本公開(kāi)在本文中涉及一種顯示裝置及其制造方法，并且更具體地，涉及包括阻隔層的顯示裝置以及用于制造其的方法。

背景技術(shù)：

1、用于向用戶提供圖像的顯示裝置，諸如電視機(jī)、移動(dòng)電話、平板、計(jì)算機(jī)、導(dǎo)航系統(tǒng)和游戲控制臺(tái)，可以具有用于生成和顯示圖像的顯示面板。顯示裝置可以是除了顯示面板之外還設(shè)置有諸如用于感測(cè)外部輸入的輸入傳感器和電子模塊的多個(gè)電子部件的裝置。電子模塊可以包括相機(jī)、紅外傳感器或接近傳感器。

2、在近來(lái)致力于向用戶提供更大面積的顯示區(qū)域時(shí)，顯示裝置的電子模塊被放置在顯示面板下方，并且顯示面板可以設(shè)置有用于暴露電子模塊的孔。此外，需要設(shè)計(jì)成保護(hù)顯示面板的在孔周圍暴露的一些層以用于這種顯示裝置的可靠性的技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)提供了一種通過(guò)簡(jiǎn)化的制造工藝制備并具有改善的產(chǎn)品可靠性的顯示裝置。

2、本公開(kāi)還提供了一種用于制造顯示裝置的方法，其中該方法通過(guò)印刷方法提供具有足夠厚度的阻隔層以代替有機(jī)封裝膜和上部無(wú)機(jī)封裝膜的組分，并且因此可以簡(jiǎn)化工藝并改善顯示裝置的可靠性。

3、本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種顯示裝置，其包括：電路層，包括晶體管和多個(gè)絕緣層；顯示元件層，設(shè)置在電路層上并且包括電連接到晶體管的發(fā)光元件；無(wú)機(jī)封裝膜，設(shè)置在顯示元件層上；以及阻隔層，直接設(shè)置在無(wú)機(jī)封裝膜上并且包含無(wú)機(jī)聚硅氮烷化合物。

4、在實(shí)施方式中，阻隔層可以包括包含硅（si）和氮（n）的無(wú)機(jī)聚合物層，或包含si、n和氧（o）的無(wú)機(jī)聚合物層。

5、在實(shí)施方式中，阻隔層可以具有約1.59至約1.90的折射率。

6、在實(shí)施方式中，阻隔層在與無(wú)機(jī)封裝膜相鄰的第一部分處的折射率可以小于在與無(wú)機(jī)封裝膜間隔開(kāi)的第二部分處的折射率。

7、在實(shí)施方式中，阻隔層可以具有在遠(yuǎn)離無(wú)機(jī)封裝膜的方向上增加的折射率。

8、在實(shí)施方式中，阻隔層的與無(wú)機(jī)封裝膜相鄰的第一部分可以包括具有下式1的重復(fù)單元的基于硅氮烷的化合物，以及阻隔層的定位在第一部分上的第二部分可以包括氮化硅或氮氧化硅。在下式1中，r1和r2各自獨(dú)立地是氫原子、具有1至10個(gè)碳原子的烷基基團(tuán)或具有6至30個(gè)成環(huán)碳原子的芳基基團(tuán)，以及n是2或更大的整數(shù)：

9、[式1]

10、。

11、在實(shí)施方式中，阻隔層可以具有約1000?至約100000?的厚度。

12、在實(shí)施方式中，當(dāng)阻隔層的厚度為約3000埃（?）或更小時(shí)，阻隔層可以是氮化硅層或氮氧化硅層。

13、在本發(fā)明的實(shí)施方式中，顯示裝置包括：電子模塊；以及顯示模塊，包括孔區(qū)域和顯示區(qū)域，孔區(qū)域包括限定為與電子模塊重疊的孔，顯示區(qū)域在平面圖中與孔間隔開(kāi)，以及顯示模塊包括：基礎(chǔ)層；電路層，設(shè)置在基礎(chǔ)層上并包括多個(gè)絕緣層；顯示元件層，設(shè)置在電路層上并且包括發(fā)光元件和像素限定膜；多個(gè)壩部分，在孔區(qū)域中設(shè)置在基礎(chǔ)層上；無(wú)機(jī)封裝膜，覆蓋顯示元件層和壩部分；以及阻隔層，直接設(shè)置在無(wú)機(jī)封裝膜上并且包含無(wú)機(jī)聚硅氮烷化合物。

14、在實(shí)施方式中，壩部分可以包括：第一壩部分，圍繞孔；以及第二壩部分，在平面圖中圍繞第一壩部分，以及在第一壩部分和第二壩部分之間可以限定有凹槽。

15、在實(shí)施方式中，凹槽可以用阻隔層填充。

16、在實(shí)施方式中，第一壩部分和第二壩部分可以各自包括：第一壩層，與多個(gè)絕緣層中的一個(gè)設(shè)置在相同的層中；第二壩層，設(shè)置在第一壩層上；以及導(dǎo)電圖案，包括尖端部分，尖端部分在朝向凹槽的內(nèi)側(cè)的方向或遠(yuǎn)離凹槽的方向上突出，并且設(shè)置在第一壩層和第二壩層之間。

