本實(shí)用新型涉及一種拋光夾具，尤其是涉及一種用于晶片的拋光夾具。

背景技術(shù)：

晶片通常指由水晶、玻璃、磁性材料等小尺寸（8-20mm）制作而成的光學(xué)零件，晶片表面的拋光率影響晶片成形后的性能。當(dāng)晶片拋光采用雙側(cè)拋光時(shí)，需要在晶片的雙側(cè)表面分布拋光粉液，以在拋光設(shè)備上盤(pán)與和晶片之間的摩擦來(lái)拋光晶片。但是目前的工藝中拋光粉液從單側(cè)供給，不能很好地時(shí)晶片的上表面和下表面充分與拋光粉液接觸，無(wú)法保證拋光率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種改善后的拋光夾具，使拋光時(shí)拋光粉液可充分與晶片接觸

本實(shí)用新型的一種用于晶片的拋光夾具的技術(shù)方案為包括基座、和設(shè)置于所述基座上固定槽，所述固定槽的形狀與待拋光晶片相適應(yīng)，在所述固定槽的邊緣設(shè)置有至少一個(gè)凹槽，所述固定槽和凹槽均貫穿基座的上表面和下表面。

進(jìn)一步地，所述固定槽為若干個(gè)，所述相鄰兩個(gè)固定槽邊緣的距離大于凹槽深度。

進(jìn)一步地，所述固定槽為長(zhǎng)方形固定槽或圓形固定槽或三角形固定槽。

進(jìn)一步地，所述基座為圓形，分為內(nèi)圈和外圈，所述外圈間隔分布長(zhǎng)方形固定槽和圓形固定槽，內(nèi)圈間隔分布長(zhǎng)方形固定槽和三角形固定槽，圓形基座的中心為圓形固定槽。

進(jìn)一步地，所述凹槽設(shè)置于長(zhǎng)方形固定槽或三角形固定槽的任意一邊或多邊，所述凹槽的長(zhǎng)度小于凹槽所在的長(zhǎng)方形固定槽的邊或三角形固定槽的邊的長(zhǎng)度。

進(jìn)一步地，所述凹槽的長(zhǎng)度小于圓形固定槽的圓周長(zhǎng)。

進(jìn)一步地，所述凹槽間隔設(shè)置于圓形固定槽的邊緣。

本實(shí)用新型的有益效果是：進(jìn)行拋光工作時(shí)，拋光夾具均勻得放置在研磨盤(pán)上，待拋光晶片放置于固定槽內(nèi)，降下上盤(pán)，供給拋光液，拋光粉液通過(guò)凹槽使待拋光的晶片的上表面和下表面與拋光粉液充分接觸，這樣保證了拋光時(shí)怕光粉液的充分作用，大大提高了晶片的拋光率。拋光夾具基座為圓形時(shí)，間隔設(shè)置的圓形固定槽、長(zhǎng)方形固定槽、三角形固定槽圓周分布、間隔設(shè)置，充分利用了基座的圓形空間，大大提高了一次的拋光率。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的拋光夾具的俯視圖。

具體實(shí)施方式

一種用于晶片的拋光夾具，包括基座1、和設(shè)置于所述基座上的若干個(gè)固定槽2、所述固定槽2的形狀與待拋光晶片相適應(yīng)，在所述固定槽2的邊緣設(shè)置有至少一個(gè)凹槽3，所述相鄰兩個(gè)固定槽2邊緣的距離大于凹槽3深度，所述固定槽2和凹槽3均貫穿基座1的上表面和下表面。工作時(shí)，所述拋光夾具均勻得放置在研磨盤(pán)上，待拋光晶片放置于固定槽2內(nèi)，降下上盤(pán)，供給拋光液，拋光粉液通過(guò)凹槽3使待拋光的晶片的上表面和下表面與拋光粉液充分接觸，這樣保證了拋光時(shí)怕光粉液的充分作用，大大提高了晶片的拋光率。

具體實(shí)施時(shí)，如圖1所示，所述固定槽2的形狀可以任意，如長(zhǎng)方形、圓形、三角形等，所述帶拋光的晶片放入固定槽2中，使晶片的帶拋光的面與拋光設(shè)備的上盤(pán)和下盤(pán)接觸，基座為圓形， 本實(shí)施例中，基座1為圓形，分為內(nèi)圈12、外圈11，所述固定槽2圓周呈分布于所述內(nèi)圈12和/或所述外圈11，如圖1所示，外圈11間隔分布長(zhǎng)方形固定槽21和圓形固定槽22，內(nèi)圈間隔分布長(zhǎng)方形固定槽21和三角形固定槽23，圓形基座1的中心13為圓形固定槽22，充分利用了圓形基座1的空間，可一次拋光盡可能多的晶片。所述凹槽3設(shè)置于長(zhǎng)方形固定槽21、三角形固定槽23的任意一邊或多邊，其凹槽3的長(zhǎng)度小于凹槽3所在長(zhǎng)方形固定槽21的邊或三角形固定槽23的邊的長(zhǎng)度。所述凹槽3間隔設(shè)置于圓形固定槽22，其長(zhǎng)度小于圓形固定槽22的圓周長(zhǎng)。