本發(fā)明涉及晶體管檢測，具體是晶體管生產(chǎn)用智能檢測系統(tǒng)及方法。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶體管作為電子設(shè)備的核心元件，其性能和可靠性對整個電子系統(tǒng)的穩(wěn)定運行至關(guān)重要，晶體管的生產(chǎn)過程中，從原材料處理到最終封裝測試的每一個環(huán)節(jié)都需要嚴(yán)格的質(zhì)量控制；

2、而晶體管的性能測試涉及多個項目，如何檢測晶體管在不同檢測條件下的性能情況，是我們所需要解決的問題，為此，現(xiàn)提供晶體管生產(chǎn)用智能檢測系統(tǒng)及方法。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供晶體管生產(chǎn)用智能檢測系統(tǒng)及方法。

2、本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：晶體管生產(chǎn)用智能檢測系統(tǒng)，包括監(jiān)測中心，所述監(jiān)測中心通信連接有數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)處理模塊以及智能檢測模塊；

3、所述數(shù)據(jù)采集模塊用于獲取晶體管的生產(chǎn)節(jié)點數(shù)據(jù)以及測試參數(shù)；

4、所述數(shù)據(jù)處理模塊用于對所獲得的生產(chǎn)節(jié)點數(shù)據(jù)和測試參數(shù)進(jìn)行處理，根據(jù)處理結(jié)果獲得晶體管測試模型；

5、所述智能檢測模塊用于根據(jù)對所獲得的晶體管測試模型輸入模擬測試信號，獲得模擬測試結(jié)果，根據(jù)所獲得的模擬測試結(jié)果判斷晶體管性能是否合格。

6、進(jìn)一步的，所述數(shù)據(jù)采集模塊獲取晶體管的生產(chǎn)節(jié)點數(shù)據(jù)以及測試參數(shù)的過程包括：

7、所述數(shù)據(jù)采集模塊由若干個具有不同功能的數(shù)據(jù)采集終端組成；

8、根據(jù)生產(chǎn)晶體管的生產(chǎn)流程劃分若干個生產(chǎn)節(jié)點，并在各個生產(chǎn)節(jié)點內(nèi)布置對應(yīng)的數(shù)據(jù)采集終端；

9、通過布置于各個生產(chǎn)節(jié)點的數(shù)據(jù)采集終端獲取每個晶體管在該生產(chǎn)節(jié)點進(jìn)行加工制造過程中的生產(chǎn)數(shù)據(jù)和生產(chǎn)環(huán)境數(shù)據(jù)；

10、將所獲得的生產(chǎn)數(shù)據(jù)和生產(chǎn)環(huán)境數(shù)據(jù)進(jìn)行匯總，獲得與該生產(chǎn)節(jié)點相關(guān)聯(lián)的生產(chǎn)節(jié)點數(shù)據(jù)；

11、設(shè)置測試平臺，在所述測試平臺布置相應(yīng)的數(shù)據(jù)采集終端，用于獲取成品晶體管在標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境下的測試參數(shù)，所述測試參數(shù)包括若干個測試項目，每個測試項目對應(yīng)若干組測試數(shù)據(jù)。

12、進(jìn)一步的，所述數(shù)據(jù)處理模塊對所獲得的生產(chǎn)節(jié)點數(shù)據(jù)和測試參數(shù)進(jìn)行處理的過程包括：

13、讀取晶體管的生產(chǎn)節(jié)點數(shù)據(jù)，并根據(jù)生成節(jié)點數(shù)據(jù)內(nèi)的生產(chǎn)數(shù)據(jù)構(gòu)建與該晶體管相對應(yīng)的產(chǎn)品生產(chǎn)圖譜；

14、根據(jù)產(chǎn)品型號在產(chǎn)品生成圖譜內(nèi)生成對應(yīng)的空白流程節(jié)點，所述空白流程節(jié)點與生產(chǎn)節(jié)點一一對應(yīng)；

