圍繞透光部呈環(huán)狀設(shè)置。

4、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，透光部包括有機(jī)材料。

5、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，有機(jī)材料為陰極圖形化材料。

6、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，導(dǎo)電部包括金屬導(dǎo)電材料。

7、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，導(dǎo)電部的厚度大于或者等于透光部的厚度。

8、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，導(dǎo)電部的厚度為10nm～1000nm。

9、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，透光部的厚度為10nm～100nm。

10、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，顯示面板還包括：光提取層，位于搭接功能層背離陣列基板的一側(cè)。

11、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，光提取層包括第一折射層和第二折射層，第二折射層位于第一折射層背離陣列基板的一側(cè)，第一折射層的折射率大于第二折射層的折射率。

12、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，第一折射層的折射率與第二折射層的折射率的差值大于或者等于0.4。

13、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，第一折射層的折射率大于透光部的折射率。

14、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，發(fā)光單元包括紅色發(fā)光單元、綠色發(fā)光單元和藍(lán)色發(fā)光單元，光提取層包括第一光提取部、第二光提取部和第三光提取部，第一光提取部和紅色發(fā)光單元對應(yīng)設(shè)置，第二光提取部和綠色發(fā)光單元對應(yīng)設(shè)置，第三光提取部和藍(lán)色發(fā)光單元對應(yīng)設(shè)置，其中，第一光提取部的厚度大于第二光提取部的厚度，和/或，第二光提取部的厚度大于第三光提取部的厚度。

15、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電層和位于第一導(dǎo)電層背離陣列基板一側(cè)的第二層，第一導(dǎo)電層在陣列基板的正投影位于第二層在陣列基板的正投影之內(nèi)。

16、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，第二層包括導(dǎo)電材料或者絕緣材料。

17、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，第二層包括金屬材料，且第一導(dǎo)電層和第二層的材料不同。

18、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，第一電極與第一導(dǎo)電層電連接。

19、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，導(dǎo)電部與第一導(dǎo)電層電連接。

20、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)還包括位于第一導(dǎo)電層朝向陣列基板一側(cè)的第三層，第一導(dǎo)電層在陣列基板的正投影位于第三層在陣列基板的正投影之內(nèi)。

21、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，第一電極與第一導(dǎo)電層、第三層均連接。

22、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，光提取層背離陣列基板的表面與陣列基板的距離為第一距離，第二層靠近陣列基板的表面與陣列基板的距離為第二距離，第一距離小于或者等于第二距離。

23、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，顯示面板還包括：像素定義層，位于陣列基板上，像素定義層包括像素限定部和由像素限定部圍合形成的像素開口，至少部分發(fā)光單元位于像素開口，像素開口與隔離開口連通。

24、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，隔離結(jié)構(gòu)位于像素限定部背離陣列基板的一側(cè)。

25、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，像素限定部上開設(shè)有容納開口，隔離結(jié)構(gòu)位于容納開口。

26、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，顯示面板還包括像素電極，至少部分像素電極由像素開口露出。

27、根據(jù)本技術(shù)第一方面前述任一實施方式，像素電極包括由像素開口的露出的主體部，主體部在陣列基板的正投影位于透光部在陣列基板的正投影之內(nèi)。

28、本技術(shù)第二方面的實施例提供一種顯示裝置，其包括上述任一實施方式的顯示面板。

29、本技術(shù)第三方面的實施例提供一種顯示面板的制備方法，包括：

30、在陣列基板上制備隔離結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)圍合形成多個隔離開口；

31、在陣列基板上制備發(fā)光層，發(fā)光層包括位于隔離開口的發(fā)光單元；

32、在發(fā)光層背離陣列基板的一側(cè)制備第一電極層，第一電極層設(shè)置于隔離開口內(nèi)并包括多個第一電極，第一電極和隔離結(jié)構(gòu)電連接；

33、在第一電極層背離陣列基板的一側(cè)制備搭接功能層，搭接功能層設(shè)置于隔離開口內(nèi)并包括導(dǎo)電部和透光部，至少部分透光部與隔離結(jié)構(gòu)之間具有間隙，至少部分導(dǎo)電部位于間隙并與隔離結(jié)構(gòu)接觸連接。

34、根據(jù)本技術(shù)第三方面的實施方式，透光部包括陰極圖形化材料，導(dǎo)電部包括金屬導(dǎo)電材料，在第一電極層背離陣列基板的一側(cè)制備搭接功能層步驟中，方法還包括：

35、采用精密掩膜版在第一電極層背離陣列基板的一側(cè)制備透光部，至少部分透光部與隔離結(jié)構(gòu)之間具有間隙；

36、采用通用掩膜版在透光部背離陣列基板的一側(cè)制備導(dǎo)電部，至少部分導(dǎo)電部位于間隙并與隔離結(jié)構(gòu)接觸連接。

37、根據(jù)本技術(shù)實施例的顯示面板，顯示面板包括陣列基板、隔離結(jié)構(gòu)、發(fā)光層、第一電極層和搭接功能層。隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于陣列基板上并圍合形成多個隔離開口，以將發(fā)光層進(jìn)行隔斷形成相互斷開的發(fā)光單元，從而減少載流子在發(fā)光層內(nèi)的串?dāng)_，提高顯示面板的顯示效果，且制備發(fā)光單元可以無需采用精密掩膜板，能夠減少精密掩膜板的開發(fā)和使用，降低制備成本。第一電極層被隔斷形成相互間隔的第一電極，各第一電極通過隔離結(jié)構(gòu)相互電連接以形成整面電極。搭接功能層包括導(dǎo)電部和透光部，透光部的設(shè)置能夠減小導(dǎo)電部的分布面積，以減小導(dǎo)電部對發(fā)光單元的發(fā)光遮擋。透光部與隔離結(jié)構(gòu)之間具有間隙，以設(shè)置導(dǎo)電部，導(dǎo)電部與隔離結(jié)構(gòu)電連接，從而提高第一電極與隔離結(jié)構(gòu)的搭接效果，降低第一電極與隔離結(jié)構(gòu)之間的接觸電阻，提高顯示面板的使用性能。