本申請涉及顯示，尤其涉及一種量子點薄膜及其制備方法、發(fā)光器件。

背景技術：

1、現有技術中，在制備電子傳輸層時，可能會發(fā)生水氧穿過發(fā)光層滲透至空穴功能層的現象，導致空穴功能層材料被破壞，進而使得發(fā)光器件使用壽命降低。

技術實現思路

1、基于此，本申請實施例提供一種量子點薄膜及其制備方法、發(fā)光器件。

2、為了解決上述技術問題，本申請實施例提供一種量子點薄膜的制備方法，所述量子點薄膜的制備方法采用了如下所述的技術方案：

3、提供包括量子點材料和第二溶劑的量子點溶液，使所述量子點溶液中的所述第二溶劑揮發(fā)，形成量子點薄膜；其中，所述量子點薄膜的材料包括量子點材料和氟元素。

4、進一步的，所述形成量子點薄膜的步驟包括：

5、對所述量子點溶液進行干燥處理，形成預制薄膜；

6、用含氟有機配體對所述預制薄膜進行配體交換處理，以形成含有氟元素的量子點薄膜；

7、可選地，所述含氟有機配體包括含氟脂肪硫醇、含氟脂肪酸、含氟脂肪胺、含氟脂肪醇、含氟芳香烴中的至少一種。

8、進一步的，所述用含氟有機配體對所述預制薄膜進行配體交換處理的步驟包括：

9、提供含氟處理液，所述含氟處理液包括含氟有機配體和第一溶劑；

10、將所述預制薄膜浸泡于含氟處理液中，浸泡時間為10min～30min，浸泡溫度為10℃～25℃；

11、所述第一溶劑與所述第二溶劑一個為極性溶劑，另一個為非極性溶劑；

12、可選地，所述含氟有機配體選自三氟甲硫醇、三氟乙硫醇、三氟乙酸、全氟辛基胺、三氟甲胺、三氟甲醇、全氟二巰基丙醇、六氟苯、含氟兒茶酚中的至少一種；和/或，

13、所述第一溶劑包括c5～c12的烷烴、氯仿、二氯甲烷、四氯化碳、苯、甲苯、二甲苯、丙酮、dmf、dmso以及乙醚中的至少一種，所述第二溶劑包括c5～c12的烷烴、氯仿、二氯甲烷、四氯化碳、苯、甲苯、二甲苯、丙酮、dmf、dmso以及乙醚中的至少一種；和/或，

14、所述含氟有機配體和所述第一溶劑的質量比為1:5～1:20；

15、和/或，所述量子點溶液中量子點材料的濃度為5mg/ml～50mg/ml。

16、進一步的，所述提供包括量子點材料和第二溶劑的量子點溶液的步驟之前，還包括步驟：

17、提供量子點材料、第二溶劑、含氟材料；其中，所述含氟材料包括含氟有機配體和/或含氟聚合物；

18、將所述量子點材料、所述第二溶劑、所述含氟材料混合形成所述量子點溶液。

19、進一步的，當所述含氟材料僅包括含氟有機配體時，所述量子點溶液中所述含氟有機配體和所述量子點材料的質量比為5％～15％；或，

20、當所述含氟材料僅包括含氟聚合物時，所述量子點溶液中所述含氟聚合物和所述量子點材料的質量比為2％～15％；和/或，

21、所述使所述量子點溶液中的所述第二溶劑揮發(fā)，形成量子點薄膜的步驟包括：對所述量子點溶液進行干燥處理，以形成量子點薄膜。

22、進一步的，所述含氟有機配體選自三氟甲硫醇、三氟乙硫醇、三氟醋酸、全氟辛基胺、三氟甲胺、三氟甲醇、全氟二巰基丙醇、六氟苯、含氟兒茶酚中的至少一種；和/或，

23、所述第二溶劑包括c5～c12的烷烴、氯仿、二氯甲烷、四氯化碳、苯、甲苯、二甲苯、丙酮、dmf、dmso以及乙中的至少一種；和/或，

24、所述含氟聚合物包括聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚偏氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、乙烯-三氟氯乙烯共聚物、聚氟乙烯、四氟乙烯/全氟烷基醚共聚物、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物、四氟乙烯/乙烯共聚物、含氟聚酰亞胺、全氟聚醚中的一種或其組合。