17、在實(shí)施方式中，多個(gè)絕緣層可以包括：下部絕緣層，包括在基礎(chǔ)層上順序地設(shè)置的多個(gè)無(wú)機(jī)膜；第一有機(jī)膜，設(shè)置在下部絕緣層上；以及第二有機(jī)膜，設(shè)置在第一有機(jī)膜上，以及第一壩層可以與第一有機(jī)膜設(shè)置在相同的層中，并且第二壩層可以與第二有機(jī)膜設(shè)置在相同的層中。

18、在實(shí)施方式中，凹槽可以包括由第一壩層限定的第一凹入部分和在第一凹入部分上由第二壩層限定的第二凹入部分，以及阻隔層可以覆蓋尖端部分的下表面并填充第一凹入部分。

19、在實(shí)施方式中，阻隔層可以包括包含si和n的無(wú)機(jī)聚合物層，或包含si、n和o的無(wú)機(jī)聚合物層，以及阻隔層可以具有約1.59至約1.90的折射率。

20、在實(shí)施方式中，阻隔層可以在與無(wú)機(jī)封裝膜相鄰的第一部分處的折射率小于在與無(wú)機(jī)封裝膜間隔開(kāi)的第二部分處的折射率。

21、在本發(fā)明的實(shí)施方式中，用于制造顯示裝置的方法包括：提供基礎(chǔ)層，基礎(chǔ)層包括其中限定有孔的孔區(qū)域和與孔區(qū)域相鄰的顯示區(qū)域；在基礎(chǔ)層上形成包括導(dǎo)電圖案和多個(gè)絕緣層的電路層；形成多個(gè)壩部分，多個(gè)壩部分包括與絕緣層中的一些設(shè)置在相同的層中的壩層，其中，壩部分在孔區(qū)域中限定凹槽；在電路層上形成包括發(fā)光元件的顯示元件層；形成覆蓋發(fā)光元件和壩部分的無(wú)機(jī)封裝膜；以及形成直接設(shè)置在無(wú)機(jī)封裝膜上并且包含無(wú)機(jī)聚硅氮烷化合物的阻隔層。

22、在實(shí)施方式中，形成阻隔層可以包括：通過(guò)噴墨印刷的方法提供硅氮烷樹(shù)脂組分以形成初步阻隔層；以及用激光照射初步阻隔層以形成阻隔層。

23、在實(shí)施方式中，硅氮烷樹(shù)脂組分可以包括有機(jī)溶劑以及包含由下式1表示的單元的硅氮烷化合物。在下式1中，r1和r2各自獨(dú)立地是氫原子、具有1至10個(gè)碳原子的烷基基團(tuán)或具有6至30個(gè)成環(huán)碳原子的芳基基團(tuán)，以及n是2或更大的整數(shù)：

24、[式1]

25、。

26、在實(shí)施方式中，激光可以是具有約172納米（nm）的波長(zhǎng)的激光，以及可以在n2環(huán)境或o2環(huán)境中執(zhí)行阻隔層的形成。

技術(shù)特征：

1.顯示裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述阻隔層包括包含si和n的無(wú)機(jī)聚合物層，或包含si、n和o的無(wú)機(jī)聚合物層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述阻隔層具有1.59至1.90的折射率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述阻隔層在與所述無(wú)機(jī)封裝膜相鄰的第一部分處的折射率小于在與所述無(wú)機(jī)封裝膜間隔開(kāi)的第二部分處的折射率。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述阻隔層的折射率在遠(yuǎn)離所述無(wú)機(jī)封裝膜的方向上增加。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述阻隔層的與所述無(wú)機(jī)封裝膜相鄰的第一部分包括具有下式1的重復(fù)單元的基于硅氮烷的化合物，以及

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述阻隔層具有1000?至100000?的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，當(dāng)所述阻隔層的所述厚度為3000?或更小時(shí)，所述阻隔層是氮化硅層或氮氧化硅層。

9.?顯示裝置，包括：

10.?根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述壩部分包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述凹槽用所述阻隔層填充。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述第一壩部分和所述第二壩部分各自包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述多個(gè)絕緣層包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述凹槽包括由所述第一壩層限定的第一凹入部分和在所述第一凹入部分上由所述第二壩層限定的第二凹入部分，以及

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中，所述阻隔層包括包含si和n的無(wú)機(jī)聚合物層，或包含si、n和o的無(wú)機(jī)聚合物層，以及

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中，所述阻隔層在與所述無(wú)機(jī)封裝膜相鄰的第一部分處的折射率小于在與所述無(wú)機(jī)封裝膜間隔開(kāi)的第二部分處的折射率。

17.用于制造顯示裝置的方法，所述方法包括：

18.?根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成所述阻隔層包括：

19.?根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述硅氮烷樹(shù)脂組分包括有機(jī)溶劑以及包含由下式1表示的單元的硅氮烷化合物，

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述激光是具有172納米的波長(zhǎng)的激光，以及

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及顯示裝置和用于制造顯示裝置的方法。顯示裝置包括：電路層，包括晶體管和多個(gè)絕緣層；顯示元件層，設(shè)置在電路層上并包括電連接到晶體管的發(fā)光元件；無(wú)機(jī)封裝膜，設(shè)置在顯示元件層上；以及阻隔層，直接設(shè)置在無(wú)機(jī)封裝膜上并且包含無(wú)機(jī)聚硅氮烷化合物。

技術(shù)研發(fā)人員：樸喜連,金淵國(guó),宋昌泳,鄭惠仁,朱容贊,河載興
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19