專利名稱：一種玻璃鍍膜工藝室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及玻璃鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種玻璃鍍膜工藝室。
背景技術(shù)：
玻璃鍍膜機是玻璃鍍膜生產(chǎn)線上的中心設(shè)備，其性能的好壞直接影響玻璃表面鍍膜的均勻性和平整性。在玻璃鍍膜生產(chǎn)線上，玻璃鍍膜機一般包括有多個鍍膜室，玻璃鍍膜過程中，玻璃通過傳送機構(gòu)依次送入各個鍍膜室進行鍍膜。由于玻璃鍍膜過程必須進行抽真空處理，因此，目前常用的玻璃鍍膜機中，任意兩個相鄰的鍍膜室之間還設(shè)有一個抽氣室。但該結(jié)構(gòu)的玻璃鍍膜機較為龐大，使得生產(chǎn)線較長，不利于節(jié)約生產(chǎn)成本；同時，在實際生產(chǎn)中也發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)的玻璃鍍膜機其抽真空效率較低，容易影響玻璃表面鍍膜的質(zhì)量。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種抽真空效率較高、鍍膜質(zhì)量也較好的玻璃鍍膜工藝室。本實用新型的技術(shù)方案為一種玻璃鍍膜工藝室，包括鍍膜室和玻璃傳動機構(gòu)，玻璃傳動機構(gòu)設(shè)于鍍膜室下方，鍍膜室內(nèi)設(shè)有磁控靶組件，鍍膜室上方設(shè)有抽真空用的分子泵。所述鍍膜室內(nèi)，磁控靶組件的上方設(shè)有氣流罩，其作用是抽真空時對鍍膜室內(nèi)的空氣起導(dǎo)流作用，進一步提高抽真空效率。所述磁控靶組件包括兩個磁控靶，兩個磁控靶在玻璃輸送方向上并排設(shè)置。根據(jù)實際的工藝要求，磁控靶的數(shù)量也可適當(dāng)調(diào)整。所述鍍膜室的側(cè)壁下部設(shè)有擋板，鍍膜室內(nèi)，擋板設(shè)置的高度低于磁控靶組件。所述玻璃傳動機構(gòu)包括傳動帶和多個傳動輪，多個傳動輪設(shè)于傳動帶下方；玻璃鍍膜工藝進行時，玻璃工件設(shè)于傳動帶上方并穿過鍍膜室底部。所述分子泵外周設(shè)有蓋罩。在玻璃鍍膜生產(chǎn)線中，采用多個本玻璃鍍膜工藝室串聯(lián)，玻璃傳動機構(gòu)設(shè)于各個玻璃鍍膜工藝室下方，玻璃工件在玻璃傳動機構(gòu)上依次送至各個玻璃鍍膜工藝室進行鍍膜。單個玻璃鍍膜工藝室內(nèi)，通過分子泵對鍍膜室進行抽真空，同時通過磁控靶組件對玻璃工件表面進行鍍膜。本實用新型相對于現(xiàn)有技術(shù)，具有以下有益效果本玻璃鍍膜工藝室簡單，將抽氣機構(gòu)和鍍膜機構(gòu)設(shè)于同一個鍍膜室內(nèi)，可以省去獨立設(shè)于相鄰兩個鍍膜室之間的抽氣室，簡化玻璃鍍膜生產(chǎn)線，使設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊。同時，采用分子泵對鍍膜室直接進行抽真空，可有效提高鍍膜過程中的抽真空效率，改善玻璃表面的鍍膜質(zhì)量。

[0013]圖1為本玻璃鍍膜工藝室示意圖。圖2為去掉蓋罩后圖1的A向視圖。
具體實施方式
