本發(fā)明實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種測試電路、測試方法以及芯片。

背景技術：

1、靜電是一種客觀存在的自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式有多種，如接觸、摩擦、電器間感應等。靜電具有長時間積聚、高電壓、低電量、小電流和作用時間短的特點。

2、對于電子產(chǎn)品而言，靜電放電(electrostatic?discharge，esd)是影響集成電路可靠性的一個主要因素。esd是一種電荷的快速中和過程。由于靜電電壓很高會給集成電路帶來破壞性的后果，造成集成電路的失效。因此，為了保護集成電路免遭esd的損害，esd保護器件也設計于集成電路中，以防止集成電路受到esd的損壞。相應的，也會對esd保護器件進行測試，以獲得相關的測試結果，從而確保esd保護器件能夠滿足設計要求。

3、但是，目前esd保護器件測試結果的可靠性，仍有待提高。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實施例解決的問題是提供一種測試電路、測試方法以及芯片，以提高測試結果的可靠性。

2、為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供一種測試電路，包括：被保護模塊，適于加載性能測試信號時，輸出被保護模塊的性能參數(shù)；靜電放電模塊，與所述被保護模塊耦接且并聯(lián)設置，適于在加載靜電放電測試信號時導通，以對靜電電流進行泄放。

3、可選的，所述被保護模塊包括金屬氧化物半導體場效應晶體管、雙極性晶體管和電阻中的一種或多種。

4、可選的，所述靜電放電模塊包括柵極接地n型溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管、柵極接電源p型溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管、雙極性晶體管、齊納二極管和普通二極管中的一種或多種。

5、可選的，所述被保護模塊的數(shù)量為一個或多個。

6、可選的，所述被保護模塊的數(shù)量為多個，多個所述保護模塊之間并聯(lián)設置或串聯(lián)設置。

7、可選的，所述靜電放電模塊的數(shù)量為一個或多個。

8、可選的，所述靜電放電模塊的數(shù)量為多個，各個所述靜電放電模塊之間并聯(lián)設置。

9、可選的，所述被保護模塊包括第一電源信號加載端，所述靜電放電模塊包括第二電源信號加載端，所述測試電路還包括：電阻，所述電阻具有第一端和第二端，所述第一端與第一電源信號加載端耦接，所述第二端與所述第二電源信號加載端耦接。

10、相應的，本發(fā)明實施例還提供一種芯片，包括本發(fā)明實施例提供的測試電路。

11、相應的，本發(fā)明實施例還提供一種測試方法，適于對本發(fā)明實施例提供的測試電路進行測試，所述測試方法包括：對所述被保護模塊加載性能測試信號，進行初始性能測試，以輸出被保護模塊的初始性能參數(shù)；在所述初始性能測試后，進行防護能力測試，所述防護能力測試包括：對靜電放電模塊加載靜電放電測試信號，進行靜電電流泄放測試；在所述靜電電流泄放測試后，對所述被保護模塊加載性能測試信號，進行終態(tài)性能測試，以輸出被保護模塊的終態(tài)性能參數(shù)；判斷所述初始性能參數(shù)和終態(tài)性能參數(shù)的差異是否在測試誤差的范圍內(nèi)，若是，則增大靜電放電測試信號并重復進行所述防護能力測試，否則，完成對所述靜電放電模塊的防護能力的評估。

12、可選的，進行所述防護能力測試的次數(shù)大于或等于10次。

13、與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明實施例的技術方案具有以下優(yōu)點：

14、本發(fā)明實施例提供的測試電路中，包括被保護模塊、以及與被保護模塊并聯(lián)的靜電放電模塊，使得加載靜電放電測試信號時，所述靜電放電模塊可以起到減小靜電電流對被保護模塊造成損傷的作用，也就是說，加載靜電放電測試信號時，不僅能夠測試靜電放電模塊的電學性能，還能夠測試靜電放電模塊對被保護模塊的防護效果，從而能夠較好地模擬出靜電放電模塊的實際應用場景，有利于提高測試電路的可靠性，進而有利于提高測試結果的可靠性。

15、本發(fā)明實施例提供的測試方法中，先進行初始性能測試，以輸出初始性能參數(shù)，再進行防護能力測試，所述防護能力測試包括依次進行的靜電電流泄放測試和終態(tài)性能測試，以輸出終態(tài)性能參數(shù)，判斷所述初始性能參數(shù)和終態(tài)性能參數(shù)的差異是否在測試誤差的范圍內(nèi)，若是，則增大靜電放電測試信號并重復進行所述防護能力測試，否則，完成對所述靜電放電模塊的防護能力的評估。由于測試電路的靜電放電模塊與被保護模塊并聯(lián)，使得加載靜電放電測試信號時，所述靜電放電模塊可以起到減小靜電電流對被保護模塊造成損傷的作用，也就是說，加載靜電放電測試信號時，不僅能夠測試靜電放電模塊的電學性能，還能夠測試靜電放電模塊對被保護模塊的防護效果，從而能夠較好地模擬出靜電放電模塊的實際應用場景，有利于提高測試電路的可靠性，進而有利于提高測試結果的可靠性。

技術特征：

1.一種測試電路，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的測試電路，其特征在于，所述被保護模塊包括金屬氧化物半導體場效應晶體管、雙極性晶體管和電阻中的一種或多種。

3.如權利要求1所述的測試電路，其特征在于，所述靜電放電模塊包括柵極接地n型溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管、柵極接電源p型溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管、雙極性晶體管、齊納二極管和普通二極管中的一種或多種。

4.如權利要求1所述的測試電路，其特征在于，所述被保護模塊的數(shù)量為一個或多個。

5.如權利要求4所述的測試電路，其特征在于，所述被保護模塊的數(shù)量為多個，多個所述保護模塊之間并聯(lián)設置或串聯(lián)設置。

6.如權利要求1所述的測試電路，其特征在于，所述靜電放電模塊的數(shù)量為一個或多個。

7.如權利要求6所述的測試電路，其特征在于，所述靜電放電模塊的數(shù)量為多個，各個所述靜電放電模塊之間并聯(lián)設置。

8.如權利要求1～7中任一項所述的測試電路，其特征在于，所述被保護模塊包括第一電源信號加載端，所述靜電放電模塊包括第二電源信號加載端，所述測試電路還包括：電阻，所述電阻具有第一端和第二端，所述第一端與第一電源信號加載端耦接，所述第二端與所述第二電源信號加載端耦接。

9.一種芯片，其特征在于，包括如權利要求1～8中任一項所述的測試電路。

10.一種測試方法，其特征在于，適于對權利要求1～8中任一項所述的測試電路進行測試，所述測試方法包括：

11.如權利要求10所述的測試方法，其特征在于，進行所述防護能力測試的次數(shù)大于或等于10次。

技術總結
一種測試電路、測試方法以及芯片，測試電路包括：被保護模塊，適于加載性能測試信號時，輸出被保護模塊的性能參數(shù)；靜電放電模塊，與被保護模塊耦接且并聯(lián)設置，適于在加載靜電放電測試信號時導通，以對靜電電流進行泄放。本發(fā)明的靜電放電模塊可以在加載靜電放電測試信號時，起到減小靜電電流對被保護模塊造成損傷的作用，也就是說，加載靜電放電測試信號時，不僅能夠測試靜電放電模塊的電學性能，還能夠測試靜電放電模塊對被保護模塊的防護效果，從而能夠較好地模擬出靜電放電模塊的實際應用場景，有利于提高測試電路的可靠性，進而有利于提高測試結果的可靠性。

技術研發(fā)人員：郭俊男
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/5/19