技術(shù)特征：

1.一種存儲(chǔ)陣列，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，所述有源圖案包括第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)和本征區(qū)，所述本征區(qū)位于所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之間；所述本征區(qū)包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域相比于所述第二區(qū)域靠近所述第二摻雜區(qū)；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，所述有源圖案在所述襯底上的投影呈圓環(huán)形，所述第二柵極在所述襯底上的投影呈圓環(huán)形；或者，所述有源圖案在所述襯底上的投影呈半圓環(huán)形，所述第二柵極在所述襯底上的投影呈半圓環(huán)形。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，在同一存儲(chǔ)層中，多個(gè)存儲(chǔ)單元的第二柵極相連，形成公共柵極層。

5.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，在所述第一方向上，至少存在兩個(gè)相鄰的存儲(chǔ)單元共用同一所述第二柵極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，所述有源圖案包括第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)、第三摻雜區(qū)和本征區(qū)；所述本征區(qū)位于所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之間，所述第三摻雜區(qū)位于所述第一摻雜區(qū)與所述本征區(qū)之間；所述第三摻雜區(qū)的摻雜元素類型與所述第二摻雜區(qū)的摻雜元素類型相同，所述第三摻雜區(qū)的摻雜元素類型與所述第一摻雜區(qū)的摻雜元素類型不同；

7.根據(jù)權(quán)利要求2～6中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，所述有源圖案在所述襯底上的投影呈圓環(huán)形，所述第一柵極在所述襯底上的投影呈圓環(huán)形；或者，

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，位于同一存儲(chǔ)層中的多個(gè)存儲(chǔ)單元沿第二方向排列成多行，沿第三方向排列成多列；其中，所述第二方向和所述第三方向均平行于所述襯底，且所述第二方向和所述第三方向相垂直；

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，所述柵極包括第一柵極，所述存儲(chǔ)陣列還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，所述第一連接結(jié)構(gòu)在所述襯底上的投影的形狀，與所述第一柵極在所述襯底上的投影的形狀相同。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，所述柵極包括第一柵極，位于同一行的多個(gè)存儲(chǔ)單元中的第一柵極直接相連，且位于同一行的多個(gè)存儲(chǔ)單元中相鄰的兩個(gè)有源圖案直接相連。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，在所述第一方向上相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元關(guān)于第一參考面對(duì)稱；所述第一參考面平行于所述襯底。

13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，所述有源圖案在所述襯底上的投影呈半圓環(huán)形；所述第一極在所述襯底上的投影呈圓形；在同一所述存儲(chǔ)層中，存在兩個(gè)相鄰的存儲(chǔ)單元，共用同一第一極。

14.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，所述有源圖案在所述襯底上的投影呈半圓環(huán)形，所述第一極在所述襯底上的投影呈半圓形；或者，所述有源圖案在所述襯底上的投影呈圓環(huán)形，所述第一極在所述襯底上的投影呈圓形；

15.根據(jù)權(quán)利要求1～14中任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)陣列，其特征在于，所述多個(gè)存儲(chǔ)層中的公共電極層相連。

16.一種存儲(chǔ)陣列的制備方法，其特征在于，包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，所述在襯底上形成多個(gè)存儲(chǔ)層，包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，所述在襯底上形成多個(gè)存儲(chǔ)層，包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕所述半導(dǎo)體層，形成半導(dǎo)體圖案包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制備方法，其特征在于，所述在所述通孔中形成第一極，包括：

21.根據(jù)權(quán)利要求17～20中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述堆疊膜層還包括位于第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)的另一個(gè)所述半導(dǎo)體層。

22.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

23.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)陣列及其制備方法、存儲(chǔ)器、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，用于提高存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度，簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器的制備工藝。該存儲(chǔ)陣列襯底和多個(gè)存儲(chǔ)層，多個(gè)存儲(chǔ)層沿垂直于襯底的第一方向堆疊設(shè)置；存儲(chǔ)層包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元包括可控晶閘管，可控晶閘管包括有源圖案、柵極、第一極和第二極。其中，沿第一方向，柵極位于有源圖案的至少一側(cè)，且與有源圖案相絕緣；第一極沿第一方向延伸；有源圖案圍設(shè)在第一極的周側(cè)，且與第一極電連接；第二極與有源圖案同層設(shè)置，且與有源圖案相連；有源圖案位于第一極與第二極之間。該存儲(chǔ)陣列應(yīng)用至存儲(chǔ)器中，以提高存儲(chǔ)器的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：景蔚亮,黃凱亮,孫瑩,王正波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華為技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19