本發(fā)明屬于金屬基復(fù)合材料研究領(lǐng)域，涉及一種金剛石-銅復(fù)合材料及其制備方法，具體涉及一種金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著電子工業(yè)的高速發(fā)展，集成電路的芯片集成度越來(lái)越高，器件功率越來(lái)越大，電子元件產(chǎn)生的大量熱量造成的溫度升高已成為影響器件精度和造成器件失效的重要因素之一，因此研究高性能封裝材料和散熱材料已成為電子工業(yè)發(fā)展的必須。傳統(tǒng)的以金屬顆粒W、Mo為增強(qiáng)相的金屬基電子封裝材料(W-Cu，Mo-Cu)的導(dǎo)熱率已不能滿足現(xiàn)代大功率器件的更高要求。SiCp-Al電子封裝材料因?qū)崧矢?、密度小等?yōu)點(diǎn)已廣泛應(yīng)用于多種軍用和民用功率模塊的基板、功率放大器的熱沉、微處理器封蓋及散熱板等。金剛石具有所有物質(zhì)中最高的導(dǎo)熱率，單晶金剛石的熱導(dǎo)率可達(dá)2000W/(m·K)，且隨著人工合成金剛石技術(shù)的發(fā)展，金剛石粉末的價(jià)格已大幅下降(<2000元/公斤)；常溫下銅的導(dǎo)熱率為398W/(m·K)，在所有金屬中除了銀之外導(dǎo)熱率最高，而且價(jià)格低廉。采用高體積分?jǐn)?shù)(超過(guò)50vol.％)的金剛石與銅復(fù)合，復(fù)合材料的導(dǎo)熱率理論上超過(guò)1000W/(m·K)。因此，金剛石-銅復(fù)合材料已成為高性能電子封裝材料和散熱材料的重點(diǎn)研究對(duì)象。

對(duì)金剛石-銅復(fù)合材料的熱導(dǎo)率產(chǎn)生影響的因素很多，如孔隙率、界面熱阻、基體以及增強(qiáng)體的熱導(dǎo)率等；空氣的熱導(dǎo)率非常低，孔隙率(密實(shí)度)的大小對(duì)復(fù)合材料的熱導(dǎo)率起到關(guān)鍵作用。在保證復(fù)合材料高密實(shí)的條件下，才能依次去考慮基體以及增強(qiáng)體的熱導(dǎo)率、界面熱阻等因素。因此如何盡可能的提高金剛石與銅之間的結(jié)合強(qiáng)度，制得高密實(shí)的復(fù)合材料，是制備高導(dǎo)熱金剛石-銅復(fù)合材料的關(guān)鍵。金剛石與銅的浸潤(rùn)性比較差，界面結(jié)合強(qiáng)度不高，界面熱阻很大，嚴(yán)重影響了復(fù)合材料的性能，因此解決金剛石-銅復(fù)合材料的界面問(wèn)題就顯得尤為重要。當(dāng)前，國(guó)內(nèi)外關(guān)于金剛石-銅復(fù)合材料的研究制備主要有高溫高壓法、放電等離子燒結(jié)技術(shù)(SPS法)、化學(xué)或電沉積以及熔滲等工藝。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)金剛石與銅之間潤(rùn)濕性差、結(jié)合強(qiáng)度不夠高等問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種金剛石-銅復(fù)合材料及制備方法，該復(fù)合材料是一種具有高導(dǎo)熱性能的高體積分?jǐn)?shù)金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種金剛石-銅復(fù)合材料，由金剛石、鍍覆于所述金剛石外表面的Cr層以及鍍覆于所述Cr層外表面的銅基體層組成。

