本發(fā)明涉及一種電路基板的制造方法。
背景技術(shù):
1、印刷電路板、半導(dǎo)體芯片封裝等電路基板有時具備使樹脂組合物固化而形成的固化物層。這些固化物層通常具有絕緣性,可以作為密封層或絕緣層使用。例如,在半導(dǎo)體芯片封裝中,有時通過固化物層形成密封半導(dǎo)體芯片的密封層。另外,有時通過固化物層形成作為將與半導(dǎo)體芯片連接的再布線層間絕緣的絕緣層的再布線形成層。用于形成這樣的固化物層的樹脂組合物有時含有無機(jī)填充材料(專利文獻(xiàn)1)。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1:國際公開第2019/073763號
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的課題
2、對于含有無機(jī)填充材料的固化物層,有時通過研磨而形成研磨面。研磨通常為了以高度平滑的平面的形式形成前述研磨面而進(jìn)行。在本說明書中,術(shù)語“研磨”除非另有說明,可包括磨削。在形成的研磨面上,可以通過感光性樹脂組合物形成薄膜層,或者可以通過導(dǎo)體材料形成導(dǎo)體層。
3、但是,含有無機(jī)填充材料的固化物層在研磨該固化物層而形成研磨面時,有時會在該研磨面上形成不期望的凹陷部。在形成有凹陷部的研磨面上,有時不能進(jìn)行穩(wěn)定的層形成而在該層上產(chǎn)生缺陷。例如,在研磨面上使用感光性樹脂組合物而形成薄膜層的情況下,有時不能在其凹陷部上形成薄膜層,而會形成缺陷。前述薄膜層是將布線間絕緣的絕緣層、或者將薄膜層用于光致抗蝕劑而形成布線的情況下,在前述缺陷部分產(chǎn)生不期望的導(dǎo)通,有可能成為絕緣不良的原因。
4、本發(fā)明是鑒于前述課題而創(chuàng)設(shè)的發(fā)明,其目的在于提供一種電路基板的制造方法,該電路基板具備具有抑制了凹陷部形成的研磨面的固化物層。
5、用于解決課題的方案
6、本發(fā)明人為了解決前述課題而進(jìn)行了深入研究。作為其結(jié)果,本發(fā)明人發(fā)現(xiàn):通過進(jìn)一步進(jìn)行前述研磨面上的樹脂組合物層的形成、固化及研磨,能夠抑制凹陷部的形成,從而完成了本發(fā)明。
7、即,本發(fā)明包括以下內(nèi)容。
8、<1>一種電路基板的制造方法,其依次包含下述工序:
9、通過包含無機(jī)填充材料和固化性樹脂的第一樹脂組合物形成第一樹脂組合物層的工序、
10、使第一樹脂組合物層固化而形成第一固化層的工序、
11、將第一固化層的面進(jìn)行研磨的工序、
12、通過包含固化性樹脂的第二樹脂組合物在經(jīng)研磨過的第一固化層的面上形成第二樹脂組合物層的工序、
13、使第二樹脂組合物層固化而形成第二固化層的工序,和
14、將第二固化層的與第一固化層相反側(cè)的面進(jìn)行研磨的工序;
15、第二樹脂組合物不含無機(jī)填充材料、或者包含無機(jī)填充材料;
16、第二樹脂組合物包含無機(jī)填充材料時,該無機(jī)填充材料的99%粒徑為2μm以下。
17、<2>根據(jù)<1>所述的電路基板的制造方法,其中,第一樹脂組合物中所含的無機(jī)填充材料的99%粒徑大于2μm。
18、<3>根據(jù)<1>或<2>所述的電路基板的制造方法,其中,第二樹脂組合物中所含的無機(jī)填充材料的平均粒徑比第一樹脂組合物中所含的無機(jī)填充材料的平均粒徑小。
19、<4>根據(jù)<1>~<3>中任一項(xiàng)所述的電路基板的制造方法,其中,經(jīng)研磨過的第二固化層的面的維氏硬度為10hv以上。
20、<5>根據(jù)<1>~<4>中任一項(xiàng)所述的電路基板的制造方法,其中,第一固化層的彈性模量g1為10gpa以上。
21、<6>根據(jù)<1>~<5>中任一項(xiàng)所述的電路基板的制造方法,其中,第一固化層的彈性模量g1與第二固化層的彈性模量g2之比g1/g2為1.1以上。
22、<7>根據(jù)<1>~<6>中任一項(xiàng)所述的電路基板的制造方法,其中,包括在經(jīng)研磨過的第二固化層的面上形成導(dǎo)體層的工序。
23、<8>根據(jù)<1>~<7>中任一項(xiàng)所述的電路基板的制造方法,其中,電路基板為半導(dǎo)體芯片封裝。
24、<9>根據(jù)<1>~<8>中任一項(xiàng)所述的電路基板的制造方法,其中,利用第一固化層和第二固化層形成密封層或再布線形成層。
25、發(fā)明的效果
26、根據(jù)本發(fā)明,可以提供一種電路基板的制造方法,該電路基板具備具有抑制了凹陷部的形成的研磨面的固化物層。
1.一種電路基板的制造方法,其依次包含下述工序:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板的制造方法,其中,第一樹脂組合物中所含的無機(jī)填充材料的99%粒徑大于2μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板的制造方法,其中,第二樹脂組合物中所含的無機(jī)填充材料的平均粒徑比第一樹脂組合物中所含的無機(jī)填充材料的平均粒徑小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板的制造方法,其中,經(jīng)研磨過的第二固化層的面的維氏硬度為10hv以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板的制造方法,其中,第一固化層的彈性模量g1為10gpa以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板的制造方法,其中,第一固化層的彈性模量g1與第二固化層的彈性模量g2之比g1/g2為1.1以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板的制造方法,其中,包括在經(jīng)研磨過的第二固化層的面上形成導(dǎo)體層的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板的制造方法,其中,電路基板為半導(dǎo)體芯片封裝。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板的制造方法,其中,利用第一固化層和第二固化層形成密封層或再布線形成層。