1.一種芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，包括分布式電源板，所述分布式電源板包括：電路板、設(shè)置于所述電路板的控制模塊、芯片供電模塊以及連接器組件；所述連接器組件用于插接于老化板，所述老化板具有k個第一電源通道，所述k個第一電源通道用于與設(shè)置在所述老化板上的待測芯片連接，所述k為整數(shù)且k≥1；
2.如權(quán)利要求1所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述控制模塊包括：供電控制模塊，所述供電控制模塊與所述芯片供電模塊連接；
3.如權(quán)利要求2所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述供電控制模塊包括：供電通道總控模塊和調(diào)壓控制模塊，所述供電通道總控模塊與所述調(diào)壓控制模塊連接，所述調(diào)壓控制模塊與所述芯片供電模塊連接；
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述老化板具有q個第一監(jiān)測通道，所述分布式電源板還包括：設(shè)置于所述電路板的監(jiān)測保護(hù)模塊，所述監(jiān)測保護(hù)模塊通過所述連接器組件與所述q個第一監(jiān)測通道一一對應(yīng)連接；所述q為整數(shù)且q≥1；
5.如權(quán)利要求4所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述監(jiān)測保護(hù)模塊包括：第一采集模塊和電源保護(hù)模塊，所述第一采集模塊通過所述連接器組件與所述q個第一監(jiān)測通道一一對應(yīng)連接；
6.如權(quán)利要求4或5所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片老化測試系統(tǒng)還包括主控板；所述主控板和所述老化板用于插接于轉(zhuǎn)接背板，且所述主控板和所述老化板通過所述轉(zhuǎn)接背板連接；
7.如權(quán)利要求6所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述監(jiān)測保護(hù)模塊包括：第二采集模塊和監(jiān)測數(shù)據(jù)緩存模塊，所述第二采集模塊通過所述連接器組件與所述q個第一監(jiān)測通道一一對應(yīng)連接；
8.如權(quán)利要求7所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述監(jiān)測保護(hù)模塊還包括電源保護(hù)模塊，所述電源保護(hù)模塊與所述第二采集模塊和所述控制模塊連接；
9.如權(quán)利要求4-8任一項(xiàng)所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述控制模塊包括供電控制模塊，所述供電控制模塊包括：供電通道總控模塊和時序控制模塊，所述供電通道總控模塊與所述監(jiān)測保護(hù)模塊和所述時序控制模塊連接，所述時序控制模塊與所述芯片供電模塊連接；
10.如權(quán)利要求6-8任一項(xiàng)所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述第二監(jiān)測信號包括監(jiān)測電壓，所述第二監(jiān)測閾值包括第二電壓閾值；或者，
11.如權(quán)利要求4-10任一項(xiàng)所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述第一監(jiān)測信號包括監(jiān)測電壓，所述第一監(jiān)測閾值包括第一電壓閾值；或者，
12.如權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述控制模塊包括：供電控制模塊，所述供電控制模塊與所述芯片供電模塊連接；
13.如權(quán)利要求12所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述供電控制模塊包括：供電通道總控模塊和調(diào)壓控制模塊，所述供電通道總控模塊與所述調(diào)壓控制模塊連接，所述調(diào)壓控制模塊與所述芯片供電模塊連接；
14.如權(quán)利要求13所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述供電通道總控模塊還用于：響應(yīng)于調(diào)壓速率配置數(shù)據(jù)，向所述調(diào)壓控制模塊發(fā)送所述設(shè)定調(diào)壓速率。
15.如權(quán)利要求12-14任一項(xiàng)所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述供電控制模塊還包括：時序控制模塊，所述時序控制模塊與所述供電通道總控模塊和所述芯片供電模塊連接；
16.如權(quán)利要求1-15任一項(xiàng)所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述控制模塊還用于：
17.如權(quán)利要求1-16任一項(xiàng)所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述分布式電源板還包括：設(shè)置于所述電路板的通信模塊；所述控制模塊還包括存儲模塊；
18.如權(quán)利要求1-17任一項(xiàng)所述的芯片老化測試系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片老化測試系統(tǒng)還包括集中式電源板，所述集中式電源板通過轉(zhuǎn)接背板與所述老化板連接，用于向所述老化板上的待測芯片供電。
19.一種芯片老化測試設(shè)備，其特征在于，包括：老化機(jī)臺以及如權(quán)利要求1-18任一項(xiàng)所述的芯片老化測試系統(tǒng)，所述老化機(jī)臺包括供電組件和一個或多個層，每個所述層設(shè)置有老化板和所述芯片老化測試系統(tǒng)，所述分布式電源板通過連接器組件插接于所述老化板；
20.一種供電控制方法，其特征在于，所述供電控制方法應(yīng)用于芯片老化測試系統(tǒng)，所述芯片老化測試系統(tǒng)包括分布式電源板，所述分布式電源板包括：電路板、設(shè)置于所述電路板的芯片供電模塊以及連接器組件；所述連接器組件用于插接于老化板，所述老化板具有k個第一電源通道，所述k個第一電源通道用于與設(shè)置于所述老化板上的待測芯片連接，所述k為整數(shù)且k≥1；
21.一種熱插拔方法，其特征在于，所述熱插拔方法應(yīng)用于芯片老化測試系統(tǒng)，所述芯片老化測試系統(tǒng)包括分布式電源板，所述分布式電源板包括：電路板、設(shè)置于所述電路板的芯片供電模塊以及連接器組件；所述連接器組件用于插接于老化板，所述老化板具有k個第一電源通道，所述k個第一電源通道用于與設(shè)置于所述老化板上的待測芯片連接，所述k為整數(shù)且k≥1；