本發(fā)明是關(guān)于非揮發(fā)式存儲器的控制技術(shù)。
背景技術(shù):
1、非揮發(fā)式存儲器有多種形式─例如,快閃存儲器(flash?memory)、磁阻式隨機存取存儲器(magnetoresistive?ram)、鐵電隨機存取存儲器(ferroelectric?ram)、電阻式隨機存取存儲器(resistive?ram)、自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機存取存儲器(spin?transfer?torque-ram,stt-ram)…等,用于長時間數(shù)據(jù)保存,可做為儲存媒體實現(xiàn)一數(shù)據(jù)儲存裝置。
2、如何高效控制非揮發(fā)式存儲器為本技術(shù)領(lǐng)域重要課題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、根據(jù)本發(fā)明一種實施方式實現(xiàn)的一種非揮發(fā)式存儲器控制器包括一通信接口、以及一處理器。該通信接口耦接一非揮發(fā)式存儲器。該處理器透過該通信接口操作該非揮發(fā)式存儲器。該處理器自該非揮發(fā)式存儲器選出垃圾回收用的一起始來源區(qū)塊、以及一目標區(qū)塊。該處理器自該起始來源區(qū)塊進行有效數(shù)據(jù)判斷,并以該起始來源區(qū)塊上第一筆有效數(shù)據(jù)所對應的一第一邏輯至實體地址映射子表為目標,掃描該第一邏輯至實體地址映射子表,尋得有效數(shù)據(jù),收集至該目標區(qū)塊。該第一邏輯至實體地址映射子表的掃描完成后,該處理器自該起始來源區(qū)塊尋得尚未收集至該目標區(qū)塊的一第二筆有效數(shù)據(jù),并以該第二筆有效數(shù)據(jù)所對應的一第二邏輯至實體地址映射子表為目標,掃描該第二邏輯至實體地址映射子表,尋得有效數(shù)據(jù),收集至該目標區(qū)塊。
2、如此非揮發(fā)式存儲器控制器所實現(xiàn)的垃圾回收不僅善用已下載的邏輯至實體地址映射子表,還集中資源先清出起始來源區(qū)塊,大幅改善垃圾回收效能。
3、一種實施方式中,該處理器是依據(jù)有效數(shù)據(jù)量,自該非揮發(fā)式存儲器選出多個來源區(qū)塊,其中包括該起始來源區(qū)塊。該處理器對目標的邏輯至實體地址映射子表進行掃描時,是自這些來源區(qū)塊尋得有效數(shù)據(jù),收集至該目標區(qū)塊。
4、一種實施方式中,該處理器更為各邏輯至實體地址映射子表管理一標志,標示已完成掃描的邏輯至實體地址映射子表,以排除已收集至該目標區(qū)塊的數(shù)據(jù)的有效判斷。
5、本發(fā)明垃圾回收技術(shù)改良更用于實現(xiàn)一種非揮發(fā)式存儲器控制方法。
6、本發(fā)明更揭露根據(jù)所述非揮發(fā)式存儲器控制方法實現(xiàn)程序碼的一種電腦程序產(chǎn)品。
7、下文特舉實施例,并配合所附圖示,詳細說明本
技術(shù)實現(xiàn)要素:
。
1.一種非揮發(fā)式存儲器控制器,包括:
2.權(quán)利要求如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)式存儲器控制器,其特征在于:
3.如權(quán)利要求2所述的非揮發(fā)式存儲器控制器,其特征在于:
4.如權(quán)利要求3所述的非揮發(fā)式存儲器控制器,其特征在于:
5.如權(quán)利要求3所述的非揮發(fā)式存儲器控制器,其特征在于:
6.如權(quán)利要求5所述的非揮發(fā)式存儲器控制器,其特征在于:
7.如權(quán)利要求6所述的非揮發(fā)式存儲器控制器,其特征在于:
8.如權(quán)利要求3所述的非揮發(fā)式存儲器控制器,其特征在于:
9.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)式存儲器控制器,其特征在于:
10.一種非揮發(fā)式存儲器控制方法,包括:
11.如權(quán)利要求10所述的非揮發(fā)式存儲器控制方法,其特征在于,還包括:
12.如權(quán)利要求11所述的非揮發(fā)式存儲器控制方法,其特征在于,還包括:
13.如權(quán)利要求12所述的非揮發(fā)式存儲器控制方法,其特征在于,還包括:
14.如權(quán)利要求12所述的非揮發(fā)式存儲器控制方法,其特征在于,還包括:
15.如權(quán)利要求14所述的非揮發(fā)式存儲器控制方法,其特征在于,還包括:
16.如權(quán)利要求15所述的非揮發(fā)式存儲器控制方法,其特征在于,還包括:
17.如權(quán)利要求12所述的非揮發(fā)式存儲器控制方法,其特征在于,還包括:
18.如權(quán)利要求10所述的非揮發(fā)式存儲器控制方法,其特征在于,還包括:
19.一種電腦程序產(chǎn)品,包含程序碼,由一處理器執(zhí)行,實施如權(quán)利要求10至18中任一項所述的非揮發(fā)式存儲器控制方法。