25、進一步的，所述制備方法還包括以下步驟：對所述量子點薄膜進行cf4等離子體處理。

26、進一步的，所述量子點材料包括ⅱ﹣ⅵ族化合物半導體及其核殼結構、ⅲ﹣ⅴ或ⅳ﹣ⅵ族化合物半導體及其核殼結構；

27、所述ⅱ﹣ⅵ族半導體化合物包括cdse、cdte、cdo、cds、znse、hgo、hgs、hgse、cdses、cdsete、cdste、cdzns、cdznse、sisete、hgses、hgste、hgsis、hgsese、cdznsete、hgsiste、hgsises中的至少一種；和/或，

28、所述ⅲ﹣ⅴ族半導體化合物包括a1n、alp、alas、alsb、gan、gap、a1np、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ganp、ganas、gapas、gapsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnas、gaaln、gaalpas、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp中的至少一種；和/或，

29、所述ⅳ﹣ⅵ族半導體化合物包括snse、snte、pbse、pbs、pbte、snses、snsete、snste、snpbs、snpbse、snpbte、pbste、pbses、pbsete、snpbsse、snpbsete、snpbste所中的至少一種；和/或，

30、所述量子點材料的平均粒徑為5nm～20nm。

31、相應的，本申請還提供一種量子點薄膜，所述薄膜采用了如上所述的量子點薄膜的制備方法制備而成。

32、相應的，本申請還提供一種發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括發(fā)光層，其特征在于，所述發(fā)光層采用如上所述的量子點薄膜制備方法制備而成，或采用如上所述的量子點薄膜。

33、與現有技術相比，本申請實施例能夠降低量子點薄膜的表面能，提高了發(fā)光器件的使用壽命。

技術特征：

1.一種量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據權利要求1所述的量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述使所述量子點溶液中的所述第二溶劑揮發(fā)，形成量子點薄膜的步驟包括：

3.根據權利要求2所述的量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述用含氟有機配體對所述預制薄膜進行配體交換處理的步驟包括：

4.根據權利要求1所述的量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述提供包括量子點材料和第二溶劑的量子點溶液的步驟之前，還包括步驟：

5.根據權利要求4所述的量子點薄膜的制備方法，其特征在于，若所述含氟材料由含氟有機配體組成，所述量子點溶液中所述含氟有機配體和所述量子點材料的質量比為5％～15％；或，若所述含氟材料由含氟聚合物組成，所述量子點溶液中所述含氟聚合物和所述量子點材料的質量比為2％～15％；和/或，

6.根據權利要求4所述的量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述含氟有機配體選自三氟甲硫醇、三氟乙硫醇、三氟乙酸、全氟辛基胺、三氟甲胺、三氟甲醇、全氟二巰基丙醇、六氟苯、含氟兒茶酚中的至少一種；和/或，

7.根據權利要求1所述的量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括以下步驟：對所述量子點薄膜進行cf4等離子體處理。

8.根據權利要求1-7所述的量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述量子點材料包括ⅱ﹣ⅵ族化合物半導體及其核殼結構、ⅲ﹣ⅴ或ⅳ﹣ⅵ族化合物半導體及其核殼結構；

9.一種量子點薄膜，其特征在于，所述薄膜采用了權利要求1至8任一項所述的量子點薄膜的制備方法制備而成。

10.一種發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括發(fā)光層，其特征在于，所述發(fā)光層采用權利要求1至8任一項所述的量子點薄膜制備方法制備而成，或采用權利要求9所述的量子點薄膜。

技術總結
本申請屬于顯示技術領域，涉及一種量子點薄膜及制備方法、發(fā)光器件。量子點薄膜的制備方法包括：提供包括量子點材料和第二溶劑的量子點溶液，使所述量子點溶液中的所述第二溶劑揮發(fā)，形成量子點薄膜；其中，所述量子點薄膜包括量子點材料和氟元素。本申請制備而成的量子點薄膜中包括含氟元素，氟電負性非常大，幾乎不能被激化，因此能夠降低量子點薄膜的表面能，進而使量子點薄膜具有疏液特性，能夠隔絕水氧。

技術研發(fā)人員：陳亞文,莊錦勇,付東
受保護的技術使用者：廣東聚華印刷顯示技術有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/5/19