專利名稱：一種多晶硅氫化爐用的絕緣材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光伏或半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是一種多晶硅氫化爐用的絕緣材料。
背景技術(shù)：
多晶硅是最主要的光伏材料，是集成電路硅襯底、新型環(huán)保能源太陽(yáng)能電池的主 要材料，也是生產(chǎn)單晶硅的直接原料。生產(chǎn)多晶硅的方法很多，目前國(guó)內(nèi)外多晶硅生產(chǎn)企業(yè) 主要是采用改良西門子法(閉環(huán)式三氯氫硅還原法)生產(chǎn)多晶硅。改良西門子法是用氯和 氫合成氯化氫，氯化氫和硅粉在一定溫度下合成三氯氫硅，然后對(duì)三氯氫硅進(jìn)行分離精餾 提純，提純后的三氯氫硅在多晶硅還原爐內(nèi)進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng)生成高純多晶硅，并沉 積在發(fā)熱體上?；瘜W(xué)反應(yīng)繼續(xù)進(jìn)行，沉積在發(fā)熱體上的多晶硅越來(lái)越多，逐漸地將發(fā)熱體全 部覆蓋，變成了一根外表包裹著多晶硅的棒狀體，俗稱硅棒?；瘜W(xué)反應(yīng)繼續(xù)進(jìn)行，多晶硅會(huì) 繼續(xù)沉積在硅棒上，使硅棒漸漸變粗，最后變成了一根以多晶硅為主的硅棒。高溫氫化爐在生產(chǎn)過(guò)程中，內(nèi)部的SiCl4與H2反應(yīng)生成SiHCl3和HCl等物質(zhì)，用 于保護(hù)電極的石英環(huán)在高溫狀態(tài)下會(huì)和H2或HCl或其他腐蝕性氣體反應(yīng)，從而被腐蝕。另 夕卜，高溫狀態(tài)下，SiHCl3和H2反應(yīng)生成硅沉積在溫度較高的石墨棒或隔熱籠內(nèi)壁上，由于熱 應(yīng)力的存在，生成的硅或碳化硅會(huì)粘住部分石墨材料呈大塊鱗片狀從石墨棒上剝落，這些 物質(zhì)大多落在失去石英環(huán)保護(hù)的電極上面，將電極與底盤的石墨導(dǎo)通，從而造成短路，影響 高溫氫化爐的正常運(yùn)行。目前，國(guó)內(nèi)外關(guān)于多晶硅氫化爐用的電極保護(hù)裝置，已有相關(guān)的專利文獻(xiàn)報(bào)道，如
發(fā)明者王志輝, 聶思武 申請(qǐng)人:江西賽維Ldk太陽(yáng)能高科技有限公司