本公開涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、為了滿足消費(fèi)者要求的優(yōu)異性能和低價(jià)格，需要具有增加的集成度的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。因?yàn)榧闪渴谴_定產(chǎn)品價(jià)格的重要因素，所以半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的增加的集成度可以是有益的。

2、二維或平面半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的集成度可主要由單位存儲(chǔ)器單元的面積確定，因此集成量極大地受精細(xì)圖案形成技術(shù)影響。然而，可需要超昂貴的設(shè)備來實(shí)現(xiàn)精細(xì)圖案以實(shí)現(xiàn)要求的集成水平，并且二維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置因此可具有增加的集成度，但是在二維或平面半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置中實(shí)現(xiàn)的集成量仍然有限。

3、可選地，利用除了單元區(qū)域以外的區(qū)域（諸如，圍繞單元區(qū)域的區(qū)域）以提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的集成度并且同時(shí)提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的驅(qū)動(dòng)能力是可行的。例如，在圍繞單元區(qū)域的區(qū)域中設(shè)置布線以提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的集成度，并且利用設(shè)置在圍繞區(qū)域中的布線以由此提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的電流驅(qū)動(dòng)能力是可行的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的發(fā)明構(gòu)思可提供具有改善的可靠性和生產(chǎn)率的半導(dǎo)體裝置。

2、根據(jù)實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：基底，具有在單元陣列區(qū)域中的部分和在外圍電路區(qū)域中的部分；外圍電路結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在基底上的外圍電路和連接到外圍電路的外圍電路布線；以及單元陣列結(jié)構(gòu)，設(shè)置在外圍電路結(jié)構(gòu)上，其中，單元陣列區(qū)域中的單元陣列結(jié)構(gòu)包括：多條位線，設(shè)置在外圍電路結(jié)構(gòu)上并沿第一方向延伸；多條字線，在所述多條位線上在與第一方向不同的第二方向上延伸；有源圖案，設(shè)置在所述多條字線中的第一字線與第二字線之間；單元連接墊，連接到有源圖案；以及單元電容器，設(shè)置在單元連接墊上，并且外圍電路區(qū)域中的單元陣列結(jié)構(gòu)包括：至少一個(gè)導(dǎo)電墊，包括與單元電容器相同的材料并且被設(shè)置為使所述導(dǎo)電墊的下表面與單元電容器的下端處于相同的高度處；以及下導(dǎo)電接觸插塞，將所述導(dǎo)電墊和外圍電路結(jié)構(gòu)彼此連接。

3、根據(jù)另一實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：基底，具有在單元陣列區(qū)域中的部分和在外圍電路區(qū)域中的部分；外圍電路結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在基底上的外圍電路和連接到外圍電路的外圍電路布線；以及單元陣列結(jié)構(gòu)，設(shè)置在外圍電路結(jié)構(gòu)上，其中，單元陣列區(qū)域中的單元陣列結(jié)構(gòu)包括：多條位線，設(shè)置在外圍電路結(jié)構(gòu)上并且沿第一方向延伸；多條字線，在所述多條位線上在與第一方向不同的第二方向上延伸；有源圖案，設(shè)置在所述多條字線中的第一字線與第二字線之間；單元連接墊，連接到有源圖案；以及單元電容器，設(shè)置在單元連接墊上，其中，外圍電路區(qū)域中的單元陣列結(jié)構(gòu)包括：外圍連接墊，包括與單元連接墊相同的材料并且設(shè)置在與單元連接墊相同的高度處；至少一個(gè)外圍電容器，設(shè)置在與單元電容器相同的高度處并且設(shè)置在外圍連接墊上；上布線，設(shè)置在所述外圍電容器上；上導(dǎo)電接觸插塞，將所述外圍電容器和上布線彼此連接；以及下導(dǎo)電接觸插塞，將外圍連接墊和外圍電路結(jié)構(gòu)彼此連接，并且其中，所述外圍電容器包括：外圍下電極，連接到外圍連接墊；外圍上電極，覆蓋外圍下電極；以及外圍介電膜，設(shè)置在外圍下電極與外圍上電極之間。

4、根據(jù)又一實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：基底，具有在單元陣列區(qū)域中的第一部分和在外圍電路區(qū)域中的第二部分；外圍電路結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在基底上的外圍電路和連接到外圍電路的外圍電路布線；以及單元陣列結(jié)構(gòu)，設(shè)置在外圍電路結(jié)構(gòu)上，其中，單元陣列區(qū)域中的單元陣列結(jié)構(gòu)包括：多條位線，設(shè)置在外圍電路結(jié)構(gòu)上并且沿第一方向延伸；多條字線，在所述多條位線上在與第一方向不同的第二方向上延伸；有源圖案，設(shè)置在所述多條字線中的第一字線與第二字線之間；單元連接墊，連接到有源圖案；以及單元電容器，設(shè)置在單元連接墊上，其中，外圍電路區(qū)域中的單元陣列結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電墊和第二導(dǎo)電墊，設(shè)置在與單元電容器的端部相同的高度處；以及上絕緣層，覆蓋第一導(dǎo)電墊和第二導(dǎo)電墊并且設(shè)置在第一導(dǎo)電墊與第二導(dǎo)電墊之間，第一導(dǎo)電墊和第二導(dǎo)電墊中的每個(gè)在平面上具有平面線形狀，第一導(dǎo)電墊和第二導(dǎo)電墊彼此交替地布置使得所述導(dǎo)電墊至少部分地彼此疊置，并且第一外圍子電容器被構(gòu)造為第一導(dǎo)電墊、第二導(dǎo)電墊和上絕緣層。

5、根據(jù)實(shí)施例，所述半導(dǎo)體裝置還可通過在設(shè)置在單元陣列區(qū)域周圍的外圍電路區(qū)域中包括布線、金屬-絕緣體-金屬（mim）電容器和去耦電容器而具有提高的驅(qū)動(dòng)能力，其中布線、金屬-絕緣體-金屬（mim）電容器和去耦電容器中的每個(gè)可包括與設(shè)置在單元陣列區(qū)域中的組件相同的材料。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，下導(dǎo)電接觸插塞是第一下導(dǎo)電接觸插塞，所述半導(dǎo)體裝置還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：多個(gè)導(dǎo)電墊，包括所述至少一個(gè)導(dǎo)電墊，其中，

8.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：接合墊，設(shè)置在外圍電路結(jié)構(gòu)與單元陣列結(jié)構(gòu)之間的邊界處，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，外圍上電極包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

13.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，在外圍電路區(qū)域中還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，在外圍電路區(qū)域中還包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體裝置包括：基底，具有在單元陣列區(qū)域中的部分和在外圍電路區(qū)域中的部分；外圍電路結(jié)構(gòu)，包括外圍電路和連接到外圍電路的外圍電路布線；以及單元陣列結(jié)構(gòu)，其中，單元陣列區(qū)域中的單元陣列結(jié)構(gòu)包括：多條位線，在第一方向上延伸；多條字線，在所述多條位線上在第二方向上延伸；有源圖案，設(shè)置在第一字線與第二字線之間；單元連接墊，連接到有源圖案；以及單元電容器，并且外圍電路區(qū)域中的單元陣列結(jié)構(gòu)包括：導(dǎo)電墊，設(shè)置在與單元電容器的端部相同的高度處；以及下導(dǎo)電接觸插塞，連接導(dǎo)電墊和外圍電路結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭仁,金鐘赫,元福淵
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19