1.一種化學機械研磨的方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供待研磨晶圓，所述晶圓包括半導體襯底、形成在所述半導體襯底上的層間介質層、形成在所述層間介質層內的凹槽、以及形成在所述層間介質層上及所述凹槽內的金屬互連層；
對所述金屬互聯層進行第一化學機械研磨，去除部分所述金屬互聯層；
對所述金屬互聯層進行第二化學機械研磨，完全去除所述層間介質層上的所述金屬互連層；
對所述層間介質層進行第三化學機械研磨；
所述第三化學機械研磨包括一沖洗步驟：采用緩蝕劑對所述晶圓進行沖洗。
2.如權利要求1所述的化學機械研磨的方法，其特征在于，所述第三化學機械研磨包括預研磨、主研磨以及晶圓清洗。
3.如權利要求2所述的化學機械研磨的方法，其特征在于，在所述主研磨之前進行所述沖洗步驟。
4.如權利要求3所述的化學機械研磨的方法，其特征在于，所述沖洗步驟與所述預研磨、主研磨在同一研磨墊上進行。
5.如權利要求1所述的化學機械研磨的方法，其特征在于，所述金屬互連層為銅互聯層，所述緩蝕劑為銅緩蝕劑。
6.如權利要求5所述的化學機械研磨的方法，其特征在于，所述緩蝕劑為苯并三氮唑。
7.如權利要求1所述的化學機械研磨的方法，其特征在于，所述沖洗步驟進行沖洗的時間為30s～70s。
8.如權利要求1所述的化學機械研磨的方法，其特征在于，所述第一學機械研磨、第二化學機械研磨以及第三化學機械研磨的總時間相當。
9.如權利要求8所述的化學機械研磨的方法，其特征在于，所述第一化學機械研磨、第二化學機械研磨以及第三化學機械研磨采用同一化學機械研磨裝置的不同子裝置進行。
10.如權利要求9所述的化學機械研磨的方法，其特征在于，所述第一化學機械研磨、第二化學機械研磨與第三化學機械研磨同時進行，分別研磨不同的晶圓。