本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體晶圓w加工領(lǐng)域,尤其是涉及一種減薄裝置和方法。
背景技術(shù):
1、在半導(dǎo)體制造過程中,晶圓w減薄是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié),它直接影響到后續(xù)工藝如封裝、互聯(lián)等的順利進(jìn)行以及最終產(chǎn)品的性能。
2、現(xiàn)有技術(shù)中,在減薄過程中,晶圓w通過砂輪200磨削進(jìn)行減薄,然而砂輪200作用于晶圓w上會(huì)造成無法避免的振動(dòng),而振動(dòng)會(huì)造成晶圓w和砂輪200之間位置的偏差,很難通過單獨(dú)地對(duì)砂輪200或研磨盤100進(jìn)行控制調(diào)節(jié)來抵消振動(dòng)對(duì)晶圓w的影響,從而造成晶圓w加工損傷層較厚,晶圓w減薄品質(zhì)較差。
3、因此,現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)問題在于:晶圓w品質(zhì)較差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N減薄裝置和方法,通過調(diào)節(jié)參數(shù)降低晶圓損傷層,提高晶圓品質(zhì)。
2、一方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N減薄方法,采用如下的技術(shù)方案:
3、一種減薄方法,適用于減薄裝置,所述減薄裝置包括:
4、研磨盤,所述研磨盤用于承載晶圓,所述研磨盤可繞軸旋轉(zhuǎn);
5、砂輪,所述砂輪設(shè)置于所述研磨盤上方,所述砂輪用于豎直方向給進(jìn)作用于晶圓以磨削晶圓;以及
6、磁流體層,所述磁流體層位于所述研磨盤下方且連接于所述研磨盤;
7、所述減薄方法包括:
8、建立振動(dòng)加速度信號(hào)、渦流影響因子、砂輪給進(jìn)壓力以及磁流體影響因子關(guān)于晶圓損傷的損傷函數(shù)模型;
9、所述渦流影響因子包括砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量以及磨削液噴射角度;
10、所述磁流體影響因子包括研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、以及磁流體支撐剛度;
11、基于采集的振動(dòng)加速度信號(hào)和損傷函數(shù)模型,確定砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量以及磨削液噴射角度、砂輪給進(jìn)壓力、研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、以及磁流體支撐剛度,并應(yīng)用于下一晶圓加工。
12、作為優(yōu)選,所述“砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量以及磨削液噴射角度、砂輪給進(jìn)壓力、研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、以及磁流體支撐剛度”包括:
13、采集振動(dòng)加速度信號(hào);
14、調(diào)節(jié)砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量以及磨削液噴射角度、砂輪給進(jìn)壓力、研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、以及磁流體支撐剛度;
15、使損傷函數(shù)模型最小化迭代收斂至閾值;
16、確定砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量以及磨削液噴射角度、砂輪給進(jìn)壓力、研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、以及磁流體支撐剛度。
17、作為優(yōu)選,所述損傷函數(shù)模型為:
18、
19、其中,為渦流影響因子的控制系數(shù);
20、為砂輪給進(jìn)壓力的控制系數(shù);
21、為磁流體影響因子的控制系數(shù)。
22、作為優(yōu)選,還包括:
23、建立砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量以及磨削液噴射角度關(guān)于渦流影響因子的渦流函數(shù)模型;
24、基于采集的砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量、磨削液噴射角度以及渦流函數(shù)模型確定渦流影響因子。
25、作為優(yōu)選,所述渦流函數(shù)模型為:
26、
27、其中,為磨削液密度;
28、為磨削液粘度;為參考粘度;
29、為砂輪半徑;
30、磨削液噴射方向與晶圓法線夾角。
31、作為優(yōu)選,還包括:
32、建立研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、磁流體支撐剛度關(guān)于磁流體影響因子的磁流體函數(shù)模型;
33、基于研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、磁流體支撐剛度以及磁流體函數(shù)模型確定磁流體影響因子。
