本公開涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)(mems)設(shè)備的封裝，并且更具體地涉及一種增加產(chǎn)品產(chǎn)率的大管芯尺寸的mems設(shè)備的封裝。

背景技術(shù)：

1、壓電微機(jī)械超聲換能器(pmut)是響應(yīng)于與薄壓電膜耦接的薄膜的撓曲運(yùn)動(dòng)而不是如在體壓電超聲換能器內(nèi)的壓電陶瓷板的厚度模式運(yùn)動(dòng)而操作的mems設(shè)備。應(yīng)當(dāng)注意，pmut是一類微機(jī)械超聲換能器(mut)。與體壓電超聲換能器相比，pmut可以提供各種優(yōu)點(diǎn)，如增加的帶寬、靈活的幾何形狀、與水或空氣的固有聲阻抗匹配、降低的電壓要求、與不同諧振頻率的混合以及與(尤其是對(duì)于小型化高頻應(yīng)用)支持電子電路集成的可能性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在一些實(shí)施例中，本公開提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含：襯底；第一管芯，所述第一管芯位于所述襯底上，其中所述第一管芯的主動(dòng)表面背對(duì)所述襯底；第二管芯，所述第二管芯位于所述第一管芯的所述主動(dòng)表面上，所述第二管芯通過(guò)多個(gè)導(dǎo)電端子電連接到所述第一管芯；以及密封結(jié)構(gòu)，所述密封結(jié)構(gòu)位于所述第一管芯的所述主動(dòng)表面上，所述密封結(jié)構(gòu)圍繞所述多個(gè)導(dǎo)電端子并且鄰接所述第二管芯，由此在所述第一管芯與所述第二管芯之間形成腔。

2、在一些實(shí)施例中，本公開提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含：襯底；第一管芯，所述第一管芯位于所述襯底上；第二管芯，所述第二管芯位于所述第一管芯上，所述第二管芯具有多個(gè)單元區(qū)域，所述單元區(qū)域中的每個(gè)單元區(qū)域具有膜部分、連接到所述膜部分的發(fā)射部分以及連接到所述膜部分的接收部分；以及密封結(jié)構(gòu)，所述密封結(jié)構(gòu)圍繞所述多個(gè)單元區(qū)域。

3、在一些實(shí)施例中，本公開提供了一種用于制造半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包含：(1)設(shè)置第一管芯和第二管芯；(2)通過(guò)多個(gè)導(dǎo)電端子將所述第二管芯鍵合到所述第一管芯；(3)在所述第一管芯上形成圍繞所述多個(gè)導(dǎo)電端子并且鄰接所述第二管芯的密封結(jié)構(gòu)，由此在所述第一管芯與所述第二管芯之間形成腔。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括包封料，所述包封料圍繞所述第一管芯，且所述密封結(jié)構(gòu)與所述包封料隔開。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述包封料具有與所述第一管芯的頂面不垂直的側(cè)壁。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述密封結(jié)構(gòu)具有面向所述包封料的所述側(cè)壁的曲面。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述包封料與所述密封結(jié)構(gòu)之間具有間隙，且所述第一管芯的頂面通過(guò)所述間隙露出。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述密封結(jié)構(gòu)覆蓋所述第二管芯的部分的側(cè)壁。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，所述單元區(qū)域中的每個(gè)單元區(qū)域包括膜部分、連接到所述膜部分的接收部分以及連接到所述膜部分的發(fā)射部分。

8.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述密封結(jié)構(gòu)包含不與所述第二管芯垂直重疊的第二部分。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述密封結(jié)構(gòu)的所述第二部分位于所述第二管芯的底面的水平延伸線的下方。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第二管芯為微機(jī)電系統(tǒng)晶?；驂弘娢C(jī)械超聲換能器。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括包封料，所述包封料圍繞所述第一管芯，且所述密封結(jié)構(gòu)的所述第一部分與所述包封料隔開。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述包封料的頂部相對(duì)于所述第一管芯的頂面的高度高于所述密封結(jié)構(gòu)的頂部相對(duì)于所述第一管芯的所述頂面的高度。

14.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電端子的一個(gè)的頂部相對(duì)于所述第一管芯的頂面的高度低于所述密封結(jié)構(gòu)的頂部相對(duì)于所述第一管芯的所述頂面的高度。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電端子包含鄰近所述密封結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電端子，且所述第一導(dǎo)電端子具有面向所述密封結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，其中所述第一導(dǎo)電端子的所述側(cè)壁與所述密封結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的距離為非均勻。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電端子包含鄰近所述密封結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電端子及鄰近于所述第一導(dǎo)電端子的第二導(dǎo)電端子，且所述密封結(jié)構(gòu)與所述第一導(dǎo)電端子的第一距離不同于所述第一導(dǎo)電端子與所述第二導(dǎo)電端子之間的第二距離。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述第一距離小于所述第二距離。

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中所述密封結(jié)構(gòu)接觸所述第二管芯的底面。

20.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)和其制造方法。所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含：襯底；第一管芯，所述第一管芯位于所述襯底上，其中所述第一管芯的主動(dòng)表面背對(duì)所述襯底；第二管芯，所述第二管芯位于所述第一管芯的所述主動(dòng)表面上，所述第二管芯通過(guò)多個(gè)導(dǎo)電端子電連接到所述第一管芯；以及密封結(jié)構(gòu)，所述密封結(jié)構(gòu)位于所述第一管芯的所述主動(dòng)表面上，所述密封結(jié)構(gòu)圍繞所述多個(gè)導(dǎo)電端子并且鄰接所述第二管芯，由此在所述第一管芯與所述第二管芯之間形成腔。

技術(shù)研發(fā)人員：曾吉生,賴律名,柳輝忠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/22