上述金剛石-銅復(fù)合材料中，作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述復(fù)合材料中，所述金剛石的體積百分?jǐn)?shù)為40-70％，所述銅(銅基體層中)的體積百分?jǐn)?shù)為60-30％。由于金剛石與銅之間的Cr鍍層產(chǎn)生的界面熱阻，使得金剛石在整個(gè)復(fù)合材料中的體積百分?jǐn)?shù)不能太高，否則熱阻過(guò)大會(huì)降低復(fù)合材料的熱導(dǎo)率；另外金剛石的體積百分?jǐn)?shù)也不能太低，因?yàn)榻饎偸抢麄€(gè)復(fù)合材料熱導(dǎo)率的關(guān)鍵因素，因此需要在兩者矛盾之間尋找一個(gè)金剛石最佳的體積分?jǐn)?shù)。上述體積比為燒結(jié)后的體積比，Cr層非常薄，因此所占體積百分?jǐn)?shù)忽略不計(jì)。

上述金剛石-銅復(fù)合材料中，作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述金剛石的粒度為38-212μm(比如40μm、45μm、50μm、60μm、80μm、120μm、160μm、200μm、205μm、210μm)。金剛石粒徑規(guī)格越多，金剛石與金剛石之間的縫隙會(huì)越小，復(fù)合材料更致密，利于熱導(dǎo)率提升；但金剛石越多，界面熱阻累加起來(lái)就越大，因此金剛石的粒徑選擇還是要遵循一個(gè)最優(yōu)孔隙率的原則。優(yōu)選地，所述金剛石為粒徑分別為212μm和75μm的金剛石的混合物，其中，212μm粒徑的金剛石用量體積百分比為60-80％，75μm粒徑的金剛石用量體積百分比為40-20％。

上述金剛石-銅復(fù)合材料中，作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述Cr層的厚度為0.1-1μm(比如0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm)。若Cr層的厚度過(guò)厚，會(huì)造成較大的界面熱阻，降低復(fù)合材料最終的熱導(dǎo)率；若Cr層的厚度太薄，一方面不容易實(shí)現(xiàn)，另一方面是容易產(chǎn)生漏鍍現(xiàn)象。更優(yōu)選地，所述Cr層的厚度為0.4-0.6μm。

上述金剛石-銅復(fù)合材料中，作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述Cu基體層的厚度為7-20μm(比如8μm、9μm、10μm、12μm、15μm、17μm、18μm、19μm)。本發(fā)明中采用在金剛石表面滾鍍Cu的辦法來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料的制備，Cu基體層厚度直接影響著金剛石與銅在復(fù)合材料內(nèi)的體積分?jǐn)?shù)。

一種金剛石-銅復(fù)合材料的制備方法，包括如下步驟：

步驟一，在金剛石的表面鍍覆Cr層，得到鍍Cr后的金剛石；

步驟二，在所述鍍Cr后的金剛石的表面鍍覆Cu基體層，得到鍍Cu后的金剛石；

步驟三，將所述鍍Cu后的金剛石裝入模具進(jìn)行燒結(jié)處理，制得所述金剛石-銅復(fù)合材料。

本發(fā)明主要靠減薄Cr鍍層的厚度來(lái)降低界面熱阻，使用真空熱壓燒結(jié)工藝來(lái)獲得致密度更高的復(fù)合材料，最終獲得性能更優(yōu)的金剛石-銅復(fù)合材料。

上述制備方法中，作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述金剛石的粒度為38-212μm(比如40μm、45μm、50μm、60μm、80μm、120μm、160μm、200μm、205μm、210μm)。

上述制備方法中，作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，步驟一中，所述Cr層的厚度為0.1-1μm(比如0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm)。金剛石和銅的熱導(dǎo)率是非常高，而Cr的熱導(dǎo)率低，Cr層厚度過(guò)大會(huì)阻礙整個(gè)復(fù)合材料的熱導(dǎo)率提升，但Cr層厚度亦非越薄越好，越薄則可能漏鍍現(xiàn)象更明顯一些，而漏鍍也會(huì)導(dǎo)致熱阻變大，所以鍍層的厚度有個(gè)最優(yōu)范圍，既能保證較低的熱阻，又能杜絕漏鍍現(xiàn)象發(fā)生。更優(yōu)選地，所述Cr層的厚度為0.4-0.6μm。

