本發(fā)明屬于真空離子鍍膜領(lǐng)域，特別涉及一種直筒磁過濾電弧。

背景技術(shù)：

1、電弧離子鍍技術(shù)具有離化率高，沉積速率快，結(jié)合強(qiáng)度好的特點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用，但是其缺點(diǎn)就是容易產(chǎn)生大顆粒破壞涂層質(zhì)量，未解決該問題出現(xiàn)了彎管磁過濾電弧，雖然可以解決大顆粒問題但是沉積速率大幅下降，且涂層均勻性差，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明在于克服上述技術(shù)不足，提供一種直筒磁過濾電弧，可以有效的去除大顆粒并且保持電弧原有的沉積速率，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉。

2、本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:?一種直筒磁過濾電弧，包括水冷直筒1，其特征是陰極靶材2由弧電源3和引弧系統(tǒng)4驅(qū)動(dòng)，穩(wěn)弧線圈5和聚束線圈6分別由穩(wěn)弧線圈電源9和聚束線圈電源10供電，陽(yáng)極環(huán)7由陽(yáng)極電源8提供電壓。

3、本發(fā)明的有益效果是：可有效去除大顆粒且保持高的沉積速率，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可明顯提升涂層質(zhì)量，降低涂層成本。

技術(shù)特征：

1.一種直筒磁過濾電弧，包括水冷直筒（1），其特征是陰極靶材（2）由弧電源（3）和引弧系統(tǒng)（4）驅(qū)動(dòng)，穩(wěn)弧線圈（5）和聚束線圈（6）分別由穩(wěn)弧線圈電源（9）和聚束線圈電源（10）供電，陽(yáng)極環(huán)（7）由陽(yáng)極電源（8）提供電壓，啟動(dòng)弧電源（3）使陰極靶材（2）與引弧系統(tǒng)（4）間產(chǎn)生放電，調(diào)節(jié)穩(wěn)弧線圈電源（9）使陰極靶材（2）穩(wěn)定放電，調(diào)節(jié)聚束線圈電源（10）使等離子體聚焦提高離化率，開啟陽(yáng)極電源（8）施加電場(chǎng)產(chǎn)生二次離化過濾大顆粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直筒磁過濾電弧，其特征在于引弧系統(tǒng)（4）有高壓引弧、高頻引弧、引弧針引弧等多種形式。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直筒磁過濾電弧，其特征在于穩(wěn)弧線圈電源（9）和聚束線圈（10）的電流方向可以為同向也可以為反向，電流大小可根據(jù)需求進(jìn)行調(diào)節(jié)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直筒磁過濾電弧，其特征在于陽(yáng)極環(huán)（7）可根據(jù)需求決定是否通入氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直筒磁過濾電弧，其特征在于陽(yáng)極環(huán)（7）可根據(jù)需求決定是否使用。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于一種直筒磁過濾電弧，包括水冷直筒1，其特征是陰極靶材2由弧電源3和引弧系統(tǒng)4驅(qū)動(dòng)，穩(wěn)弧線圈5和聚束線圈6分別由穩(wěn)弧線圈電源9和聚束線圈電源10供電，陽(yáng)極環(huán)7由陽(yáng)極電源8提供電壓，啟動(dòng)弧電源3使陰極靶材2與引弧系統(tǒng)4間產(chǎn)生放電，調(diào)節(jié)穩(wěn)弧線圈電源9使陰極靶材2穩(wěn)定放電，調(diào)節(jié)聚束線圈電源10使等離子體聚焦提高離化率，開啟陽(yáng)極電源8施加電場(chǎng)產(chǎn)生二次離化過濾大顆粒，本發(fā)明可有效去除大顆粒且保持高的沉積速率，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可明顯提升涂層質(zhì)量，降低涂層成本。

技術(shù)研發(fā)人員：孫英斌,白春陽(yáng),王俊波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：大連金泰正新科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15