本技術(shù)屬于半導(dǎo)體制造，更具體地說，是涉及一種pecvd反應(yīng)腔及pecvd設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在現(xiàn)有的晶圓pecvd（plasma?enhanced?chemical?vapor?deposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）設(shè)備中，反應(yīng)腔中的真空抽氣口設(shè)置在反應(yīng)腔的側(cè)下方，由于腔體內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，抽氣位置對反應(yīng)腔流場產(chǎn)生一定影響，導(dǎo)致反應(yīng)腔內(nèi)的壓力或反應(yīng)氣體流速發(fā)生變化，進(jìn)而導(dǎo)致加熱盤周向的氣體流速不均勻，從而導(dǎo)致副產(chǎn)物或腔室內(nèi)壁附著顆粒物容易落在晶圓上，在晶圓上造成明顯顆粒物堆積的特征性的圖案，嚴(yán)重影響器件性能和晶圓的產(chǎn)品良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實(shí)施例的目的在于提供一種pecvd反應(yīng)腔及pecvd設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中pecvd反應(yīng)腔內(nèi)部存在反應(yīng)氣體流速不均勻的技術(shù)問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)的第一方面是提供一種pecvd反應(yīng)腔及pecvd設(shè)備，包括：

3、底座，開設(shè)有加熱腔，所述加熱腔具有敞口，且所述底座上設(shè)有與所述加熱腔連通的真空接口，所述真空接口與所述敞口分別位于所述底座沿第一方向的兩側(cè)，且所述真空接口的軸線與所述敞口的軸線沿第二方向間隔；

4、導(dǎo)流罩，連接于所述加熱腔內(nèi)，沿所述第二方向，所述導(dǎo)流罩具有相對的第一端和第二端，由所述第一端沿所述導(dǎo)流罩周向指向所述第二端的方向，所述導(dǎo)流罩的側(cè)壁的半徑呈逐漸減小設(shè)置，且所述導(dǎo)流罩靠近所述敞口的一端與所述第二方向平行；

5、所述導(dǎo)流罩的側(cè)壁與所述加熱腔的側(cè)壁間距設(shè)置以形成一環(huán)形的導(dǎo)流通道，所述導(dǎo)流通道沿所述第一方向的一端與所述敞口連通，另一端與所述真空接口連通；

6、沿所述第二方向，所述真空接口的軸線與所述第一端的間距大于所述真空接口的軸線與所述第二端的間距；

7、加熱盤，連接于所述導(dǎo)流罩靠近所述敞口的一側(cè)；

8、其中，所述第一方向和所述第二方向相互垂直。

9、可選地，在所述第二方向的截面方向，設(shè)定所述導(dǎo)流通道位于所述第一端的一側(cè)具有第一半徑，所述導(dǎo)流通道位于所述第二端的一側(cè)具有第二半徑，所述第一半徑大于所述第二半徑。

10、可選地，沿所述第一端指向所述真空接口的方向，位于所述第一端一側(cè)的所述導(dǎo)流通道的曲率半徑呈逐漸增大設(shè)置。

11、可選地，在所述第二方向的截面方向，所述導(dǎo)流通道還具有第三半徑，所述第一半徑小于所述第三半徑；

12、所述導(dǎo)流通道與所述第三半徑相對應(yīng)的部分的一端與所述導(dǎo)流通道與所述第二半徑相對應(yīng)的部分連通，所述導(dǎo)流通道與所述第三半徑相對應(yīng)的部分的另一端與所述真空接口連通。

13、可選地，還包括：

14、第一連接座，一端與所述第一端連接，另一端與所述加熱腔的側(cè)壁連接；

15、所述第一連接座的外壁由第一預(yù)設(shè)曲線繞其長度方向旋轉(zhuǎn)一周形成；

16、所述第一連接座上設(shè)有第一插接部，所述第一端上設(shè)有第一插接槽，所述第一插接部插接于所述第一插接槽內(nèi)。

17、可選地，還包括：

18、第二連接座，沿所述第二方向，所述第二連接座與所述第一連接座間隔，且所述第二連接座位于所述第一端與所述敞口的軸線之間，所述第二連接座一端與所述導(dǎo)流罩連接，另一端與所述加熱腔的側(cè)壁連接；

19、所述第二連接座的外壁由第二預(yù)設(shè)曲線繞其長度方向旋轉(zhuǎn)一周形成；

20、所述第二連接座上設(shè)有第二插接部，所述導(dǎo)流罩上設(shè)有第二插接槽，所述第二插接部插接于所述第二插接槽內(nèi)。

21、可選地，所述加熱盤與所述導(dǎo)流罩之間設(shè)有密封圈。

22、可選地，所述加熱盤連接有軸體，所述軸體沿所述第一方向依次貫穿所述導(dǎo)流罩和所述底座，且所述加熱盤、所述軸體和所述敞口同軸設(shè)置；

23、所述軸體與所述底座和所述導(dǎo)流罩的連接部位設(shè)有第三連接座，所述第三連接座的一端與所述底座連接，另一端與所述導(dǎo)流罩連接，以對所述軸體與所述底座和所述導(dǎo)流罩的連接部位進(jìn)行密封，且所述第三連接座的外壁為弧形的曲面結(jié)構(gòu)。