上述制備方法中，作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，步驟一中，采用真空微蒸發(fā)蒸鍍的方法進(jìn)行鍍覆Cr層，具體工藝條件如下：溫度為750-850℃(比如755℃、760℃、780℃、800℃、820℃、840℃、845℃)，真空度為10^-2-10^-4Pa(比如10^-3Pa)，鍍附時(shí)間為150-180min(比如152min、155min、158min、162min、165min、170min、175min、178min)，金屬蒸汽濃度(即Cr原子的濃度)為35％-50％(比如36％、38％、40％、43％、45％、47％、49％)，在鍍覆Cr層過(guò)程中使所述金剛石翻滾。優(yōu)選地，真空微蒸發(fā)蒸鍍過(guò)程中，所述金剛石在篩網(wǎng)內(nèi)緩慢轉(zhuǎn)動(dòng)，所述篩網(wǎng)轉(zhuǎn)動(dòng)速度為3-5轉(zhuǎn)/min。常規(guī)的真空蒸鍍一般追求效率，物件在里面是固定的，且金屬蒸汽濃度大，鍍附時(shí)間短，很容易造成鍍層的不均勻或者漏鍍現(xiàn)象。本發(fā)明中采用改進(jìn)的真空微蒸發(fā)蒸鍍工藝主要靠增加鍍附時(shí)間，控制金屬蒸汽的濃度以及使金剛石在鍍附過(guò)程中翻滾，從而實(shí)現(xiàn)1μm以下Cr層的鍍附，而且鍍覆的Cr層相對(duì)均勻，漏鍍現(xiàn)象不嚴(yán)重。

上述制備方法中，作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，步驟二中，所述Cu層的厚度為7-20μm(比如8μm、9μm、10μm、12μm、15μm、17μm、18μm、19μm)；所述金剛石的增重為100％-170％(比如105％、110％、120％、130％、140％、150％、160％、165％)。此處的增重只包含銅層的重量，因?yàn)镃r鍍層非常非常薄，其增重可以忽略不計(jì)。

上述制備方法中，作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，步驟二中，采用滾鍍的方法進(jìn)行鍍覆Cu層，即，將鍍Cr后的金剛石放入滾筒內(nèi)進(jìn)行銅元素滾鍍加厚。所述滾鍍是指在回轉(zhuǎn)的滾筒內(nèi)進(jìn)行電鍍。

上述制備方法中，作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，步驟三中，所述燒結(jié)處理采用真空熱壓燒結(jié)法；優(yōu)選地，所述燒結(jié)處理的壓力為30-50MPa(比如31MPa、32MPa、35MPa、38MPa、42MPa、45MPa、47MPa、49MPa)，溫度為950-1050℃(比如955℃、960℃、970℃、980℃、990℃、1000℃、1020℃、1040℃)，升溫速率為10-22℃/min(比如11℃/min、12℃/min、14℃/min、16℃/min、18℃/min、20℃/min、21℃/min)，保溫時(shí)間為8-15min(比如9min、11min、13min、14min)，真空度為10^-1～10^-3Pa(比如0.08Pa、0.05Pa、0.01Pa、0.008Pa、0.005Pa、0.002Pa)，更優(yōu)選真空度為10^-2～10^-3Pa，升溫速度更優(yōu)選為12-22℃/min。金剛石超過(guò)1100℃即會(huì)石墨化，熱導(dǎo)率會(huì)大大降低，而且銅的熔點(diǎn)為1083℃，溫度過(guò)高也會(huì)熔化。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

1)通過(guò)在金剛石與銅之間建立由金剛石+(Cr)C+Cu基體組成的化學(xué)鍵界面過(guò)渡層后，復(fù)合材料的熱導(dǎo)率有了很大程度的提高；通過(guò)降低Cr鍍層的厚度，進(jìn)一步提升復(fù)合材料的熱導(dǎo)率。

