本公開(kāi)涉及磁隧道結(jié)元件和包括磁隧道結(jié)元件的存儲(chǔ)器件。

背景技術(shù)：

1、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)器件利用磁隧道結(jié)元件，通過(guò)使用元件的電阻變化來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。磁隧道結(jié)元件的電阻基于自由層的磁化方向而變化。例如，如果自由層的磁化方向與釘扎層的磁化方向相同，則磁隧道結(jié)元件具有低電阻。相反，如果自由層的磁化方向與釘扎層的磁化方向相反，則磁隧道結(jié)元件具有高電阻。該原理使得mram器件能夠表示二進(jìn)制數(shù)據(jù)，例如，低電阻狀態(tài)指示數(shù)據(jù)“0”，而高電阻狀態(tài)指示數(shù)據(jù)“1”。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)提供一種具有高隧穿磁阻和交換場(chǎng)的磁隧道結(jié)元件以及包括磁隧道結(jié)元件的存儲(chǔ)器件。

2、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，提供了一種磁隧道結(jié)元件，包括：彼此面對(duì)的釘扎層和自由層；在釘扎層上的緩沖層；在緩沖層上的輔助層；在輔助層和自由層之間的極化增強(qiáng)層；以及在極化增強(qiáng)層和自由層之間的隧道阻擋層，其中，緩沖層為非晶態(tài)并包括cofebx，并且x為w、mo、re或ta，輔助層包括w、mo或ta。

3、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，提供了一種磁隧道結(jié)元件，包括：彼此面對(duì)的釘扎層和自由層；在釘扎層上的緩沖層；在緩沖層與自由層之間的極化增強(qiáng)層；在極化增強(qiáng)層與自由層之間的隧道阻擋層，其中，緩沖層為非晶態(tài)并包括cofebx，并且x為w、mo、re或ta，極化增強(qiáng)層包括第一極化增強(qiáng)層和第二極化增強(qiáng)層，第二極化增強(qiáng)層在第一極化增強(qiáng)層和自由層之間，并且第二極化增強(qiáng)層所含的硼濃度低于第一極化增強(qiáng)層所含的硼濃度。

4、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，提供了一種存儲(chǔ)器件，包括：多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元包括磁隧道結(jié)元件和連接到磁隧道結(jié)元件的開(kāi)關(guān)元件，其中，磁隧道結(jié)元件包括：彼此面對(duì)的釘扎層和自由層；在釘扎層上的緩沖層；在緩沖層上的輔助層；在輔助層和自由層之間的極化增強(qiáng)層；以及在極化增強(qiáng)層和自由層之間的隧道阻擋層，其中，緩沖層為非晶態(tài)并包括cofebx，并且x為w、mo、re或ta，輔助層包括w、mo或ta。

技術(shù)特征：

1.一種磁隧道結(jié)元件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁隧道結(jié)元件，其中：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁隧道結(jié)元件，其中：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁隧道結(jié)元件，其中：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁隧道結(jié)元件，其中：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁隧道結(jié)元件，其中：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁隧道結(jié)元件，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁隧道結(jié)元件，其中：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁隧道結(jié)元件，其中：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁隧道結(jié)元件，其中：

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁隧道結(jié)元件，其中：

12.一種磁隧道結(jié)元件，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁隧道結(jié)元件，其中：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁隧道結(jié)元件，還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁隧道結(jié)元件，其中：

16.一種存儲(chǔ)器件，包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)器件，其中：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器件，其中：

技術(shù)總結(jié)
提供了磁隧道結(jié)元件和包括磁隧道結(jié)元件的存儲(chǔ)器件。磁隧道結(jié)元件包括：彼此面對(duì)的釘扎層和自由層；在釘扎層上的緩沖層；在緩沖層上的輔助層；在輔助層和自由層之間的極化增強(qiáng)層；以及在極化增強(qiáng)層和自由層之間的隧道阻擋層，其中緩沖層為非晶態(tài)并且包括CoFeBX，并且X為W、Mo、Re或Ta，輔助層包括W、Mo或Ta。

技術(shù)研發(fā)人員：金基雄,柳淀春,金洸奭,樸盛健,李昇宰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19