以下描述涉及一種功率放大器。

背景技術(shù)：

1、隨著通信標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展，無(wú)線通信系統(tǒng)采用各種數(shù)字調(diào)制/解調(diào)方案。傳統(tǒng)的碼分多址（cdma）通信系統(tǒng)使用正交相移鍵控（qpsk）方案，而遵循ieee的通信標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線局域網(wǎng)（lan）使用正交頻分復(fù)用（ofdm）方案。最近的3gpp標(biāo)準(zhǔn)（例如，長(zhǎng)期演進(jìn)（lte）和高級(jí)lte）利用qpsk方案、正交幅度調(diào)制（qam）方案和ofdm方案。

2、無(wú)線通信系統(tǒng)的發(fā)送終端包括前端模塊（fem）。最近，已存在朝向支持多種通信模式的單個(gè)fem的趨勢(shì)。安裝在fem中的功率放大器也在單個(gè)集成電路（ic）核中實(shí)現(xiàn)，該功率放大器可能被期望支持多種通信模式。當(dāng)在單個(gè)ic核中實(shí)現(xiàn)的功率放大器支持多種通信模式時(shí)，可能期望針對(duì)每種通信模式優(yōu)化性能指標(biāo)（諸如，線性度和效率）。

3、以上信息僅作為背景信息呈現(xiàn)以幫助理解本公開(kāi)。上述記載不應(yīng)被解釋為這些內(nèi)容屬于本公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、提供本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
以按照簡(jiǎn)化的形式介紹所選擇的構(gòu)思，并在以下具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述這些構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容既不意在明確所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定所要求保護(hù)的主題的范圍。

2、在一個(gè)總體方面，一種功率放大器包括：第一功率晶體管，被配置為放大第一輸入射頻（rf）信號(hào)，并且輸出第一輸出rf信號(hào)；第一偏置電路，被配置為在第一通信模式下操作，并且所述第一偏置電路包括第一晶體管，所述第一晶體管被配置為向所述第一功率晶體管供應(yīng)第一偏置電流；以及第二偏置電路，被配置為在第二通信模式下操作，并且所述第二偏置電路包括第二晶體管，所述第二晶體管被配置為向所述第一功率晶體管供應(yīng)第二偏置電流。

3、所述功率放大器還可包括：第一線性化電路，連接在輸入所述第一輸入rf信號(hào)的端子與所述第一偏置電路之間，并且所述第一線性化電路被配置為：在所述第一通信模式下，將所述第一輸入rf信號(hào)的一部分耦合到所述第一偏置電路的輸出；以及第二線性化電路，連接在輸入所述第一輸入rf信號(hào)的所述端子與所述第二偏置電路之間，并且所述第二線性化電路被配置為：在所述第二通信模式下，將所述第一輸入rf信號(hào)的一部分耦合到所述第二偏置電路的輸出。

4、所述第一晶體管可包括被配置為向所述第一功率晶體管供應(yīng)所述第一偏置電流的第一端子。所述第二晶體管可包括被配置為向所述第一功率晶體管供應(yīng)所述第二偏置電流的第一端子。所述第一線性化電路可被配置為：在所述第一通信模式下，將所述第一輸入rf信號(hào)的一部分耦合到所述第一晶體管的所述第一端子。所述第二線性化電路可被配置為：在所述第二通信模式下，將所述第一輸入rf信號(hào)的一部分耦合到所述第二晶體管的所述第一端子。

5、所述第一線性化電路可包括第一電容器，所述第一電容器連接在輸入所述第一輸入rf信號(hào)的所述端子與所述第一晶體管的所述第一端子之間。所述第二線性化電路可包括第二電容器，所述第二電容器連接在輸入所述第一輸入rf信號(hào)的所述端子與所述第二晶體管的所述第一端子之間。

6、所述第一線性化電路還可包括第一電阻器，所述第一電阻器與所述第一電容器串聯(lián)連接在輸入所述第一輸入rf信號(hào)的所述端子與所述第一晶體管的所述第一端子之間。所述第二線性化電路還可包括第二電阻器，所述第二電阻器與所述第二電容器串聯(lián)連接在輸入所述第一輸入rf信號(hào)的所述端子與所述第二晶體管的所述第一端子之間。

7、所述第一晶體管可包括被配置為向所述第一功率晶體管供應(yīng)所述第一偏置電流的第一端子。所述第二晶體管可包括被配置為向所述第一功率晶體管供應(yīng)所述第二偏置電流的第一端子。所述功率放大器還可包括：第一電容器，包括連接到輸入所述第一輸入rf信號(hào)的端子的第一端子；第一電阻器，連接在所述第一電容器的第二端子與所述第一晶體管的所述第一端子之間；以及第二電阻器，連接在所述第一電容器的所述第二端子與所述第二晶體管的所述第一端子之間。

8、所述第一電容器和所述第一電阻器可被配置為在所述第一通信模式下將所述第一輸入rf信號(hào)的一部分耦合到所述第一晶體管的所述第一端子。所述第一電容器和所述第二電阻器可被配置為在所述第二通信模式下將所述第一輸入rf信號(hào)的一部分耦合到所述第二晶體管的所述第一端子。

9、所述功率放大器還可包括：第一電阻器，連接在所述第一晶體管的所述第一端子與所述第一功率晶體管的輸入端子之間；以及第二電阻器，連接在所述第二晶體管的所述第一端子與所述第一功率晶體管的所述輸入端子之間。