2)鍍Cr金剛石經(jīng)滾鍍后，形成了7-20μm的銅鍍層，如此厚度的銅鍍層完全可以作為復(fù)合材料的胎體，直接將Cu鍍層作為復(fù)合材料的胎體而不另外添加粉末，在本發(fā)明提供的工藝條件下，會(huì)使得每個(gè)加厚的Cu鍍層大小基本相同，金剛石在整個(gè)復(fù)合材料里處于有序排列的方式，因此能夠大大提高材料的熱導(dǎo)率。而且該工藝可以通過(guò)改變金剛石的增重量得到各種不同金剛石含量的復(fù)合材料，可操作性強(qiáng)，工藝簡(jiǎn)單。

3)本發(fā)明提供的制備方法中采用真空熱壓法進(jìn)行燒結(jié)，跟SPS法比較主要優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在：(1)高真空度燒結(jié)，真空熱壓燒結(jié)法的10^-3Pa，遠(yuǎn)高于SPS法的真空度(10^-1Pa左右)，因此更能防止金剛石高溫下石墨化降低了熱導(dǎo)率；(2)SPS法燒結(jié)速度非常快，較低的升溫速度不容易控制，快熱快冷很容易在復(fù)合材料中產(chǎn)生細(xì)微的孔洞，影響熱導(dǎo)率的提升，而真空熱壓燒結(jié)法是緩慢加熱升溫保溫，更容易提高復(fù)合材料的致密度和銅與金剛石之間的冶金結(jié)合，提高熱導(dǎo)率。

4)本發(fā)明提供的制備方法可以使金剛石在復(fù)合材料中均勻分布，避免了因?yàn)榻饎偸c銅粉混合不均勻而產(chǎn)生額外的界面熱阻現(xiàn)象；制得的金剛石-銅復(fù)合材料具有良好的性能，熱導(dǎo)率高于580W/m·K，致密度達(dá)到98.5％以上，可用于電子封裝等領(lǐng)域。

附圖說(shuō)明

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中，

圖1為本申請(qǐng)?zhí)峁┑慕饎偸?銅復(fù)合材料的制備方法的工藝流程圖；

圖2為實(shí)施例1中真空蒸鍍Cr后金剛石的SEM照片；

圖3為實(shí)施例1中銅元素滾鍍后金剛石的SEM照片；

圖4為對(duì)比例1中采用常規(guī)真空蒸鍍Cr后金剛石的SEM照片。

具體實(shí)施方式

以下實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容做進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的保護(hù)范圍包含但不限于下述各實(shí)施例。圖1為本申請(qǐng)?zhí)峁┑慕饎偸?銅復(fù)合材料的制備方法的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式的工藝流程圖，具體過(guò)程如下：首先采用真空微蒸發(fā)蒸鍍的方法在金剛石表面鍍覆Cr層，得到鍍Cr金剛石；然后將鍍Cr后的金剛石放入滾筒內(nèi)進(jìn)行銅元素滾鍍加厚，得到的鍍Cr、Cu金剛石；將滾鍍后的金剛石直接裝入模具后放入真空熱壓燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)制得金剛石-銅復(fù)合材料。

以下實(shí)施例和對(duì)比例中使用的各種原料均為市售產(chǎn)品。以下實(shí)施例中采用超聲波凈化器進(jìn)行凈化金剛石，銅元素滾鍍采用的Cu源為硫酸銅溶液。

實(shí)施例1

(1)選用粒度為125μm的金剛石進(jìn)行凈化處理，采用真空微蒸發(fā)蒸鍍的方法在金剛石表面鍍覆0.2μm厚的Cr層；真空微蒸發(fā)蒸鍍的具體工藝條件如下：溫度為825℃(圖1中的T)，真空度為10^-3Pa，鍍附時(shí)間為165min(圖1中的t)，金屬蒸汽濃度為42％，在鍍覆Cr層過(guò)程中，金剛石在篩網(wǎng)內(nèi)緩慢轉(zhuǎn)動(dòng)，篩網(wǎng)轉(zhuǎn)動(dòng)速度為5轉(zhuǎn)/min。

