本公開(kāi)涉及切削工具。

背景技術(shù)：

1、一直以來(lái)，具備基材和配置于該基材上的覆膜的切削工具被用于切削加工(專(zhuān)利文獻(xiàn)1以及專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專(zhuān)利文獻(xiàn)

4、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2017-64845號(hào)公報(bào)

5、專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)平9-300105號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的一個(gè)方式所涉及的切削工具具備基材和配置于所述基材上的覆膜，其中，

2、所述覆膜包含第一層，

3、所述第一層由第一單元層和第二單元層交替地層疊而成的交替層構(gòu)成，

4、所述第一單元層具有六方晶型的晶體結(jié)構(gòu)，

5、所述第一單元層由w(c1-ana)x構(gòu)成，

6、所述a為0.3以上且0.8以下，

7、所述x為0.8以上且1.2以下，

8、所述第二單元層由alcti1-cn構(gòu)成，

9、所述c為0.30以上且0.75以下。

技術(shù)特征：

1.一種切削工具，所述切削工具具備基材和配置于所述基材上的覆膜，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切削工具，其中，在所述第一單元層和與所述第一單元層相鄰的所述第二單元層中，所述第二單元層的厚度λ2μm相對(duì)于所述第一單元層的厚度λ1μm之比λ2/λ1為1.0以上且5.0以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切削工具，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的切削工具，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的切削工具，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的切削工具，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的切削工具，其中，

8.一種切削工具，所述切削工具具備基材和配置于所述基材上的覆膜，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的切削工具，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的切削工具，其中，所述m為硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的切削工具，其中，所述m為硼。

12.根據(jù)權(quán)利要求8至11中任一項(xiàng)所述的切削工具，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求8至12中任一項(xiàng)所述的切削工具，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的切削工具，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的切削工具，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求8至15中任一項(xiàng)所述的切削工具，其中，

技術(shù)總結(jié)
一種切削工具，所述切削工具具備基材和配置于所述基材上的覆膜，其中，所述覆膜包含第一層，所述第一層由第一單元層和第二單元層交替地層疊而成的交替層構(gòu)成，所述第一單元層具有六方晶型的晶體結(jié)構(gòu)，所述第一單元層由W(C<subgt;1?a</subgt;N<subgt;a</subgt;)<subgt;x</subgt;構(gòu)成，所述a為0.3以上且0.8以下，所述x為0.8以上且1.2以下，所述第二單元層由Al<subgt;c</subgt;Ti<subgt;1?c</subgt;N構(gòu)成，所述c為0.30以上且0.75以下。

技術(shù)研發(fā)人員：福井治世,月原望,田田敏廣
受保護(hù)的技術(shù)使用者：住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15