24、可選地，還包括：

25、升降機(jī)構(gòu)，沿第一方向滑動(dòng)連接于所述底座和所述導(dǎo)流罩，用于驅(qū)動(dòng)晶圓與所述加熱盤分離；

26、所述升降機(jī)構(gòu)與所述導(dǎo)流罩的滑動(dòng)連接部位沿所述第二方向與所述敞口的軸線間隔，并位于所述第一端與所述敞口的軸線之間；

27、所述升降機(jī)構(gòu)與所述底座和導(dǎo)流罩的滑動(dòng)連接部位設(shè)有第四連接座，所述第四連接座的一端與所述底座連接，另一端與所述導(dǎo)流罩連接，以對所述升降機(jī)構(gòu)與所述底座和所述導(dǎo)流罩的連接部位進(jìn)行密封，且所述第四連接座的外壁為弧形的曲面結(jié)構(gòu)。

28、可選地，所述升降機(jī)構(gòu)包括：

29、升降桿滑動(dòng)連接于所述底座和所述導(dǎo)流罩，所述第四連接座套設(shè)于所述升降桿的外側(cè)；

30、支撐桿，一端與所述升降桿連接，另一端滑動(dòng)連接于設(shè)置于所述加熱盤上的導(dǎo)向孔內(nèi)，所述支撐桿用于在所述升降桿的驅(qū)動(dòng)下，將晶圓與所述加熱盤分離。

31、本技術(shù)提供的pecvd反應(yīng)腔的有益效果在于：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)所提供的pecvd反應(yīng)腔包括底座、導(dǎo)流罩和加熱盤，其中底座上開設(shè)有加熱腔，所述加熱腔具有敞口，且所述底座上設(shè)有與所述加熱腔連通的真空接口，導(dǎo)流罩連接于所述加熱腔內(nèi)，所述導(dǎo)流罩的側(cè)壁與所述加熱腔的側(cè)壁間距設(shè)置以形成一環(huán)形的導(dǎo)流通道，沿所述第二方向，所述導(dǎo)流罩具有相對的第一端和第二端，真空接口的軸線與所述第一端的間距大于所述真空接口的軸線與所述第二端的間距，且由所述第一端沿所述導(dǎo)流罩周向指向所述第二端的方向，所述導(dǎo)流罩的側(cè)壁的半徑呈逐漸減小設(shè)置，以保證反應(yīng)氣體在經(jīng)過反應(yīng)氣體流道內(nèi)任意位置，由敞口流入真空接口的路徑都相同，使加熱盤邊緣各處與敞口之間的氣流流場平衡，達(dá)到對反應(yīng)氣體以及顆粒物均勻抽離的效果，減少顆粒物對晶圓的污染，從而提高沉積在晶圓表面薄膜膜厚和膜質(zhì)的均勻性。

32、第二方面，本技術(shù)是提供一種pecvd設(shè)備，包括；

33、pecvd反應(yīng)腔，

34、噴頭，與所述pecvd反應(yīng)腔相對設(shè)置，用于向所述pecvd反應(yīng)腔內(nèi)的晶圓噴射等離子反應(yīng)氣體

35、本技術(shù)提供的pecvd設(shè)備的有益效果在于：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)所提供的pecvd設(shè)備包括上述任意一項(xiàng)所提供的pecvd反應(yīng)腔，pecvd反應(yīng)腔包括底座、導(dǎo)流罩和加熱盤，其中底座上開設(shè)有加熱腔，所述加熱腔具有敞口，且所述底座上設(shè)有與所述加熱腔連通的真空接口，導(dǎo)流罩連接于所述加熱腔內(nèi)，所述導(dǎo)流罩的側(cè)壁與所述加熱腔的側(cè)壁間距設(shè)置以形成一環(huán)形的導(dǎo)流通道，沿所述第二方向，所述導(dǎo)流罩具有相對的第一端和第二端，真空接口的軸線與所述第一端的間距大于所述真空接口的軸線與所述第二端的間距，且由所述第一端沿所述導(dǎo)流罩周向指向所述第二端的方向，所述導(dǎo)流罩的側(cè)壁的半徑呈逐漸減小設(shè)置，以保證反應(yīng)氣體在經(jīng)過反應(yīng)氣體流道內(nèi)任意位置，由敞口流入真空接口的路徑都相同，使加熱盤邊緣各處與敞口之間的氣流流場平衡，達(dá)到對反應(yīng)氣體以及顆粒物均勻抽離的效果，減少顆粒物對晶圓的污染，從而提高沉積在晶圓表面薄膜膜厚和膜質(zhì)的均勻性。