15、對每個空白流程節(jié)點設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境數(shù)值范圍；

16、將各個生產(chǎn)節(jié)點所對應(yīng)的生產(chǎn)節(jié)點數(shù)據(jù)導(dǎo)入至對應(yīng)的空白流程節(jié)點，并將該空白流程節(jié)點標(biāo)記為生產(chǎn)加工節(jié)點；

17、將所獲得的各個生產(chǎn)節(jié)點的生產(chǎn)環(huán)境數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境數(shù)值范圍進(jìn)行匹配，獲得對應(yīng)的匹配結(jié)果；

18、若生產(chǎn)環(huán)境數(shù)據(jù)處于標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境數(shù)值范圍內(nèi)，則表示該晶體管在對應(yīng)的生產(chǎn)節(jié)點生產(chǎn)時的環(huán)境符合要求，反之則表示不符合要求，則將對應(yīng)的生產(chǎn)加工節(jié)點標(biāo)記為非標(biāo)準(zhǔn)節(jié)點；

19、獲得每個測試項目的數(shù)據(jù)波動性系數(shù)；

20、設(shè)置波動性閾值b0；

21、當(dāng)＜b0時，則表示該測試項目的數(shù)據(jù)波動性低，即數(shù)據(jù)的離散程度低，則不對該測試項目內(nèi)的各組測試數(shù)據(jù)進(jìn)行優(yōu)化；

22、當(dāng)≥b0時，則表示該測試項目的數(shù)據(jù)波動性高，即數(shù)據(jù)的離散程度高，則對該測試項目內(nèi)的各組測試數(shù)據(jù)進(jìn)行優(yōu)化。

23、進(jìn)一步的，對測試項目內(nèi)的各組測試數(shù)據(jù)進(jìn)行優(yōu)化的過程包括：

24、將測試項目中的各組測試數(shù)據(jù)中的最大值剔除，?根據(jù)所剩下的測試數(shù)據(jù)獲得對應(yīng)的數(shù)據(jù)波動性系數(shù)；

25、若＜b0，則完成對測試數(shù)據(jù)的優(yōu)化；

26、若，則將所剔除的測試數(shù)據(jù)保留，并剔除測試數(shù)據(jù)中的最小值，再獲取剩余的測試數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù)波動性系數(shù)；

27、若＜b0，則完成對測試數(shù)據(jù)的優(yōu)化；

28、若＞，則將該測試項目標(biāo)記為異常項目；

29、若，則進(jìn)一步將剩余測試數(shù)據(jù)中的最小值進(jìn)行剔除，再獲取剩余的測試數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù)波動性系數(shù)；

30、若＜b0，則完成對測試數(shù)據(jù)的優(yōu)化；

31、若≥b0，則進(jìn)一步將剩余測試數(shù)據(jù)中的最小值進(jìn)行剔除，以此類推，直至所獲得的數(shù)據(jù)波動性系數(shù)小于b0；

32、若＞≥b0，則進(jìn)一步將測試項目中剩余的測試數(shù)據(jù)中的最大值剔除，再獲取剩余的測試數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù)波動性系數(shù)，以此類推。

33、進(jìn)一步的，所述晶體管測試模型的構(gòu)建過程包括：

34、若晶體管存在異常項目，則將該晶體管的測試參數(shù)以及各個生產(chǎn)節(jié)點的生產(chǎn)節(jié)點數(shù)據(jù)上傳至監(jiān)測中心；

35、若晶體管不存在異常項目，則根據(jù)各個測試項目經(jīng)過優(yōu)化后的測試數(shù)據(jù)獲得對應(yīng)的中位數(shù)，作為該測試項目的最終測試結(jié)果；

36、根據(jù)該晶體管的型號構(gòu)建對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字模型，所述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字模型具體為該型號的晶體管在標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境下所對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)測試參數(shù)；

37、將所獲得的各個測試項目的最終測試結(jié)果導(dǎo)入至標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字模型內(nèi)，獲得對應(yīng)的晶體管測試模型；

