1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，還包括：
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一表面還包括第三區(qū)表面；
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一區(qū)表面還包括jeft區(qū)，所述jeft區(qū)位于所述溝道區(qū)遠離所述第一電極接觸區(qū)的一側，且與所述體區(qū)側面接觸；所述第一接觸區(qū)與所述jeft區(qū)的導電類型不同。
6.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
7.根據(jù)權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在所述半導體本體的第二區(qū)表面形成接觸金屬層的同時，還包括：
8.根據(jù)權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在所述半導體本體的第一區(qū)表面形成第一接觸區(qū)，并在所述第一接觸區(qū)靠近所述第二表面的一側形成體區(qū)，以及在第一接觸區(qū)遠離所述第二表面的一側形成平面柵結構，包括：
9.根據(jù)權利要求8所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，還包括：
10.根據(jù)權利要求9所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在所述半導體本體的第一區(qū)表面形成第二接觸區(qū)，包括：
11.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，
12.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，還包括：
13.根據(jù)權利要求10或12所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一表面還包括第三區(qū)表面，形成所述初始體區(qū)的同時，還包括：
14.根據(jù)權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成所述平面柵結構，包括：
15.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在所述半導體本體第一區(qū)表面形成與所述平面柵結構接觸的柵極電極和與所述第一接觸區(qū)接觸的第一電極之前，還包括：
16.一種功率模塊，其特征在于，包括基板與至少一個如權利要求1～5任一所述的半導體器件，所述基板用于承載所述半導體器件。
17.一種功率轉換電路，其特征在于，所述功率轉換電路用于電流轉換、電壓轉換、功率因數(shù)校正中的一個或多個；
18.一種車輛，其特征在于，包括負載以及如權利要求17所述的功率轉換電路，所述功率轉換電路用于將交流電轉換為直流電、將交流電轉換為交流電、將直流電轉換為直流電或者將直流電轉換為交流電后，輸入到所述負載。