(2)然后將步驟(1)中得到的鍍Cr后的金剛石放入滾筒內(nèi)進(jìn)行銅元素滾鍍加厚，滾鍍后金剛石表面銅鍍層的厚度為20μm，金剛石的增重為169％；

(3)將滾鍍后的金剛石裝入石墨模具后放入真空熱壓燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)制得金剛石-銅復(fù)合材料；真空熱壓燒結(jié)的具體工藝條件如下：升溫速率為15℃/min，燒結(jié)溫度為1000℃，燒結(jié)壓力50MPa，保溫時(shí)間10min，爐內(nèi)真空度10^-3Pa。

本實(shí)施例制得的金剛石-銅復(fù)合材料密實(shí)度為99.2％，熱導(dǎo)率達(dá)到635W/(m·K)。圖2為實(shí)施例1中真空蒸鍍Cr后金剛石的SEM照片，從圖中可以看出Cr鍍層均勻的分布在金剛石表面，沒(méi)有漏鍍現(xiàn)象；圖3為實(shí)施例1中銅元素滾鍍后金剛石的SEM照片，從圖中可以看出較厚的銅元素鍍層包裹在金剛石表面，可以直接作為復(fù)合材料的胎體。

實(shí)施例2

本實(shí)施例的工藝條件與實(shí)施例1相同，只是改變加入金剛石的平均粒徑，所采用的金剛石的平均粒徑為212μm。所制得的金剛石-銅復(fù)合材料的密實(shí)度為98.5％，熱導(dǎo)率為593W/(m·K)。

實(shí)施例3

本實(shí)施例的工藝條件與實(shí)施例1相同，只是改變加入金剛石的平均粒徑，所采用的金剛石的平均粒徑為75μm。所制得的金剛石-銅復(fù)合材料的密實(shí)度為99.3％，熱導(dǎo)率為584W/(m·K)。

實(shí)施例4

本實(shí)施例的工藝條件與實(shí)施例1相同，只是改變加入金剛石的平均粒徑，所采用的金剛石為粒徑212μm和75μm的混合目，具體用量比為75:25。所制得的金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的密實(shí)度為99.6％，熱導(dǎo)率為651W/(m·K)。

實(shí)施例5

本實(shí)施例的工藝條件與實(shí)施例1相同，只是改變了鉻層的厚度，在本實(shí)施例中鉻層厚度為0.5μm，所制得的金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的密實(shí)度為99.7％，熱導(dǎo)率為735W/(m·K)。

實(shí)施例6

本實(shí)施例的工藝條件與實(shí)施例1相同，只是改變了鉻層的厚度，在本實(shí)施例中鉻層厚度為1.5μm，所制得的金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的密實(shí)度為99.2％，熱導(dǎo)率為476W/(m·K)。

實(shí)施例7

本實(shí)施例的工藝條件與實(shí)施例1相同，只是改變了真空熱壓燒結(jié)的條件：升溫速率為10℃/min，燒結(jié)溫度為950℃，燒結(jié)壓力30MPa，保溫時(shí)間8min，爐內(nèi)真空度10^-3Pa。在本實(shí)施例所制得的金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的密實(shí)度為98.9％，熱導(dǎo)率為548W/(m·K)。

實(shí)施例8

本實(shí)施例的工藝條件與實(shí)施例1相同，只是改變了真空熱壓燒結(jié)的條件：升溫速率為13℃/min，燒結(jié)溫度為980℃，燒結(jié)壓力50MPa，保溫時(shí)間12min，爐內(nèi)真空度10^-3Pa。在本實(shí)施例所制得的金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的密實(shí)度為99.5％，熱導(dǎo)率為658W/(m·K)。

實(shí)施例9

本實(shí)施例的工藝條件與實(shí)施例1相同，只是改變了真空熱壓燒結(jié)的條件：升溫速率為18℃/min，燒結(jié)溫度為1050℃，燒結(jié)壓力50MPa，保溫時(shí)間10min，爐內(nèi)真空度10^-3Pa。在本實(shí)施例所制得的金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的密實(shí)度為99.3％，熱導(dǎo)率為601W/(m·K)。