下面結(jié)合實施例及附圖，對本實用新型作進一步的詳細(xì)說明，但本實用新型的實施方式不限于此。實施例本實施例一種玻璃鍍膜工藝室，其結(jié)構(gòu)如圖1或圖2所示，包括鍍膜室1和玻璃傳動機構(gòu)2，玻璃傳動機構(gòu)2設(shè)于鍍膜室1下方，鍍膜室1內(nèi)設(shè)有磁控靶組件，鍍膜室1上方設(shè)有抽真空用的分子泵3。鍍膜室1內(nèi)，磁控靶組件的上方設(shè)有氣流罩4，其作用是抽真空時對鍍膜室1內(nèi)的空氣起導(dǎo)流作用，進一步提高抽真空效率。磁控靶組件包括兩個磁控靶5，兩個磁控靶在玻璃輸送方向上并排設(shè)置。根據(jù)實際的工藝要求，磁控靶5的數(shù)量也可適當(dāng)調(diào)整。鍍膜室1的側(cè)壁下部設(shè)有擋板6，鍍膜室內(nèi)，擋板6設(shè)置的高度低于磁控靶組件。玻璃傳動機構(gòu)2包括傳動帶和多個傳動輪，多個傳動輪設(shè)于傳動帶下方；玻璃鍍膜工藝進行時，玻璃工件7設(shè)于傳動帶上方并穿過鍍膜室1底部。分子泵3外周設(shè)有蓋罩8。在玻璃鍍膜生產(chǎn)線中，采用多個本玻璃鍍膜工藝室串聯(lián)，玻璃傳動機構(gòu)2設(shè)于各個玻璃鍍膜工藝室下方，玻璃工件7在玻璃傳動機構(gòu)2上依次送至各個玻璃鍍膜工藝室進行鍍膜(如圖中玻璃傳動機構(gòu)左右的箭頭所示)。單個玻璃鍍膜工藝室內(nèi)，通過分子泵3對鍍膜室1進行抽真空，同時通過磁控靶組件對玻璃工件表面進行鍍膜。如上所述，便可較好地實現(xiàn)本實用新型，上述實施例僅為本實用新型的較佳實施例，并非用來限定本實用新型的實施范圍；即凡依本實用新型內(nèi)容所作的均等變化與修飾， 都為本實用新型權(quán)利要求所要求保護的范圍所涵蓋。
權(quán)利要求1.一種玻璃鍍膜工藝室，包括鍍膜室和玻璃傳動機構(gòu)，玻璃傳動機構(gòu)設(shè)于鍍膜室下方， 其特征在于，鍍膜室內(nèi)設(shè)有磁控靶組件，鍍膜室上方設(shè)有抽真空用的分子泵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種玻璃鍍膜工藝室，其特征在于，所述鍍膜室內(nèi)，磁控靶組件的上方設(shè)有氣流罩。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種玻璃鍍膜工藝室，其特征在于，所述磁控靶組件包括兩個磁控靶，兩個磁控靶在玻璃輸送方向上并排設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種玻璃鍍膜工藝室，其特征在于，所述鍍膜室的側(cè)壁下部設(shè)有擋板，鍍膜室內(nèi)，擋板設(shè)置的高度低于磁控靶組件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種玻璃鍍膜工藝室，其特征在于，所述玻璃傳動機構(gòu)包括傳動帶和多個傳動輪，多個傳動輪設(shè)于傳動帶下方；玻璃鍍膜工藝進行時，玻璃工件設(shè)于傳動帶上方并穿過鍍膜室底部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種玻璃鍍膜工藝室，其特征在于，所述分子泵外周設(shè)有蓋罩。
專利摘要本實用新型公開一種玻璃鍍膜工藝室，包括鍍膜室和玻璃傳動機構(gòu)，玻璃傳動機構(gòu)設(shè)于鍍膜室下方，鍍膜室內(nèi)設(shè)有磁控靶組件，鍍膜室上方設(shè)有抽真空用的分子泵。本玻璃鍍膜工藝室簡單，將抽氣機構(gòu)和鍍膜機構(gòu)設(shè)于同一個鍍膜室內(nèi)，可以省去獨立設(shè)于相鄰兩個鍍膜室之間的抽氣室，簡化玻璃鍍膜生產(chǎn)線，使設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊。同時，采用分子泵對鍍膜室直接進行抽真空，可有效提高鍍膜過程中的抽真空效率，改善玻璃表面的鍍膜質(zhì)量。
文檔編號C23C14/56GK202131364SQ20112021992
公開日2012年2月1日 申請日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者朱建明 申請人:肇慶市科潤真空設(shè)備有限公司