38、將所獲得的最終測試結(jié)果與標(biāo)準(zhǔn)測試參數(shù)進(jìn)行匹配，根據(jù)匹配結(jié)果獲得每個測試項目所對應(yīng)的偏差值。

39、進(jìn)一步的，所述智能檢測模塊根據(jù)對所獲得的晶體管測試模型輸入模擬測試信號，獲得模擬測試結(jié)果，根據(jù)所獲得的模擬測試結(jié)果判斷晶體管性能是否合格的過程包括：

40、對每個測試項目設(shè)置對應(yīng)偏差閾值；

41、將所獲得的各個測試項目的偏差絕對值與對應(yīng)的偏差閾值進(jìn)行對比，若偏差絕對值低于偏差閾值，則表示對應(yīng)的測試項目在標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境下測試合格，反之則表示對應(yīng)的測試項目在標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境下測試不合格；

42、若存在測試不合格的測試項目，則將該測試項目發(fā)送至監(jiān)測中心；

43、若不存在測試不合格的測試項目，則向晶體管測試模型內(nèi)輸入模擬測試信號；所述模擬測試信號為不同環(huán)境數(shù)據(jù)；

44、晶體管測試模型根據(jù)所輸入的模擬測試信號輸出對應(yīng)的模擬輸出參數(shù)；

45、根據(jù)所輸入的模擬測試信號，調(diào)節(jié)測試平臺的環(huán)境數(shù)據(jù)與模擬測試信號相對應(yīng)，并獲得在晶體管在測試平臺內(nèi)相對應(yīng)的環(huán)境數(shù)據(jù)下的實際測試數(shù)據(jù)；

46、將所獲得的實際測試數(shù)據(jù)與對應(yīng)的模擬輸出參數(shù)進(jìn)行對比，獲得對應(yīng)的對比結(jié)果，根據(jù)對比結(jié)果獲得對應(yīng)的模擬偏差絕對值；

47、根據(jù)晶體管的型號，設(shè)置在各個環(huán)境數(shù)據(jù)下的標(biāo)準(zhǔn)偏差閾值；

48、將所獲得的模擬偏差絕對值與對應(yīng)環(huán)境數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差閾值進(jìn)行對比；

49、若模擬偏差絕對值低于標(biāo)準(zhǔn)偏差閾值，則表示對應(yīng)的測試項目在對應(yīng)的環(huán)境數(shù)據(jù)下測試合格，反之則表示對應(yīng)的測試項目在對應(yīng)的環(huán)境數(shù)據(jù)下測試不合格。

50、進(jìn)一步的，晶體管生產(chǎn)用智能檢測系統(tǒng)的晶體管生產(chǎn)用智能檢測方法，包括以下步驟：

51、步驟s1：獲取生產(chǎn)晶體管的各個生產(chǎn)節(jié)點數(shù)據(jù)以及測試平臺內(nèi)晶體管的測試參數(shù)；

52、步驟s2：對所獲得的生產(chǎn)節(jié)點數(shù)據(jù)和測試參數(shù)進(jìn)行處理，根據(jù)處理結(jié)果獲得晶體管測試模型；

53、步驟s3：對所獲得的晶體管測試模型輸入不同的模擬測試信號，獲得模擬測試結(jié)果，根據(jù)所獲得的模擬測試結(jié)果判斷晶體管性能是否合格。

54、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

55、通過對所生產(chǎn)的晶體管構(gòu)建對應(yīng)的晶體管測試模型，并獲取晶不同的模擬測試信號輸入至晶體管測試模型內(nèi)獲得對應(yīng)的模擬輸出參數(shù)，再將模擬輸出參數(shù)與晶體管的實際測試參數(shù)進(jìn)行對比，從而判斷晶體管所對應(yīng)的測試項目是否合格，進(jìn)而實現(xiàn)晶體管在不同環(huán)境數(shù)據(jù)條件下的測試是否合格。