1.一種低氧含量半導(dǎo)體芯復(fù)合材料光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）在氮?dú)鈿夥帐痔紫渲校瑢雽?dǎo)體芯原料粉緊密填充滿一端封口的包層玻璃管的中心孔；
（2）對填充滿半導(dǎo)體芯原料粉的包層玻璃管進(jìn)行抽真空，同時，熱拉玻璃管的另一端封口，將半導(dǎo)體芯原料粉真空密封于包層玻璃管中，得到所述低氧含量半導(dǎo)體芯復(fù)合材料光纖預(yù)制棒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低氧含量半導(dǎo)體芯復(fù)合材料光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述半導(dǎo)體芯原料包括Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、P、As、Sb、Bi、S、Se和Te中的一種以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低氧含量半導(dǎo)體芯復(fù)合材料光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述包層玻璃管為任一種氧化物玻璃，包括硼硅酸鹽玻璃管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低氧含量半導(dǎo)體芯復(fù)合材料光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述包層玻璃管的玻璃軟化溫度高于半導(dǎo)體芯的熔融溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低氧含量半導(dǎo)體芯復(fù)合材料光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述抽真空的真空壓強(qiáng)為10-6Pa至100kPa。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低氧含量半導(dǎo)體芯復(fù)合材料光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，將得到的光纖預(yù)制棒拉絲，獲得低氧量半導(dǎo)體芯復(fù)合材料光纖，得到的低氧含量半導(dǎo)體芯復(fù)合材料光纖中的氧含量低于5 wt%。