技術(shù)特征：

1.一種鈧摻氮化鋁薄膜的制備方法，其特征在于，步驟包括：采用濺射鍍膜設(shè)備，根據(jù)襯底上鈧摻氮化鋁薄膜與其他膜層的分布，依次重復(fù)進行以下的鈧摻氮化鋁薄膜制備工藝和其他膜層制備工藝，鈧摻氮化鋁薄膜制備工藝至少進行一次，其他膜層制備工藝至少進行零次；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，當(dāng)其他膜層生成的氣體環(huán)境中不含氧時，根據(jù)襯底上鈧摻氮化鋁薄膜和其他膜層的分布，依次重復(fù)進行步驟sa2和步驟sb1，步驟sa2至少進行一次，步驟sb1至少進行零次。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟sa1中，所述氣體包括但不限于惰性氣體、反應(yīng)氣體或輔助氣體中任意一種或任意組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟sa2中，所述氣體包括惰性氣體或惰性氣體與反應(yīng)氣體的組合，所述溫度為300℃～500℃，所述氣壓為0.2pa～0.6pa，所述功率為160w～240w。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟sa1除氧后，步驟sa2開始前，對鈧摻氮化鋁生成用靶材進行預(yù)濺射。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述鈧摻氮化鋁生成用靶材為鈧鋁合金，步驟sa2中所述氣體為惰性氣體與氮氣的組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟sb1中，所述氣體包括但不限于空氣、惰性氣體、反應(yīng)氣體、輔助氣體中任意一種或任意組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述其他膜層為mo膜時，步驟sb1中，所述氣體為惰性氣體，所述溫度為25-45℃，所述氣壓為0.3pa～0.5pa，所述功率為90w～120w。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟包括：采用磁控濺射鍍膜設(shè)備，進行以下步驟：

10.以下至少一種產(chǎn)品，其特征在于，采用權(quán)利要求1-9任一項制備方法制備：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于新材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鈧摻氮化鋁薄膜及其制備方法，調(diào)節(jié)腔體真空度，在真空度1.2×10<supgt;?4</supgt;Pa～9×10<supgt;?4</supgt;Pa下制備了高鈧含量的鈧摻氮化鋁薄膜，且該制備方法優(yōu)化了工藝參數(shù)，降低ScAlN薄膜的制作成本，提高薄膜的質(zhì)量。采用本發(fā)明制備方法，國內(nèi)設(shè)備的真空度均可以滿足制備Sc摻雜氮化鋁壓電薄膜材料的技術(shù)要求，為我國大力發(fā)展自主的壓電薄膜設(shè)備奠定了基礎(chǔ)。

技術(shù)研發(fā)人員：趙祥永,孫前,劉肖男,楊繼業(yè),朱健秋,張巧珍
受保護的技術(shù)使用者：上海師范大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15