本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，且特別是涉及一種倒裝式發(fā)光元件，其包含一半導(dǎo)體疊層，一第一電極及一第二電極位于半導(dǎo)體疊層的同一側(cè)。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光二極管(light-emitting?diode,?led)為固態(tài)半導(dǎo)體發(fā)光元件，其優(yōu)點(diǎn)為功耗低，產(chǎn)生的熱能低，工作壽命長(zhǎng)，防震，體積小，反應(yīng)速度快和具有良好的光電特性，例如穩(wěn)定的發(fā)光波長(zhǎng)。因此發(fā)光二極管被廣泛應(yīng)用于家用電器，設(shè)備指示燈，及光電產(chǎn)品等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的一目的為提供一發(fā)光元件及其制造方法以提高發(fā)光元件的光取出效率。

2、本發(fā)明的另一目的為提供一種借助于半導(dǎo)體疊層側(cè)面的圖案以提高光取出效率的發(fā)光元件及其制造方法。

3、本發(fā)明的另一目的為提供一種有助于切割的識(shí)別圖案及識(shí)別方法以提高生產(chǎn)良率的發(fā)光元件及其制造方法。

4、本發(fā)明的另一目的為提供一種可改善在封裝裝置上的可靠度的發(fā)光元件及其制造方法。

5、為達(dá)成上述至少一目的，根據(jù)本發(fā)明其中一實(shí)施例揭露一發(fā)光元件，包含半導(dǎo)體疊層，包含第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及活性層位于該第一半導(dǎo)體層及該第二半導(dǎo)體層之間；第一電極墊，鄰近該發(fā)光元件的第一邊；第二電極墊，鄰近該發(fā)光元件的第二邊，其中自該發(fā)光元件的上視圖觀之，該第一邊及該第二邊位于該發(fā)光元件的不同側(cè)；以及絕緣層包含一或多個(gè)第一開(kāi)口鄰近該第一邊及一或多個(gè)第二開(kāi)口鄰近該第二邊，且該一或多個(gè)第一開(kāi)口及該一或多個(gè)第二開(kāi)口露出該第一半導(dǎo)體層，其中之一該一或多個(gè)第一開(kāi)口包含一第一最大長(zhǎng)度，且其中之一該一或多個(gè)第二開(kāi)口包含一第二最大長(zhǎng)度大于該第一最大長(zhǎng)度。

6、為達(dá)成上述至少一目的，根據(jù)本發(fā)明其中一實(shí)施例揭露一發(fā)光元件，包含一基板具有多個(gè)角落及多個(gè)邊；一半導(dǎo)體疊層位于基板上；以及多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分別位于基板的多個(gè)角落或多個(gè)邊上，其中多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體疊層相隔一距離，且多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)彼此分離。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光元件，其特征在于，包含：

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該第一邊及該第二邊位于該發(fā)光元件的相對(duì)側(cè)。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該第一絕緣層另包含第三開(kāi)口?及絕緣層開(kāi)口位于該第三開(kāi)口及該第二開(kāi)口之間。

4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其中該第三開(kāi)口的面積大于該第一開(kāi)口、該第二開(kāi)口及該絕緣層開(kāi)口的面積。

5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其中該第三開(kāi)口具有第一長(zhǎng)邊，該絕緣層開(kāi)口具有第二長(zhǎng)邊平行于該第一長(zhǎng)邊。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該發(fā)光元件另包含第三邊位于該第一邊及該第二邊之間，且該絕緣層包含一或多個(gè)第四開(kāi)口鄰近該第三邊，其中之一該一或多個(gè)第四開(kāi)口包含第三最大長(zhǎng)度大于該第一最大長(zhǎng)度。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件，其中該絕緣層更包含一或多個(gè)第五開(kāi)口絕緣層鄰近該第三邊，其中之一該一或多個(gè)第五開(kāi)口包含第四最長(zhǎng)度與該第三最大長(zhǎng)度不同。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該一或多個(gè)第二開(kāi)口的數(shù)目大于該一或多個(gè)第一開(kāi)口的數(shù)目。

9.一種發(fā)光元件，其特征在于，包含：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一發(fā)光元件，包含半導(dǎo)體疊層，包含第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層及活性層位于該第一半導(dǎo)體層及該第二半導(dǎo)體層之間；第一電極墊，鄰近該發(fā)光元件的第一邊；第二電極墊，鄰近該發(fā)光元件的第二邊，其中自該發(fā)光元件的上視圖觀之，該第一邊及該第二邊位于該發(fā)光元件的不同側(cè)；以及絕緣層包含一或多個(gè)第一開(kāi)口鄰近該第一邊及一或多個(gè)第二開(kāi)口鄰近該第二邊，且該一或多個(gè)第一開(kāi)口及該一或多個(gè)第二開(kāi)口露出該第一半導(dǎo)體層，其中之一該一或多個(gè)第一開(kāi)口包含一第一最大長(zhǎng)度，且其中之一該一或多個(gè)第二開(kāi)口包含一第二最大長(zhǎng)度大于該第一最大長(zhǎng)度。

技術(shù)研發(fā)人員：陳昭興,呂政霖,馬逸倫,許啟祥,洪孟祥,陳之皓,王心盈,林羿宏,洪國(guó)慶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：晶元光電股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15