34、作為優(yōu)選,所述磁流體函數(shù)模為:
35、
36、其中,為磁流體層支撐剛度;
37、為研磨盤半徑;
38、為磁流體密度。
39、另一方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N減薄裝置,采用如下的技術(shù)方案:
40、一種減薄裝置,包括:
41、研磨盤,所述研磨盤用于承載晶圓,所述研磨盤可繞軸旋轉(zhuǎn);
42、砂輪,所述砂輪設(shè)置于所述研磨盤上方,所述砂輪用于豎直方向給進(jìn)作用于晶圓以磨削晶圓;以及
43、磁流體層,所述磁流體層位于所述研磨盤下方且連接于所述研磨盤;
44、還包括:
45、函數(shù)建立模塊,用于建立振動(dòng)加速度信號(hào)、渦流影響因子、砂輪給進(jìn)壓力以及磁流體影響因子關(guān)于晶圓損傷的損傷函數(shù)模型;
46、所述渦流影響因子包括砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量以及磨削液噴射角度;
47、所述磁流體影響因子包括研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、以及磁流體支撐剛度;
48、參數(shù)確認(rèn)模塊,用于基于采集的振動(dòng)加速度信號(hào)和損傷函數(shù)模型,確定砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量以及磨削液噴射角度、砂輪給進(jìn)壓力、研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、以及磁流體支撐剛度。
49、作為優(yōu)選,所述函數(shù)建立模塊還包括:
50、第一函數(shù)建立模塊,用于建立砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量以及磨削液噴射角度關(guān)于渦流影響因子的渦流函數(shù)模型;
51、第二函數(shù)建立模塊,用于建立研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、磁流體支撐剛度關(guān)于磁流體影響因子的磁流體函數(shù)模型。
52、作為優(yōu)選,所述參數(shù)確認(rèn)模塊還包括:
53、第一參數(shù)確認(rèn)模塊,用于基于采集的砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量、磨削液噴射角度以及渦流函數(shù)模型確定渦流影響因子,以確認(rèn)砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量、磨削液噴射角度;
54、第二參數(shù)確認(rèn)模塊,用于確認(rèn)砂輪給進(jìn)壓力;以及
55、第三參數(shù)確認(rèn)模塊,用于基于研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、磁流體支撐剛度以及磁流體函數(shù)模型確定磁流體影響因子,以確認(rèn)研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、磁流體支撐剛度。
56、綜上所述,本申請(qǐng)包括以下至少一種有益技術(shù)效果:
57、通過將渦流影響因子、砂輪給進(jìn)壓力以及磁流體影響因子引入損傷函數(shù),結(jié)合正交實(shí)驗(yàn)標(biāo)定系數(shù)與梯度下降優(yōu)化,可動(dòng)態(tài)調(diào)控工藝參數(shù),顯著降低晶圓亞表面損傷,提高減薄晶圓品質(zhì)。
1.一種減薄方法,其特征在于,適用于減薄裝置,所述減薄裝置包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減薄方法,其特征在于,所述“砂輪轉(zhuǎn)速、磨削液流速、磨削液供給流量以及磨削液噴射角度、砂輪給進(jìn)壓力、研磨盤轉(zhuǎn)速、磁流體調(diào)節(jié)壓力、以及磁流體支撐剛度”包括:
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種減薄方法,其特征在于,所述損傷函數(shù)模型為:
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種減薄方法,其特征在于,還包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種減薄方法,其特征在于,所述渦流函數(shù)模型為:
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種減薄方法,其特征在于,還包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種減薄方法,其特征在于,所述磁流體函數(shù)模為:
8.一種減薄裝置,其特征在于,包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種減薄裝置,其特征在于,所述函數(shù)建立模塊(400)還包括:
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種減薄裝置,其特征在于,所述參數(shù)確認(rèn)模塊(500)還包括: