技術特征：

1.一種實現(xiàn)高頻率應用低動態(tài)損耗的新型結(jié)構逆導型igbt器件，其特征在于：

2.根據(jù)權利要求1所述的一種實現(xiàn)高頻率應用低動態(tài)損耗的新型結(jié)構逆導型igbt器件，其特征在于：所述集電極的材料為鈦鎳銀合金。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種實現(xiàn)高頻率應用低動態(tài)損耗的新型結(jié)構逆導型igbt器件，其特征在于：所述發(fā)射極的材料為鋁硅銅合金。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種實現(xiàn)高頻率應用低動態(tài)損耗的新型結(jié)構逆導型igbt器件，其特征在于：所述柵極結(jié)構由柵極多晶硅及位于柵極多晶硅外層的二氧化硅層構成。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種實現(xiàn)高頻率應用低動態(tài)損耗的新型結(jié)構逆導型igbt器件，其特征在于：所述p阱區(qū)/n-drift交界處與所述陷阱層上表面的距離為d1，所述p+基區(qū)/n-drift交界處與所述陷阱層下表面的距離為d2，其中d1＞＞d2。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種實現(xiàn)高頻率應用低動態(tài)損耗的新型結(jié)構逆導型igbt器件，其特征在于：所述p+基區(qū)與所述n+基區(qū)的長度比為3：2。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種實現(xiàn)高頻率應用低動態(tài)損耗的新型結(jié)構逆導型igbt器件，其特征在于：所述igbt區(qū)域和frd區(qū)域內(nèi)的柵極結(jié)構的數(shù)量各為三個。

8.根據(jù)權利要求1所述的一種實現(xiàn)高頻率應用低動態(tài)損耗的新型結(jié)構逆導型igbt器件，其特征在于：所述局域壽命控制區(qū)域，是通過輕離子輻照形成局域壽命控制區(qū)域，并高溫退火激活而形成。

技術總結(jié)
本技術公開一種實現(xiàn)高頻率應用低動態(tài)損耗的新型結(jié)構逆導型IGBT器件，包括集電極、發(fā)射極、柵極結(jié)構，以及分立設在集電極、發(fā)射極之間的IGBT區(qū)域和FRD區(qū)域;所述IGBT區(qū)域從下至上依次為P+基區(qū)、局域壽命控制區(qū)域、N?Drift區(qū)、P阱區(qū)；所述FRD區(qū)域從下至上依次為N+基區(qū)、N?Drift區(qū)、P阱區(qū)。本技術，通過在一個逆導型IGBT器件中對IGBT區(qū)域和FRD區(qū)域進行分區(qū)設立，減小了芯片的總面積、體積，提升可靠性；而且在IGBT區(qū)域中加入局域壽命控制區(qū)域,當器件由導通轉(zhuǎn)向關斷時，局域壽命控制區(qū)域通過引進能級陷阱來摻雜，縮短該區(qū)域內(nèi)少數(shù)載流子的壽命，該結(jié)構優(yōu)點在于能夠減小IGBT器件關斷過程中的拖尾電流，從而實現(xiàn)較高的關斷速度，具備低動態(tài)損耗的特性。

技術研發(fā)人員：孫磊,陳譯,陸佳順,楊潔雯
受保護的技術使用者：新硅能微電子（蘇州）有限公司
技術研發(fā)日：20240709
技術公布日：2025/5/15