技術(shù)特征：

1.一種導模包芯摻雜晶體生長方法，其特征在于：s1：將生長原料放入容器內(nèi)，將模具與吊桿(4)連接，將吊桿(4)固定到爐膛內(nèi)，將模具放置在容器內(nèi)；將籽晶(93)固定在籽晶桿(9)一端，所述籽晶桿(9)與伸縮機構(gòu)連接；將籽晶(93)通過籽晶桿(9)位于模具正上方10-30mm處，所述模具設(shè)有柱狀腔體(51)和環(huán)狀腔體(61)，所述柱狀腔體(51)設(shè)置在環(huán)狀腔體(61)的內(nèi)部；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導模包芯摻雜晶體生長方法，其特征在于：所述第一坩堝(2)、第二坩堝(3)的外側(cè)設(shè)置有第一加熱裝置(1)；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種導模包芯摻雜晶體生長方法，其特征在于：所述第一坩堝(2)位于導引模具(7)設(shè)有的容置空間(72)內(nèi)；所述中心模具(5)遠離外環(huán)模具(6)一端伸入第一坩堝(2)內(nèi)；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導模包芯摻雜晶體生長方法，其特征在于：所述第一坩堝(2)、第二坩堝(3)的底部分別設(shè)置有第一坩堝托(21)、第二坩堝托(31)，所述第一坩堝托(21)、第二坩堝托(31)分別連接有第一升降裝置(22)、第二升降裝置(32)；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導模包芯摻雜晶體生長方法，其特征在于：所述吊桿(4)上設(shè)置有導熱環(huán)(8)，所述導熱環(huán)(8)設(shè)置有中心孔(81)，所述導熱環(huán)(8)的中心孔(81)位于模具的上方，所述導熱環(huán)(8)設(shè)置在晶體(10)的外側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導模包芯摻雜晶體生長方法，其特征在于：所述籽晶桿(9)上設(shè)置有支撐桿(91)，所述吊桿(4)上設(shè)置有滑軌(41)，所述支撐桿(91)與滑軌(41)滑動配合；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導模包芯摻雜晶體生長方法，其特征在于：所述s1中生長原料為氧化鋁；所述s2中抽真空至10pa以內(nèi)，所述惰性氣體為氣、氮氣，所述惰性氣體流速為0.5-5l/min；

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種導模包芯摻雜晶體生長方法，其特征在于：所述s4中升溫到第一溫度升溫時間為4-10h，升溫速率為80-300℃/h，所述第一溫度為2050-2200℃；

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導模包芯摻雜晶體生長方法，其特征在于：所述s6中一次降溫當?shù)慕禍厮俾蕿?-50℃/h；記錄模具內(nèi)部溫度t1；

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導模包芯摻雜晶體生長方法，其特征在于：所述s7中晶體(10)結(jié)束后，將坩堝內(nèi)溫度提高9-11℃，然后以拉升速度為950-1100mm/h通過籽晶桿(9)將晶體(10)拉升并脫離模具；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種導模包芯摻雜晶體生長方法，包括S1：將生長原料放入容器內(nèi)；將籽晶位于模具上方，所述模具設(shè)有柱狀腔體和環(huán)狀腔體，所述柱狀腔體設(shè)置在環(huán)狀腔體的內(nèi)部；柱狀腔體與第一坩堝內(nèi)腔連通；環(huán)狀腔體直接或間接與第二坩堝內(nèi)腔連通；S2：對爐膛內(nèi)抽真空、然后充入惰性氣體；S3：進行排氣處理；S4：將坩堝內(nèi)生長原料熔化；S5：將籽晶下降到模具上表面，將籽晶拉升；S6：將籽晶縮徑，開始降溫；S7：晶體脫離模具；S8：降溫后進行退火處理。通過若干個不同的坩堝能夠?qū)崿F(xiàn)晶體在豎直方向同一分布下的不同濃度摻雜，能夠控制晶體外表面有低的粗糙度，使泵浦光能夠有效地被傳輸?shù)焦饫w核心區(qū)域；提高了晶體的生長質(zhì)量，實現(xiàn)高效的光?光轉(zhuǎn)換。

技術(shù)研發(fā)人員：王曉亮,王玉寶,趙小玻,何敬暉,趙鵬
受保護的技術(shù)使用者：中材人工晶體研究院有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15