本申請屬于半導體，具體涉及一種半導體工藝設備的副產物分離裝置及半導體工藝設備。

背景技術：

1、在半導體工藝制程封裝階段過程中，通常使用一種立式爐設備對真空加熱后的聚酰亞胺(pi)薄膜進行損傷修復及粘接性加固，這種設備稱為聚酰亞胺固化設備(polyimidecuring，piq)。作為絕緣類材料，聚酰亞胺薄膜由均苯四甲酸二酐以及二胺基二苯醚在強極性溶劑(主要成分是水和γ-丁內脂)中，經縮聚并流延成膜再經亞胺化而成。聚酰亞胺以較高的耐溫性，高介電強度，耐輻射性及粘結性被廣泛應用在半導體工藝制程封裝階段中。

2、進行piq工藝時，腔室通入廠務端n2，聚酰亞胺薄膜中的溶劑被高溫蒸發(fā)，聚酰氬胺薄膜固化，產生氣態(tài)副產物γ-丁內脂以及水蒸氣；工藝結束后從腔室內隨n2一起排出，piq工藝后的排氣副產物為γ-丁內脂、水和n2。

3、其中，副產物γ-丁內脂沸點為199-201℃,熔點為-75℃，常溫下γ-丁內脂會轉變?yōu)榫哂姓掣叫缘挠椭瑺?。在半導體廠進行工藝制造過程中，廠務對設備的要求是產生的廢氣廢液需要在常溫下分離，廢氣排至廢氣口，廢液排至廢液口。因此，piq設備排氣管路中需要有冷卻分離副產物的系統(tǒng)。

4、然而，當前一些副產物的分離收集裝置的冷卻效果不佳，導致其對副產物的處理能力不足。

技術實現思路

1、本申請實施例的目的是提供一種半導體工藝設備的副產物分離裝置及半導體工藝設備，能夠解決當前分離收集裝置冷卻效果不佳導致其對副產物處理能力不足等問題。

2、為了解決上述技術問題，本申請是這樣實現的：

3、本申請實施例提供了一種半導體工藝設備的副產物分離裝置，用于對半導體工藝過程中產生的副產物進行分離處理，所述副產物分離裝包括：第一管件、第二管件和多個導流件；

4、所述第二管件設于所述第一管件內，且兩者之間形成與所述副產物分離裝置的中心線方向平行的流道；

5、多個所述導流件在平行于所述中心線方向上間隔排布于所述流道內，每個所述導流件的至少部分外緣與所述第一管件的內壁之間具有缺口，相鄰兩個所述導流件各自對應的所述缺口錯位布置；

6、所述第一管件設有與所述流道分別連通的進氣口、出氣口和排污口，所述進氣口用于接收工藝副產物，所述出氣口用于排出所述工藝副產物分離出的廢氣，所述排污口用于排出所述工藝副產物分離出的廢液；

7、所述第二管件設有至少用于輸入冷卻介質的進液口和用于輸出所述冷卻介質的出液口。

8、本申請實施例還提供了一種半導體工藝設備，包括：工藝腔室以及上述副產物分離裝置；

9、所述工藝腔室的出氣端管路與所述進氣口連接。

10、本申請實施例中，通過多個導流件在第一管件與第二管件之間形成的多個錯位布置的缺口，可以使半導體工藝過程中產生的工藝副產物順暢流動，并且可以在短程內延長工藝副產物的流動路徑，最大程度的發(fā)揮內部冷卻的冷卻效果，有利于提升工藝副產物的分離效果；并且，本申請實施例采用內部冷卻、外部通氣的結構，有利于增加流道內的冷卻面積，使多個導流件不僅具有分割流道的作用，還可以起到冷卻收集的作用，同時，為冷卻的工藝副產物提供附著空間，既可以提升冷卻效果，又可以延長維護時間。

技術特征：

1.一種半導體工藝設備的副產物分離裝置，用于對半導體工藝過程中產生的副產物進行分離處理，其特征在于，所述副產物分離裝置(1)包括：第一管件(10)、第二管件(11)和多個導流件(12)；

2.根據權利要求1所述的副產物分離裝置，其特征在于，相鄰兩個所述導流件(12)各自對應的所述缺口(m)在垂直于所述中心線的平面內的投影呈軸對稱布置。

3.根據權利要求1所述的副產物分離裝置，其特征在于，所述進氣口(101)設于所述第一管件(10)的一端，所述出氣口(102)設于所述第一管件(10)的側壁，所述第二管件(11)自所述第一管件(10)背離所述進氣口(101)的另一端伸入至所述第一管件(10)內；

4.根據權利要求3所述的副產物分離裝置，其特征在于，距離所述進氣口(101)最遠處的所述導流件(12)，與所述出氣口(102)的鄰近所述進氣口(101)的邊緣對齊設置。

5.根據權利要求4所述的副產物分離裝置，其特征在于，所述出氣口(102)距離所述進氣口(101)最遠處的邊緣，至所述第一管件(10)背離所述進氣口(101)的一端之間的距離，大于或等于所述出氣口(102)的直徑的1.5倍。

6.根據權利要求1所述的副產物分離裝置，其特征在于，所述導流件(12)的中部區(qū)域設有通孔(121)，所述第二管件(11)穿設于所述通孔(121)中，且所述第二管件(11)的外壁與所述通孔(121)的孔壁緊密配合；

7.根據權利要求6所述的副產物分離裝置，其特征在于，所述導流件(12)包括圓弧面邊緣(122)和平面邊緣(123)，所述圓弧面邊緣(122)的兩端與所述平面邊緣(123)的兩端分別連接；

8.根據權利要求7所述的副產物分離裝置，其特征在于，所述通孔(121)的孔壁與所述平面邊緣(123)的最小距離的范圍為0.1mm～0.3mm；

9.根據權利要求1或6所述的副產物分離裝置，其特征在于，所述導流件(12)與所述第二管件(11)的外壁采用滿焊連接。

10.根據權利要求1至4中任意一項所述的副產物分離裝置，其特征在于，在所述中心線方向上，相鄰兩個所述導流件(12)之間的間距范圍為30mm～45mm。

11.根據權利要求1所述的副產物分離裝置，其特征在于，所述副產物分離裝置(1)還包括進液管路(142)和出液管路(143)；

12.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括：工藝腔室(2)以及權利要求1至11中任意一項所述的副產物分離裝置(1)；

技術總結
本申請公開了一種半導體工藝設備的副產物分離裝置及半導體工藝設備，涉及半導體領域。其中，副產物分離裝包括：第一管件、第二管件和多個導流件；第二管件設于第一管件內，且兩者之間形成流道；多個導流件在平行于中心線方向上間隔排布于流道內，每個導流件的至少部分外緣與第一管件的內壁之間具有缺口，相鄰兩個導流件各自對應的缺口錯位布置；第一管件設有與流道分別連通的進氣口、出氣口和排污口；第二管件設有至少用于輸入冷卻介質的進液口和用于輸出冷卻介質的出液口。本申請能夠解決當前分離收集裝置冷卻效果不佳導致其對副產物處理能力不足等問題。

技術研發(fā)人員：馬新春,孫晉博,王若琛
受保護的技術使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/5/19