實(shí)施例10

本實(shí)施例的工藝條件與實(shí)施例1相同，只是改變了真空熱壓燒結(jié)的條件：升溫速率為22℃/min，燒結(jié)溫度為1050℃，燒結(jié)壓力50MPa，保溫時(shí)間10min，爐內(nèi)真空度10^-3Pa。在本實(shí)施例所制得的金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的密實(shí)度為99％，熱導(dǎo)率為613W/(m·K)。

實(shí)施例11

本實(shí)施例的工藝條件與實(shí)施例1相同，只是改變了真空微蒸發(fā)蒸鍍的條件，本實(shí)施例中真空微蒸發(fā)蒸鍍的具體工藝條件如下：溫度為750℃，真空度為10^-4Pa，鍍附時(shí)間為150min，金屬蒸汽濃度為35％，在鍍覆Cr層過(guò)程中，金剛石在篩網(wǎng)內(nèi)緩慢轉(zhuǎn)動(dòng)，篩網(wǎng)轉(zhuǎn)動(dòng)速度為3轉(zhuǎn)/min。在本實(shí)施例所制得的金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的密實(shí)度為98.6％，熱導(dǎo)率為489W/(m·K)。

實(shí)施例12

本實(shí)施例的工藝條件與實(shí)施例1相同，只是改變了真空微蒸發(fā)蒸鍍的條件，本實(shí)施例中真空微蒸發(fā)蒸鍍的具體工藝條件如下：溫度為850℃，真空度為10^-3Pa，鍍附時(shí)間為165min，金屬蒸汽濃度為40％，在鍍覆Cr層過(guò)程中，金剛石在篩網(wǎng)內(nèi)緩慢轉(zhuǎn)動(dòng)，篩網(wǎng)轉(zhuǎn)動(dòng)速度為4轉(zhuǎn)/min。在本實(shí)施例所制得的金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的密實(shí)度為99.2％，熱導(dǎo)率為615W/(m·K)。

實(shí)施例13

本實(shí)施例的工藝條件與實(shí)施例1相同，只是改變了真空微蒸發(fā)蒸鍍的條件，本實(shí)施例中真空微蒸發(fā)蒸鍍的具體工藝條件如下：溫度為850℃，真空度為10^-3Pa，鍍附時(shí)間為180min，金屬蒸汽濃度為45％，在鍍覆Cr層過(guò)程中，金剛石在篩網(wǎng)內(nèi)緩慢轉(zhuǎn)動(dòng)，篩網(wǎng)轉(zhuǎn)動(dòng)速度為5轉(zhuǎn)/min。在本實(shí)施例所制得的金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的密實(shí)度為99.5％，熱導(dǎo)率為668W/(m·K)。

對(duì)比例1

本對(duì)比例除在金剛石表面鍍覆鉻層的工藝不同于實(shí)施例5以外，其他工藝均與實(shí)施例5相同，本對(duì)比例在金剛石表面鍍覆鉻層的工藝為常規(guī)真空蒸鍍方法，具體如下：溫度為825℃(圖4中的T)，真空度為10^-1Pa，鍍附時(shí)間為75min(圖4中的t)，金屬蒸汽濃度為50％，在鍍覆Cr層過(guò)程中，金剛石固定不翻滾。圖4為本對(duì)比例1真空蒸鍍Cr后金剛石的SEM照片，從該圖中可以看出采用常規(guī)真空蒸鍍工藝存在嚴(yán)重的漏鍍現(xiàn)象。在本對(duì)比例所制得的金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的密實(shí)度為98.6％，熱導(dǎo)率為388W/(m·K)。

本發(fā)明的工藝參數(shù)(如溫度、時(shí)間等)區(qū)間上下限取值以及區(qū)間值都能實(shí)現(xiàn)本法，在此不一一列舉實(shí)施例。