技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種化學(xué)機(jī)械研磨的方法，包括：提供待研磨晶圓，所述晶圓包括半導(dǎo)體襯底、形成在所述半導(dǎo)體襯底上的層間介質(zhì)層、形成在所述層間介質(zhì)層內(nèi)的凹槽、以及形成在所述層間介質(zhì)層上及所述凹槽內(nèi)的金屬互連層；對(duì)所述金屬互聯(lián)層進(jìn)行第一化學(xué)機(jī)械研磨，去除部分所述金屬互聯(lián)層；對(duì)所述金屬互聯(lián)層進(jìn)行第二化學(xué)機(jī)械研磨，完全去除所述層間介質(zhì)層上的所述金屬互連層；對(duì)所述層間介質(zhì)層進(jìn)行第三化學(xué)機(jī)械研磨；所述第三化學(xué)機(jī)械研磨包括一沖洗步驟：采用緩蝕劑對(duì)所述晶圓進(jìn)行沖洗，防止在等待時(shí)間內(nèi)暴露出的金屬被氧化，從而降低了發(fā)生樹(shù)突缺陷的風(fēng)險(xiǎn)，提高了半導(dǎo)體器件的性能；同時(shí)減少了晶圓在第三次化學(xué)機(jī)械研磨過(guò)程中的等待時(shí)間。

技術(shù)研發(fā)人員：桂輝輝;周小紅;李大鵬;周小云;萬(wàn)先進(jìn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
文檔號(hào)碼：201610996811
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.11
技術(shù)公布日：2017.05.10