10、所述第一晶體管的所述第一端子可以是所述第一晶體管的發(fā)射極，并且所述第二晶體管的所述第一端子可以是所述第二晶體管的發(fā)射極。

11、所述第一通信模式可以是2g通信模式，并且所述第二通信模式可以是4g通信模式或5g通信模式。

12、所述功率放大器還可包括：第二功率晶體管，被配置為放大第二輸入rf信號(hào)，并且輸出第二輸出rf信號(hào)；以及第三偏置電路，被配置為在所述第一通信模式和所述第二通信模式下操作，所述第三偏置電路包括第三晶體管，所述第三晶體管被配置為向所述第二功率晶體管供應(yīng)第三偏置電流。所述第一輸入rf信號(hào)可對(duì)應(yīng)于所述第二輸出rf信號(hào)。

13、所述功率放大器還可包括：第三線性化電路，連接在輸入所述第二輸入rf信號(hào)的端子與所述第三偏置電路之間，并且所述第三線性化電路被配置為：在所述第一通信模式和所述第二通信模式下，將所述第二輸入rf信號(hào)的一部分耦合到所述第三偏置電路的輸出。

14、所述第三晶體管可包括被配置為向所述第二功率晶體管供應(yīng)所述第三偏置電流的第一端子。所述第三線性化電路可包括電容器，所述電容器連接在輸入所述第二輸入rf信號(hào)的所述端子與所述第三晶體管的所述第一端子之間。

15、所述第三線性化電路還可包括電阻器，所述電阻器與所述電容器串聯(lián)連接在輸入所述第二輸入rf信號(hào)的所述端子與所述第三晶體管的所述第一端子之間。

16、在另一總體方面，一種功率放大器包括：第一功率晶體管，被配置為放大第一輸入射頻（rf）信號(hào)，并且輸出第一輸出rf信號(hào)；第一晶體管，被配置為在第一通信模式和第二通信模式下操作，并且所述第一晶體管包括被配置為向所述第一功率晶體管供應(yīng)第一偏置電流的第一端子；第二功率晶體管，被配置為放大對(duì)應(yīng)于所述第一輸出rf信號(hào)的第二輸入rf信號(hào)，并且輸出第二輸出rf信號(hào)；第二晶體管，被配置為在所述第一通信模式下操作，并且所述第二晶體管包括被配置為向所述第二功率晶體管供應(yīng)第二偏置電流的第一端子；以及第三晶體管，被配置為在所述第二通信模式下操作，并且所述第三晶體管包括被配置為向所述第二功率晶體管供應(yīng)第三偏置電流的第一端子。

17、所述功率放大器還可包括：第一線性化電路，連接在輸入所述第一輸入rf信號(hào)的端子與所述第一晶體管的所述第一端子之間，并且所述第一線性化電路被配置為：在所述第一通信模式和所述第二通信模式下，將所述第一輸入rf信號(hào)的一部分耦合到所述第一晶體管的所述第一端子；第二線性化電路，連接在輸入所述第二輸入rf信號(hào)的端子與所述第二晶體管的所述第一端子之間，并且所述第二線性化電路被配置為：在所述第一通信模式下，將所述第二輸入rf信號(hào)的一部分耦合到所述第二晶體管的所述第一端子；以及第三線性化電路，連接在輸入所述第二輸入rf信號(hào)的所述端子與所述第三晶體管的所述第一端子之間，并且所述第三線性化電路被配置為：在所述第二通信模式下，將所述第二輸入rf信號(hào)的一部分耦合到所述第三晶體管的所述第一端子。

18、所述第一線性化電路可包括第一電容器和第一電阻器，所述第一電容器和所述第一電阻器串聯(lián)連接在輸入所述第一輸入rf信號(hào)的所述端子與所述第一晶體管的所述第一端子之間。所述第二線性化電路可包括第二電容器和第二電阻器，所述第二電容器和所述第二電阻器串聯(lián)連接在輸入所述第二輸入rf信號(hào)的所述端子與所述第二晶體管的所述第一端子之間。所述第三線性化電路可包括第三電容器和第三電阻器，所述第三電容器和所述第三電阻器串聯(lián)連接在輸入所述第二輸入rf信號(hào)的所述端子與所述第三晶體管的所述第一端子之間。

19、所述功率放大器還可包括：第一電容器，包括連接到輸入所述第二輸入rf信號(hào)的端子的第一端子；第一電阻器，連接在所述第一電容器的第二端子與所述第二晶體管的所述第一端子之間；以及第二電阻器，連接在所述第一電容器的所述第二端子與所述第三晶體管的所述第一端子之間。

20、所述第一電容器和所述第一電阻器可被配置為在所述第一通信模式下將所述第二輸入rf信號(hào)的一部分耦合到所述第二晶體管的所述第一端子。所述第一電容器和所述第二電阻器可被配置為在所述第二通信模式下將所述第二輸入rf信號(hào)的一部分耦合到所述第三晶體管的所述第一端子。

21、所述第一晶體管的所述第一端子可以是所述第一晶體管的發(fā)射極，所述第二晶體管的所述第一端子可以是所述第二晶體管的發(fā)射極，并且所述第三晶體管的所述第一端子可以是所述第三晶體管的發(fā)射極。

22、通過(guò)下面的具體實(shí)施方式和附圖，其他特征和方面將是易于理解的。